Elemental and Crystallographic Analysis of Trapiche Ruby using Micro X-ray Fluorescence Spectroscopy, X-ray Pole Figure Map, and Low Vacuum Type Field Emission Scanning Electron Microscopy 査読

Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Takuma Ampo, Yasushi Takahashi

MICROSCOPY AND MICROANALYSIS   29 ( S1 )   2011 - 2013   2023年7月( ISSN：1431-9276 )

新規太陽電池材料BaSi2の近接蒸着による成膜技術開発 査読

原 康祐、山中 淳二、有元 圭介

表面と真空   2433-5835   388 - 392   2023年7月( ISSN：2433-5835 )

Influences of lattice strain and SiGe buffer layer thickness on electrical characteristics of strained Si/SiGe/Si(110) heterostructures 査読 重要な業績

Taisuke Fujisawa, Atsushi Onogawa, Miki Horiuchi, Yuichi Sano, Chihiro Sakata, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto

Materials Science in Semiconductor Processing   161   107476 - 107476   2023年7月( ISSN：1369-8001 )

Crystalline Morphology of SiGe Films Grown on Si(110) Substrates 査読 重要な業績

Keisuke Arimoto, Chihiro Sakata, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka

Journal of Electronic Materials   52   5121 - 5127   2023年4月

Semiconducting BaSi2 film synthesis by close-spaced evaporation benefiting from mechanical activation of source powder by ball milling 査読

Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, and Keisuke Arimoto

JJAP Conference Proceedings   10   011101   2023年4月( ISSN：2758-2450 )

Constructing the composition ratio prediction model using machine learning for BaSi2 thin films deposited by thermal evaporation 査読 重要な業績

Ryuto Ueda, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kosuke O. Hara

Japanese Journal of Applied Physics   62   SK1011   2023年4月( ISSN：1347-4065 )

Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using Two-condenser-lens TEM 査読

Junji Yamanaka, Takuya Oguni, Yuichi Sano, Yusuke Ohshima, Atsushi Onogawa, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto

MICROSCOPY AND MICROANALYSIS   28 ( S1 )   2812 - 2813   2022年7月( ISSN：1431-9276 )

Low temperature synthesis of photoconductive BaSi2 films via mechanochemically assisted close-spaced evaporation 査読

Mater. Adv.   2   6713 - 6721   2021年9月( ISSN：2633-5409 )

Discrimination between Coherent and Incoherent Interfaces using STEM Moiré 査読

Junji Yamanaka, Daisuke Izumi, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke Hara, Keisuke Arimoto

MICROSCOPY AND MICROANALYSIS   27   2326 - 2327   2021年8月( ISSN：1431-9276 )

Dependences of the hole mobility in the strained Si pMOSFET and gated Hall bars formed on SiGe/Si(110) on the channel direction and the strained Si thickness 査読 重要な業績

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   571   126246   2021年7月( ISSN：0022-0248 )

Investigations on Ba diffusion and SiO evaporation during BaSi2 film formation on Si substrates by thermal evaporation 査読

Daisuke Yazawa, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   39   043410   2021年5月( ISSN：0734-2101 )

Close-spaced evaporation of CaGe2 films for scalable GeH film formation 査読

Kosuke O. Hara, Shin Kunieda, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Mai Itoh, Masashi Kurosawa

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   132   105928   2021年5月( ISSN：1369-8001 )

Engineering Strain, Defects, and Electronic Properties of (110)-Oriented Strained Si 重要な業績

K. Arimoto, J. Yamanaka, K. O. Hara, K. Sawano, N. Usami and K. Nakagawa

ECS Transactions   98 ( 5 )   277 - 290   2020年10月( ISSN：1938-5862 )

Interface reaction of the SnS/BaSi2 heterojunction fabricated for solar cell applications 査読

Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa

THIN SOLID FILMS   706   138064   2020年7月( ISSN：0040-6090 )

HREM Observation and Identification of the Causality of Twins in SiGe/Si (110) 査読

Junji Yamanaka, Yuichi Sano, Shingo Saito, Atsushi Onogawa, Kosuke Hara, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto

MICROSCOPY AND MICROANALYSIS   26   286   2020年7月( ISSN：1431-9276 )

Hole mobility in Strained Si/Relaxed SiGe/Si(110) hetero structures studied by gated Hall measurements 査読 重要な業績

Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Taisuke Fujisawa, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   113   105052   2020年3月( ISSN：1369-8001 )

Reactive deposition growth of highly (001)-oriented BaSi2 films by close-spaced evaporation 査読

Kosuke O. Hara, Shuhei Takizawa, Junji Yamanaka, Noritaka Usami, Keisuke Arimoto

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   113   105044   2020年3月( ISSN：1369-8001 )

Strain relaxation process and evolution of crystalline morphologies during the growths of SiGe on Si(110) by solid-source molecular beam epitaxy 査読 重要な業績

Shingo Saito, Yuichi Sano, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   113   105042   2020年3月( ISSN：1369-8001 )

Hole mobility enhancement observed in (110)-oriented strained Si 査読 重要な業績

Keisuke Arimoto , Naoto Utsuyama, Shohei Mitsui, Kei Satoh, Takane Yamada, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59   SGGK06   2020年2月( ISSN：0021-4922 )

Thermodynamic analyses of thermal evaporation of BaSi2 査読

Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   59   SFFA02   2020年2月( ISSN：0021-4922 )

Relaxation of strain in Si layers formed on (110)-oriented SiGe/Si heterostructures 査読 重要な業績

Keisuke Arimoto, Atsushi Onogawa, Shingo Saito, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa

ECS Transactions   93 ( 1 )   79 - 80   2019年11月( ISSN：1938-5862 )

Evaluation of Crystal Lattice Rotation around a Stress-Induced Twin in a Step-Graded SiGe / Si (110) Using STEM Moiré Observation and its Image Analysis 査読

Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, Kazuo Ishizuka

MICROSCOPY AND MICROANALYSIS   25   242 - 243   2019年8月( ISSN：1431-9276 )

Fabrication of SnS/BaSi2 heterojunction by thermal evaporation for solar cell applications 査読

Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58   SBBF01   2019年( ISSN：0021-4922 )

Diffusion process in BaSi2 film formation by thermal evaporation and its relation to electrical properties 査読

Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH   33   2297 - 2305   2018年8月( ISSN：0884-2914 )

Hole generation associated with intrinsic defects in SOI-based SiGe thin films formed by solid-source molecular beam epitaxy 査読

Motoki Satoh, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Kiyokazu Nakagawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   123   161529   2018年4月( ISSN：0021-8979 )

BaSi2 formation mechanism in thermally evaporated films and its application to reducing oxygen impurity concentration 査読

Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57   04FS01   2018年2月( ISSN：0021-4922 )

Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures 査読 重要な業績

Keisuke Arimoto, Atsushi Onogawa, Shingo Saito, Takane Yamada, Kei Sato, Naoto Utsuyama, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   33   124016   2018年( ISSN：0268-1242 )

Formation of uniaxial strained Ge via control of dislocation alignment in Si/Ge heterostructures 査読

Shiori Konoshima, Eisuke Yonekura, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano

AIP Advances   8   075112   2018年( ISSN：2158-3226 )

Investigation on the origin of preferred a-axis orientation of BaSi2 films deposited on Si(100) by thermal evaporation 査読

Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   72   93 - 98   2017年12月( ISSN：1369-8001 )

Growth of strained Si/relaxed SiGe heterostructures on Si(110) substrates using solid-source molecular beam epitaxy 査読 重要な業績

Keisuke Arimoto, Hiroki Nakazawa, Shohei Mitsui, Naoto Utsuyama, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY   32   114002   2017年11月( ISSN：0268-1242 )

Thermal stability of compressively strained Si/relaxed Si1-xCx heterostructures formed on Ar ion implanted Si(100) substrates 査読

You Arisawa, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Chiaya Yamamoto, Noritaka Usami

Materials Science in Semiconductor Processing   70   127 - 132   2017年11月( ISSN：1369-8001 )

Fabrication of high-quality strain relaxed SiGe(110) films by controlling defects via ion implantation 査読

M. Kato, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano

Journal of Crystal Growth   477   197 - 200   2017年11月( ISSN：0022-0248 )

Fabrication of BaSi2 thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source 査読

Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami

Thin Solid Films   636   546 - 551   2017年8月( ISSN：0040-6090 )

Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si(110) grown by gas source MBE 査読 重要な業績

Keisuke Arimoto, Sosuke Yagi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa

Journal of Crystal Growth   468   625 - 629   2017年6月( ISSN：0022-0248 )

Post-annealing effects on the surface structure and carrier lifetime of evaporated BaSi2 films 査読

Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56   04CS07   2017年3月( ISSN：0021-4922 )

Preferred Orientation of BaSi2 Thin Films Fabricated by Thermal Evaporation 査読

Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Yoshihiko Nakgawa, Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, and Noritaka Usami

JJAP Conf. Proc.   2017年1月

Control of the electrical properties of BaSi2 evaporated films for solar cell applications 査読

Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Suemasu, Noritaka Usami

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference   2016   2786 - 2789   2016年11月

Anisotropic Strain Introduction into Si/Ge Hetero Structures 査読

K. Sawano, S. Konoshima, J. Yamanaka, K. Arimoto, K. Nakagawa

ECS Transactions   75   563   2016年10月

Structural and electrical properties of Ge(111) films grown on Si(111) substrates and application to Ge(111)-on-Insulator 査読

K. Sawano,Y. Hoshi,S. Kubo,K. Arimoto,J. Yamanaka,K. Hamaya,M. Miyao,Y. Shiraki

THIN SOLID FILMS   613   24   2016年8月( ISSN：0040-6090 )

Effects of deposition rate on the structure and electron density of evaporated BaSi2 films 査読

Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Suemasu, Noritaka Usami

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   120   045103   2016年7月( ISSN：0021-8979 )

Control of electrical properties of BaSi2 thin films by alkali-metal doping using alkali-metal fluorides 査読

Kosuke O. Hara,Weijie Du,Keisuke Arimoto,Junji Yamanaka,Kiyokazu Nakagawa,Kaoru Toko,Takashi Suemasu,Noritaka Usami

THIN SOLID FILMS   603   218 - 223   2016年3月( ISSN：0040-6090 )

Compressively strained Si/Si1-xCx heterostructures formed on Ar ion implanted Si(100) substrates 査読

Yusuke Hoshi,You Arisawa,Keisuke Arimoto,Junji Yamanaka,Kiyokazu Nakagawa,Kentarou Sawano,Noritaka Usami

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55   31302   2016年2月( ISSN：0021-4922 )

Structural and electrical characterizations of crack-free BaSi2 thin films fabricated by thermal evaporation 査読

Kosuke O. Hara,Junji Yamanaka,Keisuke Arimoto,Kiyokazu Nakagawa,Takashi Suemasu,Noritaka Usami

THIN SOLID FILMS   595   68 - 72   2015年11月( ISSN：0040-6090 )

Low nickel germanide contact resistances by carrier activation enhancement techniques for germanium CMOS application 査読

Hidenori Miyoshi,その他６名

Japanese Journal of Applied Physics   53   04EA0   2014年4月

Formation of Ge(111) on Insulator by Ge epitaxy on Si(111) and layer transfer 査読

K. Sawano,その他10名

Thin Solid Films   557   76 - 79   2014年4月

Gas-source MBE growth of strain-relaxed Si1-xCx on Si(100) substrates 査読 重要な業績

Keisuke Arimoto,その他８名

J. Cryst. Growth   378   212   2013年9月

On the origin of the uniaxial strain induced in Si/Ge heterostructures with selective ion implantation technique 査読

K. Sawano,Y. Hoshi,S. Nagakura,K. Arimoto,その他３名

J. Cryst. Growth   378   251   2013年9月

Reflectance anisotropies of compressively strained Si grown on vicinal Si1-xCx (001) 査読 重要な業績

R. E. Balderas-Navarro,N. A. Ulloa-Castillo,K. Arimoto,その他８名

Appl. Phys. Lett.   102   11902   2013年1月

Formation of compressively strained SiGe/Si(110) heterostructures and their characterization 査読 重要な業績

K. Arimoto,その他６名

J. Cryst. Growth   362   282 - 287   2013年1月

Formation of compressively strained Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures using gas-source molecular beam epitaxy 査読 重要な業績

K. Arimoto,その他７名

J. Cryst. Growth   362   276 - 281   2013年1月

Acceptor-like states in SiGe alloy related to point defects induced by Si+ ion implantation 査読 重要な業績

Motoki Satoh,Keisuke Arimoto,その他４名

Jpn. J. Appl. Phys.   51   10580   2012年9月

Line Width Dependence of Anisotropic Strain State in SiGe Films Induced by Selective Ion Implantation 査読

Y. Hoshi,その他7名

Appl. Phys. Express   4   95701   2011年8月

Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channels 査読

K. Sawano,K. Toyama,R. Masutomi,T. Okamoto,K. Arimoto,K. Nakagawa,N. Usami,Y. Shiraki

Microelectronic Engineering   88 ( 4 )   465 - 468   2011年4月

Ion dose, energy, and species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique 査読

Y. Hoshi,他6名

Journal of Applied Physics   107   10350   2010年5月

Optical anisotropies of Si grown on step-graded SiGe(110) layers 査読 重要な業績

R. E. Balderas-Navarro,L. F. Lastras-Martínez,K. Arimoto,R. Castro-García,O. Villalobos-Aguilar,A. Lastras-Martínez,K. Nakagawa,K. Sawano,Y. Shiraki,N. Usami,K. Nakajima

Appl. Phys. Lett.   96   09190   2010年3月

Formation of uniaxially strained SiGe by selective ion implantation technique 査読

Kentarou Sawano,その他７名

Thin Solid Films   518   2454 - 2457   2010年2月

Ion energy and dose dependence of strain relaxation for thin SiGe buffer layers using Si+ implantation 査読

Y. Hoshi,K. Sawano,A. Yamada,K. Arimoto,N. Usami,K. Nakagawa,Y. Shiraki

Thin Solid Films   518   S162 - S164   2010年1月

Strain relaxation mechanisms in compositionally uniform and step-graded SiGe films grown on Si(110) substrates 査読 重要な業績

K. Arimoto,その他７名

Solid State Electronics   53   1135 - 1143   2009年10月

Strain dependence of hole effective mass and scattering mechanism in strained Ge channel structures 査読

K. Sawano　その他８名

Appl. Phys. Lett.   95   12210   2009年9月

Structural and transport properties of strained SiGe grown on V-groove patterned substrates 査読 重要な業績

K. Arimoto,その他９名

J. Cryst. Growth   311   814 - 818   2009年2月

Strain relaxation mechanism in step-graded SiGe/Si(110) heterostructures grown by gas-source MBE at high temperatures 査読 重要な業績

K. Arimoto,その他７名

J. Cryst. Growth   311   819 - 824   2009年2月

Crystalline morphologies of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (110) Si substrates 査読 重要な業績

K. Arimoto,その他７名

J. Cryst. Growth   311   809 - 813   2009年2月

Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation 査読

K. Sawano,その他７名

Applied Physics Express   1   12140   2008年12月

Growth temperature dependence of the crystalline morphology of SiGe films grown on Si(110) substrates with compositionally step-graded buffer 査読 重要な業績

K. Arimoto,その他７名

Thin Solid Films   517   235 - 238   2008年11月

Characterizations of polycrystalline SiGe films on SiO2 grown by gas-source molecular beam deposition 査読

M. Mitsui,その他８名

Thin Solid Films   517   254 - 256   2008年11月

Microstructure difference of Ni induced poly-crystallized SiGe by changing the annealing atmosphere 査読

J. Yamanaka,その他９名

Thin Solid Films   517   232 - 234   2008年11月

Elastic theory for strained heterostructures with in-plane anisotropy 査読 重要な業績

Keisuke Arimoto,Kiyokazu Nakagawa

Journal of Applied Physics   104   63512   2008年9月

Acceptorlike Behavior of Defects in SiGe Alloys Grown by Molecular Beam Epitaxy 査読 重要な業績

Motoki Satoh,その他７名

Jpn. J. Appl. Phys.   47   4630 - 4633   2008年6月

New Structure of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor with Germanium Layer in Source/Drain Regions for Low-Temperature Device Fabrication 査読

Minoru Mitsui,その他５名

Jpn. J. Appl. Phys.   47   1547 - 1549   2008年3月

On Effects of Gate Bias on Hole Effective Mass and Mobility in Strained-Ge Channel Structures 査読

Kentarou Sawano,その他８名

Appl. Phys. Express   1   1140   2008年1月

Growth temperature dependence of lattice structures of SiGe/graded buffer structures grown on Si(110) substrates by gas-source MBE 査読 重要な業績

Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano,Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami and Kazuo Nakajima

Journal of Crystal Growth   301-302   343 - 348   2007年3月

Influence of Ge atoms on mobility and junction properties of thin-film transistors fabricated on solid-phase crystallized poly-SiGe 査読

Minoru Mitsui, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa,Kentarou Sawano and Yasuhiro Shiraki

Applied Physics Letters   89   19210   2006年11月

Nanocomposites based on exfoliated NbWO6 nanosheets and ionic polyacetylenes 査読

G.K. Prasad, T. Takei, K. Arimoto, Y. Yonesaki, N. Kumada, N. Kinomura

Solid State Ionics   2006年10月

Strain field and related roughness formation in SiGe relaxed buffer layers 査読

K. Sawano, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa, and Y. Shiraki

Thin Solid Films   508 ( 1-2 )   117 - 119   2006年6月

Determination of lattice parameters of SiGe/Si(110) heterostructures 査読 重要な業績

Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano,Yasuhiro Shiraki, Shinji Koh and Noritaka Usami

Thin Solid Films   508 ( 1-2 )   132 - 135   2006年6月

Strain-Field Evaluation of Strain-Relaxed Thin SiGe Layers Fabricated by Ion Implantation Method 査読

Kentarou SAWANO, Yusuke OZAWA, Atsushi FUKUMOTO, Noritaka USAMI,Junji YAMANAKA, Kumiko SUZUKI, Keisuke ARIMOTO, Kiyokazu NAKAGAWA,and Yasuhiro SHIRAKI

Japanese Journal of Applied Physics   44 ( 43 )   L1316 - L1319   2005年10月

Changes in elastic deformation of strained Si by microfabrication 査読 重要な業績

K. Arimoto,D. Furukawa,J. Yamanaka,K. Nakagawa,K. Sawano,S. Koh,Y. Shiraki,N. Usami

Materials Science in Semiconductor Processing   8   181 - 185   2005年6月

Fabrication of high-quality strain-relaxed thin SiGe layers on ion-implanted Si substrates 査読

K. Sawano,S. Koh,Y. Shiraki,Y. Ozawa,T. Hattori,J. Yamanaka,K. Suzuki,K. Arimoto,K. Nakagawa,N. Usami

Applied Physics Letters   85 ( 13 )   2514 - 2516   2004年9月

Planarization of SiGe virtual substrates by CMP and its application to strained Si modulation-doped structures 査読

K. Sawano,K. Arimoto,Y. Hirose,S. Koh,N. Usami,K. Nakagawa,T. Hattori,Y. Shiraki

Journal of Crystal Growth   251   693 - 696   2003年4月

Correlation between electronic states and optical properties in indirect GaAsP/GaP quantum wells with insertion of an ultrathin AlP layer 査読 重要な業績

Physica E   8   323 - 327   2000年5月

Effect of the insertion of an Ultrathin AlP layer on the optical properties of GaAsP/GaP quantum wells 査読 重要な業績

Physical Review B   60 ( 19 )   13735 - 13739   1999年5月

Temperature dependence of photoluminescence of GaP1-xNx Alloys 査読 重要な業績

H. Yaguchi,G. Biwa,S. Miyoshi,D. Aoki,K. Arimoto,K. Onabe,R. Ito,Y. Shiraki

Journal of Crystal Growth   189/190   496 - 499   1998年6月

Elemental and Crystallographic Analysis of Trapiche Ruby using Micro X-ray Fluorescence Spectroscopy, X-ray Pole Figure Map, and Low Vacuum Type Field Emission Scanning Electron Microscopy 国際会議

Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Takuma Ampo, Yasushi Takahashi

Microscopy & Microanalysis 2023 Meeting  2023年7月 

Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using Two Condenser-lens TEM, Experimental Study about the Effect of Convergence Angle 国際会議

Junji Yamanaka, Joji Furuya, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto

Microscopy & Microanalysis 2023 Meeting  2023年7月 

Reflection and transmission ellipsometry measurement under incoherent superposition of light

Yoriatsu Kitamura, Sota Mogi, Tsutomu Muranaka, Keisuke Arimoto, Eiichi Kondoh, Lianhua Jin, Bernard Gelloz

Optical Technology and Measurement for Industrial Applications Conference  2023年4月 

透過型ミューラー行列顕微鏡による薄膜膜厚分布計測

長瀬 仁，北村 賢功，有元 圭介，近藤 英一，金 蓮花，ジェローズ ベルナール

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月 

近接蒸着法により作製したCaSi2薄膜の結晶配向性

高垣僚太、有元圭介、山中淳二、原康祐

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月 

BaSi2薄膜の結晶粒界とキャリア寿命の関係

原康祐、有元圭介、宇佐美徳隆

第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月 

Constructing the composition ratio prediction model using machine learning for BaSi2 thin films deposited by thermal evaporation 国際会議

Ryuto Ueda, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara

The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)  2022年11月 

NBD 回折円盤からの SiGe 面間隔測定における収束レンズ条件の影響

古屋丞司、有元圭介、小國琢弥、原康祐、山中淳二

日本顕微鏡学会第 65 回シンポジウム  2022年11月 

歪み SiGe/Ge(111)に発生したクラックの TEM 観察

田島滉太、山中淳二、有元圭介、原康祐、我妻勇哉、澤野憲太郎

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

Ge/SiO2及びSi/Ge/SiO2の低温成長とそのTEM観察

近藤 弘人、有元 圭介、原 康祐、山中 淳二

第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

Synthesis of photoconductive BaSi2 films by close-spaced evaporation 国際会議

Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto

The 22nd International Vacuum Congress IVC-22  2022年9月 

Strain Engineering for Enhancement of Hole Mobility in Silicon 招待 国際会議 重要な業績

Keisuke Arimoto

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX)  2022年9月 

Evaluation of Lattice-Spacing of Si and SiGe by NBD using conventional TEM 国際会議

Junji Yamanaka, Takuya Oguni, Joji Furuya, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto

19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors  2022年8月 

Crystalline Morphology of SiGe Films Grown on Si(110) Substrates 国際会議 重要な業績

Chihiro Sakata, Keisuke Arimoto, Kosuke O Hara, Junji Yamanaka

19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors  2022年8月 

Mechanochemically Assisted Close-Spaced Evaporation of BaSi2 Films 国際会議

Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto

APAC SILICIDE 2022, 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides  2022年7月 

オパールの白濁原因について

高橋泰、山中淳二、有元圭介、安保拓真

宝石学会(日本)オンライン講演会  2022年6月 

Reflection and Transmission Ellipso-Microscopy 国際会議

Lianhua Jin, Sota Mogi, Yoriatsu Kitamura, Tsutomu Muranaka, Keisuke Arimoto, Eiichi Kondoh, Bernard Gelloz

The 9th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-9)  2022年5月 

2段集束レンズTEMを用いたNBDによるSiGeと歪Siの面間隔評価

山中淳二、小國琢弥、佐野雄一、大島佑介、各川敦史、原康祐、有元圭介

日本顕微鏡学会 第78回学術講演会  2022年5月 

反射・透過型エリプソメトリー計測における透明基板内反射影響

茂木 壮太、有元 圭介、近藤 英一、金 蓮花、ジェローズ ベルナール

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

歪みSi/緩和 SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETの高正孔移動度化とリーク電流の低減 重要な業績

藤澤 泰輔、各川 敦史、堀内 未希、坂田 千尋、山中 淳二、原 康祐、澤野 憲太郎、中川 清和、有元 圭介

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

Si基板上BaSi2近接蒸着膜の実効キャリア寿命

原 康祐、高垣 僚太、有元 圭介、宇佐美 徳隆

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

機械学習を用いたBaSi2蒸着膜の組成比予測モデルの予測精度改善

上田 龍斗、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐

第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

Si/SiGe/Si(110) 内双晶分布の X 線回折と TEM による評価

坂田 千尋、有元 圭介、各川 敦史、原 康祐、山中 淳二

日本顕微鏡学会 第64回シンポジウム  2021年11月 

2段集束レンズ TEM を用いた NBD による SiGe 面間隔評価の試行

小國 琢弥、佐野 雄一、大島 佑介、原 康祐、有元 圭介、山中 淳二

日本顕微鏡学会 第64回シンポジウム  2021年11月 

STEM-Moiré Applications to Crystalline Specimens without using High-End Microscopes 国際会議

Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto

2nd Canada – Japan Microscopy Societies Symposium 2021  2021年11月 

Strain and Defect Engineering for the (110)-Oriented Si pMOSFETs 招待 国際会議 重要な業績

Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa

International Conference on Materials Science and Engineering (Materials Oceania)  2021年10月 

Discrimination between Coherent and Incoherent Interfaces using STEM Moiré 国際会議

Junji Yamanaka, Daisuke Izumi, Chiaya Yamamoto Mai Shirakura, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto

Microscopy & Microanalysis 2021 Meeting  2021年8月 

2段集束レンズTEMを用いたNBDによるSi面 間隔評価の試行

小國 琢弥 ，佐野 雄一 ，原 康祐 ，有元 圭介 ，山中 淳二

日本顕微鏡学会 第77回学術講演会  2021年6月 

電流変調抵抗率測定におけるSiウェーハ表面ダメージの影響

原 康祐、塚越 由花、牧瀬 啓人、有元 圭介、星 裕介、松島 悟

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造へのin situ Sbドーピングに関する研究 重要な業績

吉川 満希、浪内 大地、陳 北辰、堀内 未希、藤澤 泰輔、山中 淳二、原 康祐、中川 清和、有元 圭介

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

Si(110)基板上への組成傾斜SiGe層形成法に関する研究 重要な業績

堀内 未希、斎藤 慎吾、原 康介、山中 淳二、有元 圭介

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

近接蒸着法によるCaGe2成膜とゲルマナンへの変換

原 康祐、國枝 慎、山中 淳二、有元 圭介、伊藤 麻維、黒澤 昌志

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

メカノケミカル効果を活用した近接蒸着法によるBaSi2成膜

原 康祐、山本 千綾、山中 淳二、有元 圭介

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

Dependences of the hole mobility in the strained Si pMOSFET formed on SiGe/Si(110) on strained Si thickness and the channel direction 国際会議 重要な業績

Keisuke Arimoto, Taisuke Fujisawa, Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2021年3月 

Engineering Strain, Defects, and Electronic Properties of (110)-Oriented Strained Si 招待 国際会議 重要な業績

K. Arimoto, J. Yamanaka, K. O. Hara, K. Sawano, N. Usami and K. Nakagawa

ECS PRiME 2020  2020年10月 

歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける正孔移動度のチャネル方向依存性 重要な業績

藤澤 泰輔、各川 敦史、浪内 大地、佐野 雄一、泉 大輔、山中 淳二、原 康祐、澤野 憲太郎、中川 清和、有元 圭介

第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月  応用物理学会

HREM Observation and Identification of the Causality of Twins in SiGe/Si (110) 国際会議

Junji Yamanaka, Yuichi Sano, Shingo Saito, Atsushi Onogawa, Kosuke Hara, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto

Microscopy & Microanalysis 2020 Meeting  2020年8月 

真空蒸着法によるSrSi2の薄膜作製

瀧澤 周平、原 康祐、山中 淳二、有元 圭介

第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

近接蒸着法によるCaSi2とCaGe2の成膜

原 康祐、瀧澤 周平、山中 淳二、黒澤 昌志、有元 圭介

第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

Critical Thickness of SiGe on Si(110) Substrate 国際会議 重要な業績

Shingo Saito, Yuichi Sano, Kosuke. O. Hara, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8)  2019年11月 

Practical Growth Processes of Silicide and Germanide Thin Films for Photovoltaic and Electronic Applications 招待 国際会議

Kosuke O. Hara, Shuhei Takizawa Noritaka Usami, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8)  2019年11月 

Hole Mobility in Strained Si/Relaxed SiGe/Si(110) Hetero Structures Studied by Gated Hall Measurements 国際会議 重要な業績

Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Keisuke Arimoto, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-8)  2019年11月 

Close-spaced Evaporation: Scalable Technique for BaSi2 Film Deposition 国際会議

Kosuke O. Hara, Shuhei Takizawa, Noritaka Usami, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto

29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-29)  2019年11月 

真空蒸着でのBaSi2成膜における基板加熱条件の影響

矢澤 大典、原 康祐、山中 淳二、有元 圭介

第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

BaSi2融液から発生する蒸気組成の理論解析

原 康祐、山中 淳二、有元 圭介

第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の反転キャリアのHall移動度評価 重要な業績

浪内 大地、澤野 憲太郎、各川 敦史、佐野 雄一、泉 大輔、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、中川 清和

第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

Si(110)基板上のSiGeの臨界膜厚に関する研究 重要な業績

斎藤 慎吾、佐野 雄一、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、中川 清和

第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性 重要な業績

藤澤 泰輔、各川 敦史、浪内 大地、斎藤 慎吾、佐野 雄一、泉 大輔、山中 淳二、原 康祐、澤野 憲太郎、中川 清和、有元 圭介

第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

Hole Mobility Enhancement Observed in (110)-Oriented Strained Si 国際会議 重要な業績

Keisuke Arimoto, Naoto Utsuyama, Shohei Mitsui, Kei Satoh, Takane Yamada, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa

2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)  2019年9月 

Evaluation of Crystal Lattice Rotation around a Stress-Induced Twin in a Step-Graded SiGe / Si (110) Using STEM Moiré Observation and its Image Analysis 国際会議

Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, and Kazuo Ishizuka

Microscopy & Microanalysis 2019 Meeting  2019年8月 

Physicochemical study of BaSi2 evaporation for composition-controlled film deposition 国際会議

Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa

The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 2019 (APAC-Silicide 2019)  2019年7月 

Elucidating the SnS/BaSi2 Interface Reaction for SnS/BaSi2 Heterojunction Solar Cells 国際会議

Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa

10th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2019)  2019年6月 

SiGe のSTEM モアレ観察-収差補正有無での比較

泉大輔、波多聰、白倉麻依、佐藤圭、原康祐、有元圭介、中川清和、山中淳二

日本顕微鏡学会 第75回学術講演会  2019年6月 

Relaxation of strain in Si layers formed on (110)-oriented SiGe/Si heterostructures 国際会議 重要な業績

Keisuke Arimoto, Atsushi Onogawa, Shingo Saito, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa

2nd Joint ISTDM / ICSI 2019 Conference  2019年6月 

Formation of SnS/BaSi2 Heterojunction by Sequential Thermal Evaporation toward Solar Cell Applications 国際会議

Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM2018)  2018年9月 

STEM Moiré Observation of the Compositionally Step-Graded SiGe Thin Film and its Image Analysis 国際会議

Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kei Sato, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, and Kazuo Ishizuka

19th International Microscopy Congress (IMC19)  2018年9月 

Feasibility Study to Evaluate Lattice-Space Changing of a Step-Graded SiGe / Si (110) Using STEM Moiré 国際会議

Junji Yamanaka, Mai Shirakura, Chiaya Yamamoto, Kei Sato, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, Kazuo Ishizuka

The 3rd Int'l Conference on Metal Materials and Engineering (MME 2018)  2018年7月 

Composition control of semiconducting BaSi2 films fabricated by thermal evaporation 国際会議

Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa

Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2018  2018年6月 

Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures 国際会議 重要な業績

Keisuke Arimoto, Takane Yamada, Kei Sato, Naoto Utsuyama, Atsushi Onogawa, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa

Joint ISTDM/ICSI 2018 Conference  2018年5月 

(110)面歪みSi薄膜の臨界膜厚 重要な業績

有元圭介、各川敦史、山田祟峰、原康祐、山中淳二、中川清和

第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

BaSi2蒸着における蒸気組成と成膜過程解析

原康祐、有元圭介、山中淳二、中川清和

第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

Simple Thermal Evaporation Route to Single-Phase and Highly-Oriented BaSi2 Thin Films 招待 国際会議

Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami

2017 MRS Fall Meetings & Exhibit  2017年11月 

高移動度トランジスタ実現に向けた４族半導体の歪みエンジニアリング 招待 重要な業績

有元圭介

第２回ニューフロンティアリサーチワークショップ  2017年11月  応用物理学会東海支部

Development of preferred orientation in evaporated BaSi2 films on Si(100) by controlling the near-interface structure 国際会議

Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, and Noritaka Usami

27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-27)  2017年11月 

STEM Moiré Observations of Si/SiGe/Si (110) 国際会議

Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kei Sato, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto and Kiyokazu Nakagawa

The 3rd East-Asia Microscopy Conference,EAMC3  2017年11月 

Microstructural Characteristics of BaSi2 Epitaxial Films Fabricated by Thermal Evaporation 国際会議

K. O. Hara, C. Yamamoto, J. Yamanaka, K. Arimoto, K. Nakagawa, N. Usami

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)  2017年9月 

二段階成長法を用いたSi(110)基板上Ge層の作製と評価

大木 健司、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和、澤野 憲太郎

第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

BaSi2蒸着膜中の酸素濃度低減と結晶配向への影響

原 康祐、山中 淳二、有元 圭介、中川 清和、宇佐美 徳隆

第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

BaSi2蒸着膜のa-Si被覆による表面酸化抑制

原 康祐，Cham Thi Trinh，黒川 康良，有元 圭介，山中 淳二，中川 清和，宇佐美 徳隆

第14 回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2017年7月 

Growth of Strained Silicon Film for High hole mobility Device 国際会議 重要な業績

Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa

BIT’s 6th Annual World Congress of Advanced Materials (WCAM-2017)  2017年6月 

階段状組成傾斜SiGe/Si(110)のSTEMモアレ観察

山中 淳二，山本 千綾，白倉 麻依，佐藤 圭，山田 崇峰，原 康祐，有元 圭介，中川 清和

第73回日本顕微鏡学会学術講演会  2017年5月 

Growth of strained Si/SiGe heterostructures on Si(110) substrates using solid-source molecular beam epitaxy 国際会議 重要な業績

Keisuke Arimoto, Hiroki Nakazawa Shohei Mitsui, Naoto Utsuyama, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures  2017年5月 

BaSi2蒸着膜中の酸素不純物に関する調査

原康祐、山本千綾、山中淳二、有元圭介、中川清和、黒川康良、宇佐美徳隆

第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月  応用物理学会

GaNパワートランジスタのためのゲートSiO2膜形成技術の開発

前川拓也、小木曽真一、有元圭介、山中淳二、荒井哲司、中川清和、高松利行、上野勝典

第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月  応用物理学会

Ohmic Contact Formation for n+ 4H-SiC Substrate by Selective Heating Method Using Hydrogen Radical Irradiation 国際会議

Tetsuji Arai, Kazuki Kamimura, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Keisuke Arimoto,Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Toshiyuki Takamatsu, Masaaki Ogino,Masaaki Tachioka, Haruo Nakazawa

The 3rd Int’l Conference on Thin Film Technology and Applications (TFTA2017)  2017年1月 

STEM Moiré Observation of Lattice-Relaxed Germanium Grown on Silicon 国際会議

Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Hiroki Nakaie, Tetsuji Arai, Keisuke Arimoto, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa

The 3rd Int’l Conference on Thin Film Technology and Applications (TFTA2017)  2017年1月 

TEM observation of Si0.99C0.01 Thin Films with Arsenic-Ion-, Boron-Ion-, and Silicon-Ion-Implantation follewd by Rapid Thermal Annealing 国際会議

Junji Yamanaka, Shigenori Inoue, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Ya-suhiro Shiraki, Atsushi Moriya, Yasuhiro Inokuchi, Yasuo Kunii

The 3rd Int’l Conference on Thin Film Technology and Applications (TFTA2017)  2017年1月 

Reduction of Dislocation Densities of Ge Layers Grown on Si Substrates by Using Microwave, Plasma Heating and Fabrication of High Hole, Mobility MOSFETs on Ge Layers 国際会議

Hiroki Nakaie, Tetsuji Arai, Chiaya Yamamoto, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka,Kiyokazu Nakagawa, Toshiyuki Takamatsu

The 3rd Int’l Conference on Thin Film Technology and Applications (TFTA2017)  2017年1月 

Growth of (110)-Oriented SiGe-Based Heterostructures for High Hole Mobility Devices 招待 国際会議 重要な業績

Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa

2016 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2016)  2016年12月 

Close relationship between electrical properties and microstructure of semiconducting BaSi2 films 招待 国際会議

Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

2016 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2016)  2016年12月 

Fabrication of BaSi2 thin films passivated by amorphous Si using a single evaporation source 国際会議

Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, and Noritaka Usami

26th Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26)  2016年10月 

Surface Modification of Evaporated BaSi2 Films by In-situ Post-annealing and Amorphous Silicon Capping 国際会議

K.O. Hara, C.T. Trinh, Y. Kurokawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016)  2016年9月 

Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果

加藤まどか、村上太陽、有元圭介、山中淳二、中川清和、澤野憲太郎

第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月  応用物理学会

伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の結晶成長中における表面形状形成過程に関する研究 重要な業績

山田崇峰、宇津山直人、佐藤圭、白倉麻衣、山本千綾、有元圭介、山中淳二、原康祐、宇佐美徳隆、澤野憲太郎、中川清和

第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月  応用物理学会

イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si1-xCx/Si(001)構造の結晶性評価 重要な業績

村上太陽、有元圭介、山中淳二、原康祐、山本千綾、宇佐美徳隆、星裕介、有澤洋、澤野憲太郎、中川清和

第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月  応用物理学会

単一原料の蒸着によるa-Si/BaSi2積層構造の作製

原康祐、Trinh Cham Thi、黒川康良、有元圭介、山中淳二、中川清和、宇佐美徳隆

第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月  応用物理学会

伸張歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の表面モフォロジーに成長速度が及ぼす影響 重要な業績

佐藤圭、宇津山直人、山田崇峰、有元圭介、山中淳二、原康祐、澤野憲太朗、宇佐美徳隆、中川清和

第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月  応用物理学会

水素ラジカルを用いた選択加熱によるn+ 4H-SiCへのオーミック電極形成

荒井哲司、上村和貴、山本千綾、白倉麻依、有元圭介、山中淳二、中川清和、高松利行、荻野正明、立岡正明、中澤治雄

第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月  応用物理学会

The Influence of Stress-Induced Twins upon Surface Morphology of SiGe/Si(110) 国際会議

J. Yamanaka, M. Shirakura, C. Yamamoto, N. Utsuyama, K. Sato, T. Yamada, K. Arimoto, K. Nakagawa

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-18)  2016年8月 

Hole Mobility in Strained Si/SiGe/Vicinal Si(110) Grown by Gas Source MBE 国際会議 重要な業績

K. Arimoto,S. Yagi,J. Yamanaka,K. Nakagawa,N. Usami,K. Sawano

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy(ICCGE-18)  2016年8月 

Preferred Orientation of BaSi2 Thin Films Fabricated by Thermal Evaporation 国際会議

Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Yoshihiko Nakgawa, Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, and Noritaka Usami

Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016)  2016年7月 

STEM and TEM observations of defects distribution of Ge/Si annealed by new heating method using plasma technique 国際会議

Junji YAMANAKA,Chiaya YAMAMOTO,Kazuki KAMIMURA,Hiroki NAKAIE,Tetsuji ARAI,Keisuke ARIMOTO,Kiyokazu NAKAGAWA

THERMEC’2016  2016年7月 

伸張歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造中のmicrotwinが表面モフォロジーに及ぼす影響 重要な業績

佐藤圭、宇津山直人、山田崇峰、有元圭介、山本千綾、山中淳二、原康祐、中川清和、宇佐美徳隆、澤野憲太郎

第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月  応用物理学会

伸張歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造中のmicrotwinが表面モフォロジーに及ぼす影響 重要な業績

佐藤圭,宇津山直人,山田崇峰,有元圭介,山本千綾,山中淳二,原康祐,中川清和,宇佐美徳隆,澤野憲太郎

第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

微傾斜基板を用いた伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のモフォロジー及び素子特性 重要な業績

宇津山直人,佐藤圭,山田崇峰,有元 圭介,山中淳二,中川清和,原康祐,宇佐美徳隆,澤野憲太郎

第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

Si-ULSI用の電極形成のための熱処理技術の開発

上村 和貴、中家 大希、荒井 哲司、山本 千綾、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和、高松 利行

第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月  応用物理学会

高速成膜によるBaSi2蒸着膜の構造・特性変化

原 康祐、Trinh Thi Cham、黒川 康良、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和、末益 崇、宇佐美 徳隆

第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月  応用物理学会

微傾斜基板を用いた伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のモフォロジー及び素子特性 重要な業績

宇津山直人、佐藤圭、山田崇峰、有元 圭介、山中淳二、中川清和、原康祐、宇佐美徳隆、澤野憲太郎

第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月  応用物理学会

GaNパワートランジスタのためのゲート酸化膜堆積技術の開発

高木 翔太、荒井 哲司、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和、高松 利行、上野 勝典

第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月  応用物理学会

Growth of strained Si/SiGe on Si(110) substrates for realization of high-mobility devices 重要な業績

Keisuke Arimoto

EMN 3CG 2015 (Collaborative Conference on Crystal Growth)  2015年12月 

TEM observation of defects induced into semiconductor thin films under the control

Junji Yamanaka,Chiaya Yamamoto,Kentarou Sawano,Keisuke Arimoto,Kiyokazu Nakagawa

The 2015 International Symposium for Advanced Materials Research(ISAMR2015)  2015年8月 

歪みSi/Si1-xCx/Si(001) 構造の不純物活性化過程における結晶性及び電気特性評価 重要な業績

藤原幸亮,その他９名

第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月 

伸張歪みSi/ 緩和SiGe/Si(110) の微細構造および電気的特性への熱処理の影響 重要な業績

宇津山直人,有元圭介,その他４名

第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月 

イオン注入法で作製した圧縮歪みSi/Si1-xCx/Si(001) 構造の結晶性及びデバイス特性評価 重要な業績

中込諒,その他９名

第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月 

Low NiGe Contact Resistances by Carrier Activation Enhancement (CAE) Techniques for Ge CMOSFETs

H. Miyoshi,その他６名

International Conference on Solid State Devices and Materials  2013年9月 

Linear and nonlinear optical response from strained silicon layers

R. Carriles,その他１４名

Optics of Surfaces and Interfaces (OSI)  2013年9月 

Formation of Ge(111) on Insulator by Ge Epitaxy on Si(111) and Layer Transfer

K. Sawano,その他10名

The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)  2013年6月 

ガスソースMBE法によるシリコン・炭素混晶の結晶成長と欠陥形成過程の解明 重要な業績

古川洋志,酒井翔一朗,有元圭介,その他４名

第60回応用物理学会春季学術講演会  2013年3月 

Formation of high-quality Ge(111) layers on Si(111) substrates

Y. Hoshi,S. Kubo,K. Sawano,K. Arimoto,他５名

The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy  2012年9月 

Gas-source MBE growth of compressively strained-Si/Si1-xCx/Si(100) heterostructures 重要な業績

The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy  2012年9月 

Formation and Application of Compressively Strained SiGe/Si(110) Heterostructure 重要な業績

Tomoyuki Obata,その他５名

The 5th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2011年6月 

Electron Mobility in Strained Si-nMOSFET Formed on Vicinal Si(110) Substrate 重要な業績

Hiroki Nakazawa,その他７名

The 5th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2011年6月 

Formation of Compressively Strained Si/Si1-xCx/Si(100) Heterostructure Using Gas-source MBE 重要な業績

Hiroshi Furukawa,その他６名

The 5th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2011年6月 

(110)面を表面に有する歪みSiの正孔移動度と結晶モフォロジーとの関係 重要な業績

八木聡介,有元圭介,中川清和,宇佐美徳隆,中嶋一雄,澤野憲太郎,白木靖寛

第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

Reflectance Difference Spectroscopy of SiGe(110) virtual substrates 重要な業績

Raul E. Balderas-Navarro,Luis F. Lastras-Martínez,Keisuke Arimoto,Ricardo Castro-García,Alfonso Lastras-Martínez,他５名

5th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE-V)  2010年5月 

正孔有効質量への圧縮および伸長歪みの影響 重要な業績

有元圭介,中川清和

第57回応用物理学関係連合講演会  2010年3月 

歪みシリコン中の正孔有効質量の面方位依存性 重要な業績

有元圭介,中川清和

第70回応用物理学会学術講演会  2009年9月 

Formation of Uniaxially Strained SiGe by Selective Ion Implantation Technique

K. Sawano,他７名

E-MRS 2009 Spring Meeting  2009年6月 

Ion dose and species dependence of strain relaxation of SiGe buffer layers formed by ion-implantation technique

Y. Hoshi,他７名

6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6)  2009年5月 

Mechanism of strain relaxation in SiGe films grown on Si(110) substrates 重要な業績

Keisuke Arimoto,Masato Watanabe,Toshihiko Yajima,Junji Yamanaka,Kiyokazu Nakagawa,その他４名

4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics  2008年9月 

Si(110)基板上に形成した歪みSi/SiGe構造の歪み解析 重要な業績

有元圭介,矢嶋利彦,中川清和,その他４名

第69回応用物理学会学術講演会  2008年9月 

Strain Relaxation Mechanisms in Compositionally Uniform and Step-Graded SiGe Films Grown on Si(110) Substrates 重要な業績

K. Arimoto,M. Watanabe,J. Yamanaka,K. Nakagawa,その他4名

4th International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2008)  2008年5月 

Crystalline morphology of step-graded SiGe layers grown onexact and vicinal (110) Si substrates 重要な業績

K. Arimoto,M. Watanabe,J. Yamanaka,K. Nakagawa,その他4名

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2008年5月 

圧縮歪みGeにおける正孔有効質量の正孔密度依存性に関する計算 重要な業績

有元圭介,国司侑吾,澤野憲太郎,佐藤優,當山清彦,岡本徹,宇佐美徳隆,中川清和,白木靖寛

第68回応用物理学会学術講演会  2007年9月 

Si(110)基板上に成長した傾斜組成SiGeのモフォロジーの成長温度依存性 重要な業績

渡邊正人,有元圭介,山中淳二,中川清和,宇佐美徳隆,中嶋一雄,澤野憲太郎,白木靖寛

第68回応用物理学会学術講演会  2007年9月 

Growth temperature dependence of the defect morphology in SiGe films grown on Si(110) substrates with step-graded buffer being employed 重要な業績

K. Arimoto,M. Watanabe,J. Yamanaka,K. Nakagawa,K. Sawano,Y. Shiraki,N. Usami,K. Nakajima

Fifth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5)  2007年5月 

Si(110)基板への傾斜組成SiGe 層のガスソースMBE成長 重要な業績

有元圭介,渡邊正人,山中淳二,中川清和,宇佐美徳隆,澤野憲太郎,白木靖寛

第54回応用物理学関係連合講演会  2007年3月 

Growth temperature dependence of the lattice structures of SiGe films grown on Si(110) substrates by gas source MBE 重要な業績

Keisuke Arimoto,Junji Yamanaka,Kiyokazu Nakagawa,Kentarou Sawano,Yasuhiro Shiraki,Noritaka Usami

The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2006)  2006年9月 

ガスソースMBE法により作製したSiGe/Si(110)における歪み緩和機構の成長温度依存性 重要な業績

有元圭介,山中淳二,中川清和,宇佐美徳隆,澤野憲太郎,白木靖寛

第53回応用物理学関係連合講演会  2006年3月 

SiO2上に形成した多結晶SiGe-TFTのリーク電流評価

三井 実,有元圭介,中川清和,宇佐美徳隆,澤野憲太郎,白木靖寛

第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

ラマン分光法によるSi(110)基板上の歪みSi薄膜の歪み率測定 重要な業績

有元圭介,池田周平,中川清和,澤野憲太郎,白木靖寛,宇佐美徳隆

第66回応用物理学会学術講演会  2005年9月 

Transport Properties of SPC-Poly SiGe Crystallized at 700C and GSMBE-Poly SiGe Grown at 600C

M. Mitsui,K. Arimoto,J. Yamanaka,K. Nakagawa,K. Sawano,N. Usami,Y. Shiraki

Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)  2005年5月 

Determination of Lattice Parameters of Strained-Si/SiGe Heterostructures Grown on Si(110) Substrates 重要な業績

Keisuke Arimoto,Junji Yamanaka,Kiyokazu Nakagawa,Kentarou Sawano,Yasuhiro Shiraki,Shinji Koh,Noritaka Usami

Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4)  2005年5月 

Si(110)基板上のSiGe薄膜の結晶構造解析（２） 重要な業績

有元圭介,山中淳二,中川清和,澤野憲太郎,白木靖寛,黄晋二,宇佐美徳隆

第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

Geを用いた新規低温ソースドレイン領域形成法

三井実,有元圭介,山中淳二,中川清和,澤野憲太郎,白木靖寛

第52回応用物理学関係連合講演会  2005年3月 

Elastic Strain Distribution in Narrow Strained Si Channels 重要な業績

Keisuke Arimoto,Daisuke Furukawa,Junji Yamanaka,Kiyokazu Nakagawa,Kentarou Sawano,Shinji Koh,Yasuhiro Shiraki,Noritaka Usami

Third International Workshop on New Group IV (Si-Ge-C) Semiconductors  2004年10月 

Si基板上に成長したノンドープ緩和SiGeの電気伝導特性

佐藤元樹,土屋勇介,有元圭介,中川清和,澤野憲太郎,黄晋二,白木靖寛

第65回応用物理学会学術講演会  2004年9月 

Changes in Elastic Deformation of Strained Si by Micro-Fabrication 重要な業績

Keisuke Arimoto,Daisuke Furukawa,Junji Yamanaka,Kiyokazu Nakagawa,Kentarou Sawano,Shinji Koh,Yasuhiro Shiraki,Noritaka Usami

Second International SiGe Technology and Device Meeting  2004年5月 

多結晶Si1-xGex薄膜の形成と電気伝導特性

三井実,加藤敦,有元圭介,山中淳二,中川清和,澤野憲太郎,黄晋二,白木靖寛

第51回応用物理学関係連合講演会  2004年3月 

Si(110)基板上のSiGe薄膜の結晶構造解析 重要な業績

有元圭介,阪本靖,布留川大輔,山中淳二,中川清和,澤野憲太郎,黄晋二,白木靖寛,宇佐美徳隆

第51回応用物理学関係連合講演会  2004年3月 

Transport Properties of Polycrystalline SiGe Thin Films Grown on SiO2

M. Mitsui,K. Arimoto,J. Yamanaka,K. Nakagawa,K. Sawano,Y. Shiraki

MRS Fall Meeting  2004年 

Si基板上に成長したi-SiGeの電気伝導特性

佐藤元樹,土屋勇介,有元圭介,中川清和,澤野憲太郎,黄晋二,白木靖寛

第64回応用物理学会学術講演会  2003年8月 

金属誘起固相成長法により作製した多結晶Si1-xGex薄膜デバイスの電気伝導特性

三井実,加藤敦,有元圭介,中川清和,澤野憲太郎,黄晋二,白木靖寛

第64回応用物理学会学術講演会  2003年8月 

SiGe緩和バッファー層の歪みゆらぎがヘテロ構造に及ぼす影響

澤野憲太郎,宇佐美徳隆,有元圭介,黄晋二,中川清和,白木靖寛

第64回応用物理学会学術講演会  2003年8月 

歪みSi MOSFETにおける電子移動度の素子サイズ依存性 重要な業績

有元圭介,阪本靖,布留川大輔,山中淳二,中川清和,澤野憲太郎,黄晋二,白木靖寛,宇佐美徳隆

第64回応用物理学会学術講演会  2003年8月 

空間分解ラマン分光法を用いた微細歪みSi素子の歪み緩和の検討 重要な業績

有元圭介,布留川大輔,中川清和,澤野憲太郎,黄晋二,白木靖寛,宇佐美徳隆

第50回応用物理学関係連合講演会  2003年 

空間分解ラマン分光法によるSiGe緩和バッファー層の歪み分布測定

澤野憲太郎,宇佐美徳隆,小澤優介,有元圭介,廣瀬佳久,黄晋二,中川清和,服部健雄,白木靖寛

第63回応用物理学会学術講演会  2002年 

Correlation between Electronic States and Optical Properties in Indirect GaAsP/GaP Quantum Wells with Insertion of Ultrathin AlP Layer

K. Arimoto,N. Usami,Y. Shiraki

The Ninth International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS9)  1999年7月 

Enhanced no-phonon transition in indirect GaAsP/GaP quantum wells with insertion of monolayer AlP

Y. Shiraki,K. Arimoto,N. Usami,T. Sugita

Japan – UK 10+10 Meeting; New Developments in Advanced Electronic and Optical Materials and Devices  1999年3月 

電子局在層を挿入したGaAsP/GaP量子井戸の発光特性 重要な業績

有元圭介,宇佐美徳隆,白木靖寛

第59回応用物理学会学術講演会  1998年 

Temperature Dependence of Photoluminescence of GaP1-xNx Alloys

H. Yaguchi,G. Biwa,S. Miyoshi,D. Aoki,K. Arimoto,K. Onabe,R. Ito

The Second International Conference on Nitride Semiconductors (Tokushima, Japan, October 1997)  1997年10月 

Temperature Dependence of Photoluminescence Intensities in GaP1-xNx Alloys

G. Biwa,H. Yaguchi,S. Miyoshi,D. Aoki,K. Arimoto,K. Onabe,Y. Shiraki,R. Ito

16th Electronic Materials Symposium (Minoo, Japan, July 1997)  1997年7月 

GaP1-xNx混晶におけるフォトルミネッセンス強度の温度依存性

琵琶剛志,矢口裕之,三吉靖郎,青木大一郎,有元圭介,尾鍋研太郎,白木靖寛,伊藤良一

第44回応用物理学関係連合講演会  1997年 

2013年度

記述済以外の発表総数：12  本人が第一発表者の数：2  本人が第一発表者以外の数：10

2012年度

記述済以外の発表総数：6  本人が第一発表者の数：0  本人が第一発表者以外の数：6

2011年度

記述済以外の発表総数：13  本人が第一発表者の数：0  本人が第一発表者以外の数：13

2010年度

記述済以外の発表総数：8  本人が第一発表者の数：0  本人が第一発表者以外の数：8

2009年度

記述済以外の発表総数：8  本人が第一発表者の数：0  本人が第一発表者以外の数：8

2008年度

記述済以外の発表総数：10  本人が第一発表者の数：0  本人が第一発表者以外の数：10

2007年度

記述済以外の発表総数：19  本人が第一発表者の数：0  本人が第一発表者以外の数：19

2006年度

記述済以外の発表総数：15  本人が第一発表者の数：0  本人が第一発表者以外の数：15

2005年度

記述済以外の発表総数：2  本人が第一発表者の数：0  本人が第一発表者以外の数：2

2004年度

記述済以外の発表総数：8  本人が第一発表者の数：0  本人が第一発表者以外の数：8

シリコン・カーボン混晶薄膜の電気伝導特性に関する研究

東北大学金属材料研究所

2010年04月01日 - 2011年03月31日  代表

シリコン・カーボン混晶の熱的安定性への格子歪みの影響

東北大学金属材料研究所

2009年04月01日 - 2010年03月31日  代表

非晶質基板上への多結晶Siの形成における核形成制御

東北大学金属材料研究所

2008年04月21日 - 2009年03月31日  代表

プリント基板自体をプラズマ電極とする基板表面処理技術の開発

富士吉田商工会議所

2007年04月01日 - 2008年03月31日  分担

エピタキシャル成長層の結晶学的構造と電気特性の評価

日立国際電気

2007年04月01日 - 2008年03月31日  分担

V溝基板上への歪みSiGe/Siへテロ構造の形成による電気伝導度の向上とそのメカニズム解明

東北大学金属材料研究所

2007年04月01日 - 2008年03月31日  代表

Si(110)基板上に成膜した歪みSi/SiGeの歪み緩和メカニズムの解明

東北大学金属材料研究所

2006年04月01日 - 2007年03月31日  代表

エピタキシャル成長層の結晶学的構造と電気特性の評価

日立国際電気

2006年04月01日 - 2007年03月31日  分担

マルチプラズマ放電による縦型大面積基板表面処理装置の開発

富士吉田商工会議所

2005年04月01日 - 2007年03月31日  分担

(110)面基板上Si/Ge薄膜の歪み解析

東北大学金属材料研究所

2005年04月01日 - 2006年03月31日  代表

エピタキシャル成長層の結晶学的構造と電気特性の評価

株式会社日立国際電気

2005年04月01日 - 2006年03月31日  分担

エピタキシャル成長層の結晶学的構造と電気特性の評価

株式会社日立国際電気

2004年04月01日 - 2005年03月31日  分担

ワインと宝石 重要な業績

2023年度  科目区分：共通教育（学部）

応用工学実験II 重要な業績

2017年度  科目区分：専門教育（学部）

応用工学実験I

2017年度  科目区分：専門教育（学部）

応用工学実験I

2016年度  科目区分：専門教育（学部）

応用工学実験II 重要な業績

2016年度  科目区分：専門教育（学部）

物理学実験（電気電子システム工学科Sクラス） 重要な業績

2009年度  科目区分：専門教育（学部）

物理学実験（電気電子システム工学科Eクラス） 重要な業績

2009年度  科目区分：専門教育（学部）