Updated on 2024/06/30

写真a

 
Sato Tetsuya
 
Organization
Graduate Faculty of Interdisciplinary Research Faculty of Engineering Materials Science (Science for Advanced Materials) Associate Professor
Title
Associate Professor
Contact information
メールアドレス
Homepage
http://www.szr.yamanashi.ac.jp/research/intro_lab/intro_tsato_lab

Research History

  • Niigata University

    2022.4 - 2023.3

  • Niigata University   理学部   非常勤講師

    2018.4 - 2019.3

  • University of Yamanashi

    2012.4

  • 山梨県富士工業技術センター   客員研究員

    2007.4 - 2008.3

    　 More details

    Notes：平成19年4月1日～平成20年3月31日

  • University of Yamanashi   クリーンエネルギー研究センター   助教授

    2001.7 - 2012.3

  • University of Yamanashi   工学部   助手

    1993.4 - 2001.6

  • 日本学術振興会　   特別研究員

    1991.4 - 1993.3

▼display all

Education

  • Tokyo University of Agriculture and Technology

    1990.4 - 1993.3

    　 More details

    Country： Japan

    Course： Doctor later

  • Tokyo University of Agriculture and Technology

    1988.4 - 1990.3

    　 More details

    Country： Japan

    Course： Master course

  • Tokyo University of Agriculture and Technology

    1984.4 - 1988.3

    　 More details

    Country： Japan

Degree

  • Photodissociation Dynamics of Triatomic Molecules Studied by Laser and Mass Spectroscopic Techniques ( 1993.3   Tokyo University of Agriculture and Technology )

Current state of research and teaching activities

  • 水素原子の波の性質や電子のエネルギーを利用した化学反応を利用して、非晶質カーボンやＦ含有ＤＬＣ、金属酸化物など、低温下で薄膜形成/エッチングする技術を開発しました。半導体製造工程における課題解決のために、物理化学的なアプローチを中心に基礎研究を行っています。

Research Areas

  • Energy Engineering / Applied plasma science  / semiconductor

  • Nanotechnology/Materials / Thin film/surface and interfacial physical properties  / Thin film/Surface and interfacial physical properties

  • Nanotechnology/Materials / Fundamental physical chemistry  / Low-Temperature Chemistry

  • Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Chemical reaction and process system engineering  / Reaction engineering/Process system

  • Natural Science / Semiconductors, optical properties of condensed matter and atomic physics  / Atomic/Molecular/Quantum electronics

  • Nanotechnology/Materials / Green sustainable chemistry and environmental chemistry  / Green/Environmental chemistry

  • Nanotechnology/Materials / Composite materials and interfaces  / Composite materials/Surface and interface engineering

▼display all

Research Interests

  • Cryochemistry

  • Thin Film

  • atoms and molecules

  • Secondary Ion Mass Spectrometry

  • Plasma Chemistry

  • Tunneling Reaction

Subject of research

  • Development of low temperature decomposition and immobilization technology of greenhouse gas and surface treatment application

    　More details

    2007.04.01

  • Study on low temperature synthesis of thin films by electronic excitation of the surface

    　More details

    2003.04.01

  • Thin film Sience for Synthesis of Smiconductors

    　More details

    1999.09.01

  • Studies on the Collisions of Low-Energy Ion with van der Waals Thin Films

    　More details

    1994.04.01

  • 水素原子の関与する極低温トンネル反応の解明と星間物質の化学進化に関する研究

    　More details

    1993.04.01

Proposed theme of joint or funded research

  • ドライプロセスによる薄膜合成・低温エッチング、表面改質、温室効果ガスの分解・固定化

    　More details

    Possible form of cooperation：Technical Consultation,　Funded Research,　Cooperative Research Type of joint or funded research proposed：Wish to undertake joint research with industry and other organizations including private sector.

Research Projects

  • フルオロカーボン凝縮層の電子励起によるPTFE低温形成と表面処理応用  Major achievement

    Grant number：23K04394  2023.4 - 2026.3

    日本学術振興会  科学研究費助成事業（学術研究助成基金助成金）  基盤研究(C)（一般）

    佐藤　哲也

    　 More details

    Authorship：Principal investigator  Grant type：Competitive  Type of fund：：Science research expense

    地球温室効果ガスの削減対象であるフルオロカーボンを有効利用し、凝縮（分子氷）する低温において、PTFE（ポリテトラフルオロエチレン）薄膜の新規合成プロセス技術を開発する。これまで得られたフッ素含有非晶質カーボン(a-C:F)の組成/構造制御の知見を基に無機・有機基材表面に優れた密着性と熱的安定性を実現し、繊維、有機フィルム、金属、絶縁体等、種々の素材表面を極薄膜で被覆するための低温プロセス技術を開発する。これを、繊維・和紙の超撥水性、射出成型用金型表面の離型性、半導体製造工程におけるエッチング耐久性、等の改善に応用し、新規表面改質法の有効性を検証する。

  • フルオロカーボン凝縮層のプラズマ励起によるフッ素樹脂薄膜の低温合成

    2017.4 - 2020.3

    独立行政法人日本学術振興会  基盤研究（Ｃ）（一般）  科学研究費補助金

    佐藤　哲也

    　 More details

    Authorship：Principal investigator  Type of fund：：Science research expense

    フッ素含有温室効果ガスを用いて、室温以下の低温下でフッ素樹脂薄膜に変換（リサイクル）するプロセス技術を開発する。

  • 凝縮ガスのプラズマ励起によるナノ構造制御カーボン系薄膜の低温合成に関する研究

    2014.4 - 2017.3

    　 More details

    Authorship：Principal investigator  Type of fund：：Science research expense

  • 極低温トンネル反応と低速電子線誘起反応を利用した炭素薄膜の合成

    2009.4 - 2012.3

    　 More details

    Authorship：Principal investigator  Type of fund：：Science research expense

  • シリコン半導体薄膜およびナノ構造材料の極低温合成に関する基礎的研究

    2006.4 - 2009.3

    　 More details

    Authorship：Principal investigator  Type of fund：：Science research expense

  • 低速イオンとファンデルワールス薄膜固体の衝突反応に関する基礎的研究

    1997.7 - 1999.3

    　 More details

    Authorship：Principal investigator  Type of fund：：Science research expense

▼display all

Papers

  • Adsorption Characteristics of Vanadium Ion on Wool, and Photothermal Conversion and Heat Transfer of Vanadium-Treated Wool Depending on Humidity Reviewed

    Yoshinobu Uegaki, Kohei Miyazawa, Tetsuya Sato, Yuichiro Shiozawa, Hidekazu Yasunaga

    Journal of Fiber Science and Technology   78 ( 3 )   48 - 58   2022.3( ISSN：2189-7654  eISSN：2189-7654 )

    　More details

    Language：English   Publishing type：Research paper (scientific journal)   Publisher：一般社団法人 繊維学会  

    DOI： 10.2115/fiberst.2022-0006

  • The application of vanadium mordanting Method to modified cellulose fibers Reviewed

    　   58 ( 5 )   412 - 419   2017.5

    　More details

    Language：Japanese   Publishing type：Research paper (scientific journal)  

  • Selective Heating of Transition Metal Usings Hydrogen Plasma and Its Application to Formation of Nickel Silicide Electrodes for Silicon Ultralarge-Scale Integration Devices Reviewed

    Tetsuji Arai

    Journal of Materials Science and Chemical Engineering   4   29 - 33   2016.1

    　More details

    Language：English   Publishing type：Research paper (scientific journal)  

    DOI： 10.4236/msce.2016.41006

  • Role of low-energy ion irradiation in the formation of an aluminum germanate layer on a germanium substrate by radical-enhanced atomic layer deposition Reviewed Major achievement

    Yukio Fukuda, Daichi Yamada, Tomoya Yokohira, Kosei Yanachi, Chiaya Yamamoto, Byeonghak Yoo, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, Toshiki Takamatsu, and Hiroshi Okamoto

    JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   34 ( 2 )   2015.9( ISSN：0734-2101  eISSN：1520-8559 )

    　More details

    Language：English   Publishing type：Research paper (scientific journal)   Publisher：AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing  

    Radical-enhanced atomic layer deposition uses oxygen radicals generated by a remote microwave-induced plasma as an oxidant to change the surface reactions of the alternately supplied trimethylaluminum precursor and oxygen radicals on a Ge substrate, which leads to the spontaneous formation of an aluminum germanate layer. In this paper, the effects that low-energy ions, supplied from a remote microwave plasma to the substrate along with the oxygen radicals, have on the surface reactions were studied. From a comparative study of aluminum oxide deposition under controlled ion flux irradiation on the deposition surface, it was found that the ions enhance the formation of the aluminum germanate layer. The plasma potential measured at the substrate position by the Langmuir probe method was 5.4V. Assuming that the kinetic energy of ions arriving at the substrate surface is comparable to that gained by this plasma potential, such ions have sufficient energy to induce exchange reactions of surface-adsorbed Al atoms with the underlying Ge atoms without causing significant damage to the substrate. This ion-induced exchange reaction between Al and Ge atoms is inferred to be the background kinetics of the aluminum germanate formation by radical-enhanced atomic layer deposition. (C) 2015 American Vacuum Society.

    DOI： 10.1116/1.4932039

    Web of Science

  • Green Dyeing of Wool Fibers Using Vanadium Reviewed Major achievement

    The Japan Research Association for Textile End-Uses   56 ( 5 )   73 - 78   2015.5

    　More details

    Language：Japanese  

  • Optimal staining conditions of vanadium mordant in dyeing using sumac gallnut of plant dye Reviewed

    Journal of the Japan Research Associoation for Textile End-Uses   55 ( 4 )   270 - 275   2014.4

    　More details

    Language：Japanese  

  • Spontaneous formation of aluminum germanate on Ge(100) by atomic layer deposition with trimethylaluminum and microwave-generated atomic oxygen. Reviewed Major achievement

    Yukio Fukuda, Hiroki Ishizaki, Yohei Otani, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, Toshiyuki Takamatsu, Hiroshi Okamoto, and Hidehumi Narita

    APPLIED PHYSICS LETTERS   102 ( 13 )   132904-1 - 132904-4   2013.4( ISSN：0003-6951  eISSN：1077-3118 )

    　More details

    Language：English   Publishing type：Research paper (scientific journal)   Publisher：API Publishing LLC  

    The application of microwave-generated atomic oxygen as an oxidant is found to change the manner of atomic layer deposition (ALD) of an Al2O3 layer on a Ge substrate, leading to the spontaneous formation of aluminum germanate with a deposition rate higher than that of conventional ALD with water oxidant. Electrical characterization of the Al/aluminum germanate (11 nm)/p-Ge(100) structure indicates that both the bulk and the interface properties of the aluminum germanate are promising with small capacitance-voltage hysteresis of less than 20 mV and interface trap densities ranging from 2 x 10(11) to 6 x 10(11) cm(-2) eV(-1) in the upper half of the Ge band gap. (C) 2013 AIP Publishing LLC. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4801471]

    DOI： 10.1063/1.4801471

    Web of Science

  • The Use of Vanadium for Dyeing Technology Reviewed

    The Society of Fiber Science and Technology, Japan   69 ( 3 )   55 - 59   2013.3

    　More details

    Language：Japanese  

  • Effects of postdeposition annealing ambient on hysteresis in an Al2O3/GeO2 gate-dielectric stack on Ge Reviewed Major achievement

    J. App. Phys   110   26108   2011.6

    　More details

    Language：English  

  • Formation of Al2O3 Film on Si Substrate by Microwave Generated Remote Plasma Assisted Atomic Layer Deposition Technique Reviewed Major achievement

    H. Ishizaki,M. Iiida,Y. Otani,Y. Fukuda,T. Sato,T. Takamatsu,T.Ono

    ECS Trans.   33 ( 6 )   227 - 233   2010.10( ISSN：1938-5862 )

    　More details

    Language：English   Publishing type：Research paper (scientific journal)   Publisher：ELECTROCHEMICAL SOC INC  

    Al2O3 films were grown on Si substrates by microwave generated remote plasma assisted atomic layer deposition technique (PA-ALD). The thickness of the Al2O3 films would be controlled by using the ALD cycles. For the X-ray photoelectron spectroscopy results of Al(2)O3 film, carbon compounds didn't exist into Al2O3 film. The Au/ Al2O3/ Si/ Au MOS capacitor obtained at 41 ALD cycles had small hysteresis and the interface trap density of 4.5x10(10)cm(-2)eV(-1).

    DOI： 10.1149/1.3487553

    Web of Science

  • メタン凝縮層からの炭素薄膜極低温合成　（DLC特集） Major achievement

    佐藤哲也,伊東佑将,森田直樹,井草裕志,小林憲明,中川清和,佐藤昇司

    New Diamond   96 ( 1 )   29 - 32   2010.1

    　More details

    Language：Japanese  

  • Low-Temperature Formation of High-Quality GeO2 Interlayer for High-κ Gate Dielectrics by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Techniques. Reviewed Major achievement

    IEEE Trans. Electron Devices   57 ( 1 )   282 - 287   2010.1

    　More details

    Language：English  

  • Synthesis of Amorphous Germane by Tunneling Reactions of Hydrogen Atoms with van der Waals GeH4 Films at Cryogenic Temperatures Reviewed Major achievement

    Norihito Sogoshi,Shoji Sato,Hideaki Takashima,Tetsuya Sato,Kenzo Hiraoka

    Jpn. J. of Appl. Phys.   48   115506-1 - 115506-6   2009.11

    　More details

    Language：English   Publishing type：Research paper (scientific journal)  

    DOI： 10.1143/JJAP.48.115506

  • Synthesis of Polysilanes by Tunneling Reactions of H Atoms with Solid Si2H6 at 10K Reviewed Major achievement

    Norihito Sogoshi,Shoji Sato,Hideaki Takashima,Tetsuya Sato,Kenzo Hiraoka

    Chemistry Letters   38 ( 10 )   986 - 987   2009.10

    　More details

    Language：English   Publishing type：Research paper (scientific journal)  

  • Microstructure difference of Ni induced poly-crystallized SiGe by changing the annealing atmosphere Reviewed Major achievement

    Thin Solid Films   517   232 - 234   2008.11

    　More details

    Language：Japanese   Publishing type：Research paper (scientific journal)  

  • Characterizations of Polycrystalline SiGe Films on SiO2 Grown by Gas-Source Molecular Beam Deposition Reviewed Major achievement

    Thin Solid Films   517   254 - 256   2008.11

    　More details

    Language：English  

  • Effects of Electron-Cyclotron-Resonance Oxygen Plasma Irradiation on Properties of Insulator/Ge-Semiconductor Interfaces Prior to Germanium Nitride Formation Reviewed Major achievement

    Japanese Journal of Applied Physics   47   7553 - 7555   2008.9

    　More details

    Language：English  

  • Formation of microcrystalline Silicon and SiNx filmsby electron- beam-induced-chemical vapor deposition at ultra low temperature Reviewed Major achievement

    T.Sato, M. Mitsui, J. Yamanak, K. Nakagawa, Y. oki, S. Shouji, C. Miyata

    Thin Solid films   508 ( 1-2 )   61 - 64   2006.6( ISSN：0040-6090 )

    　More details

    Authorship：Lead author   Language：English   Publishing type：Research paper (scientific journal)   Publisher：ELSEVIER SCIENCE SA  

    We synthesized silicon films (hydrogenated microcrystalline silicon in hydrogenated amorphous silicon) and silicon nitride films by electron-beam-induced-chemical vapor deposition combined with low-temperature H tunneling reactions on cooled substrates, which adsorb source gases (SiH4 or Si2H6). The photoconductivity of the silicon film was 0.7 x 10(-5) Omega(-1) cm(-1) and the dark conductivity was 3.3 x 10(-5) Omega(-1) cm(-1). The dielectric constant of the silicon nitride film was estimated to be 6.5-7.0. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

    DOI： 10.1016/j.tsf.2005.07.333

    Web of Science

  • Synthesis of Microcrystalline Silicon Films by Low-Energy Electron- Beam- Induced Deposition at Cryogenic Temperature Reviewed Major achievement

    T. Sato, K.Nakagawa, Y. Aoki, S.Sato

    Material Research Society Symposium Proc. 832, F10.19. (Boston)   832   F10.1   2004.12

    　More details

    Authorship：Lead author,　Corresponding author   Language：English   Publishing type：Research paper (international conference proceedings)  

  • 8KにおけるAr、Kr、およびXe薄膜の400eV　He+イオン衝撃による二次イオンのTOF解析 Reviewed Major achievement

    渡辺誠,江口大介,佐藤哲也,平岡賢三

    J. Mass Spectrom. Soc. Jpn.   50   350 - 352   2002.11

    　More details

    Language：Japanese   Publishing type：Research paper (scientific journal)  

  • Secondary ions produced by 400eV He+ ion impact on solid films composed of binary mixtures of Ar/Xe, Ar/N2, and Ar/O2 at 7K Reviewed

    Int. J. Mass Spectrom   218   173 - 180   2002.11

    　More details

    Language：English  

  • Study on the tunneling reaction of H atoms with a solid thin film of C3H6 at 10K Reviewed Major achievement

    K.Hiraoka,T.Sato,S.Sato,T.Takayama,T.Yokoyama,N.Sogoshi,S.Kitagawa

    J. Phys. Chem. B   106 ( 19 )   497s4 - 4978   2002.10( ISSN：1520-6106 )

    　More details

    Language：English   Publishing type：Research paper (scientific journal)   Publisher：AMER CHEMICAL SOC  

    The reaction of the solid thin film of propene (C3H6) deposited on the silicon substrate at 10 K with cold H atoms (similar to27 K) sprayed over the solid films was studied. Propane and 2-methylpentane were found to be the major and minor reaction products, respectively. The rate for the formation of C3H8 increased steeply with a decrease of temperature from 35 to 10 K. This is the general trend for the low-temperature tunneling reactions investigated in our laboratory. With an increase of temperature from 40 to 55 K, the yield of C3H8 showed a slow increase. This may be due to the replenishment of the reactant C3H6 molecules to the surface above similar to40 K (i.e., solid-phase diffusion). The yield of C3H8 from C3H6 was lower than that of C2H6 from C2H4. This may be due either to the hindrance of the proximity approach of the H atom to the C3H6 double bond by the presence of the methyl group and/or to the annihilation of the H atoms by the H-atom abstraction reaction with the reaction product C3H8 to form the s-C3H7 radical on the surface of the solid film.

    DOI： 10.1021/jp0137928

    Web of Science

  • Secondary ions produced by 400eV He+ ion impact on N2 and O2 thin films at 8 K Reviewed Major achievement

    J. Chem. Phys.   117   6252 - 6258   2002.10

    　More details

    Language：English  

  • Formation of formaldehyde by the tunneling reaction of H with solid CO at 10 K revisited Reviewed Major achievement

    Astrophys. J.   577   265 - 270   2002.9

    　More details

    Language：English  

  • Time-of-flight studies of secondary ions produced by 400 eV He+ ion impact on Ar, Kr, and Xe thin films at 8 K Reviewed

    Rapid Commun. Mass Spectrom.   16   1016 - 1022   2002.5

    　More details

    Language：English  

  • 400eVのHe+イオンによる8Kの窒素膜および酸素膜からの二次イオン生成 Reviewed

    渡辺誠,佐藤哲也,平岡賢三,森邦彦

    J. Mass Sopectrom. Soc. Jpn   50   72 - 74   2002.4

    　More details

    Language：Japanese  

  • Formation of Amorphous Silicon by the Low-Temperature Tunneling Reaction of H Atoms with Solid Thin Film of SiH4 at 10K (共著) Reviewed Major achievement

    Physical Chemistry   105 ( 29 )   6950 - 6955   2001.9

    　More details

    Language：English  

  • Tunneling Reactions in Interstellar Ices Reviewed Major achievement

    Science   292 ( 4 )   869 - 870   2001.9

    　More details

    Language：English  

  • 星間物質の分析 Invited Reviewed Major achievement

    佐藤哲也

    ぶんせき   2   83 - 88   2001.2

    　More details

    Authorship：Lead author,　Last author,　Corresponding author   Language：Japanese   Publishing type：(MISC) Introduction and explanation (scientific journal)  

  • Study of the Reactions of H and D Atoms with Solid C2H2, C2H4, and C2H6 at Cryogenic Temperatures Reviewed Major achievement

    Astrophysical Journal   532   1029 - 1037   2000.5

    　More details

    Language：English  

  • Secondary Ions Produced by Low-energy Impact of He+ and Ne+ ions onvan der Waals Thin Films Reviewed Major achievement

    Rapid Communications in Mass Spectrometry   11   1139 - 1143   1997.7

    　More details

    Language：English  

  • Explosive Vaporization of a liquid Water Beam by Irradiation with a 10.6um Infrared Laser Reviewed Major achievement

    Rapid Communication in Mass Spectrometry   11   474 - 478   1997.6

    　More details

    Language：English  

▼display all

Books and Other Publications

Presentations

  • Cryo-etching of SiN by electronic excitation of NF3 and SF6 condensed layers Major achievement

    2024.3 

    　More details

    Event date： 2024.3

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

  • NEXAFS analysis of amorphous carbon thin films synthesized at cryogenic temperature Major achievement

    2024.3 

    　More details

    Event date： 2024.3

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

    Country：Japan  

  • Characteristics of thin films deposited on Ge substrates at ultra low temperatures

    OTANI Yohei, SATO Tetsuya, SAKURABA Masao, MUROTA Junichi

    2024.2 

    　More details

    Event date： 2024.2

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

    Country：Japan  

  • p型Ge基板上に低温堆積したAl2O3薄膜の電気特性 Major achievement

    横平 達哉、山田 大地、大川 敦輝、佐藤 哲也、王谷 洋平

    2023年第70回応用物理学会春季学術講演会  2023.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2023.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：上智大学  

  • フルオロカーボン凝縮層への低速電子線照射によるPTFE/a-C:F薄膜成長機構の解明 Major achievement

    秋山恒樹, 三谷隼弘, 佐藤哲也, 塩澤佑一朗, 上垣良信

    2023年第70回応用物理学会春季学術講演会  2023.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2023.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：上智大学  

  • I-V characteristics of amorphous carbon thin films deposited on p-type Ge Substrates at low temperature.

    2022.12 

    　More details

    Event date： 2022.12

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

  • 大学の発達障害学生支援における具体的方策と連携の検討

    山本和美、小畑文也、佐藤哲也、古野素子、小牧舞

    日本キャリア・カウンセリング学会　第27回大会 ーカウンセリング再考ー  2022.11  日本キャリア・カウンセリング学会　

    　More details

    Event date： 2022.11

    Language：Japanese   Presentation type：Symposium workshop panel(public)  

    Venue：AP市ヶ谷（ｵﾝﾗｲﾝ）  

  • c-C4F8/Si(CH3)4混合凝縮層の電子照射による a-SiC:Fの低温合成

    戸田 俊太郎、佐藤 哲也

    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会  2022.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2022.3

    Language：Japanese  

    Venue：Zoomオンライン  

  • c-C4F8凝縮層への低速電子照射により銅基板上に低温形成した a-C:Fの物性評価 Major achievement

    秋山 恒樹、佐藤 哲也

    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会  2022.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2022.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：Zoomオンライン  

  • c-C4F8/Si(CH3)4混合凝縮層の電子照射による a-SiC:Fの低温合成

    戸田 俊太郎, 佐藤 哲也

    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会  2022.3  応用物理学会

    　More details

    Language：Japanese  

    Venue：Zoomオンライン  

  • c-C4F8凝縮層への低速電子照射により銅基板上に低温形成した a-C:Fの物性評価

    秋山 恒樹, 佐藤 哲也

    2022年第69回応用物理学会春季学術講演会  2022.3  応用物理学会

    　More details

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：Zoomオンライン  

  • Fabrication and Characterization of Ge-based MIS structures International conference

    Yohei Otani, Daich Yamada, Hiroshi Okamoto, Toshiro Ono, Tetsuya Sato, Junji Yamanaka and Yukio Fukuda

    240th ECS Meeting  2021.10 

    　More details

    Event date： 2021.10

    Language：English   Presentation type：Oral presentation(invited, special)  

  • Fabrication and Characterization of Ge-based MIS structures International conference

    Yohei Otani, Daich Yamada, Hiroshi Okamoto, Toshiro Ono, Tetsuya Sato, Junji Yamanaka, Yukio Fukuda

    240th ECS Meeting  2021.10  The Electrochemical Society

    　More details

    Language：English   Presentation type：Oral presentation(invited, special)  

    Venue：オンライン  

  • Al(CH3)3凝縮層の酸素プラズマ照射によるAl2O3低温形成と物性評価 Major achievement

    大川 敦輝、山田 大地、王谷 洋平、佐藤 哲也

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2021.3

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

    Venue：オンライン  

    クライオ温度領域(70～190K)においてトリメチルアルミニウム(TMA)をSi基板上に真空蒸着し、希ガスと酸素混合ガスの放電により生起した電子や活性種（He,Ar*, Oラジカル)を照射することによりAl₂O₃薄膜を合成し、薄膜の物性を評価した。

  • Al(CH3)3凝縮層の酸素プラズマ照射によるAl2O3低温形成と物性評価

    大川 敦輝, 山田 大地, 王谷 洋平, 佐藤 哲也

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021.3  応用物理学会

    　More details

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

    Venue：オンライン  

    クライオ温度領域(70～190K)においてトリメチルアルミニウム(TMA)をSi基板上に真空蒸着し、希ガスと酸素混合ガスの放電により生起した電子や活性種（He,Ar*, Oラジカル)を照射することによりAl₂O₃薄膜を合成し、薄膜の物性を評価した。

  • 低温プラズマを用いた a C:H 薄膜の欠陥抑 制 Invited

    佐藤　哲也

    第34回新領域研究会  2020.10  応用物理学会プラズマエレクトロのクス分科会

    　More details

    Event date： 2020.10

    Language：Japanese   Presentation type：Public discourse, seminar, tutorial, course, lecture and others  

    Venue：オンライン  

    半導体プロセスに用いられているプラズマでは、イオン流入やラジカルの表面反応により欠陥が生成する。プラズマプロセスにおける欠陥抑制は電子温度制御とともに長年の課題である。近年の計測やモデリング研究の進展に伴い生成機構の理解が進むとともに、欠陥の活用についても検討され始めている。本研究では、以下２点の問いを中心に欠陥生成に関する新生面を掘り下げる。

  • Synthesis of Super-hydrophobic PTFE Thin Films Using Electronic Excitation of c-C4F8 Condensed Gas International conference Major achievement

    Toshihiro Mitani , Tetsuya Sato

    The 16th Pacific Polymer Conference  2019.12  Pacific Polymer Federation

    　More details

    Event date： 2019.12

    Language：English   Presentation type：Poster presentation  

    Venue：Singapore  

  • Synthesis of Super-hydrophobic PTFE Thin Films Using Electronic Excitation of c-C4F8 Condensed Gas International conference

    Toshihiro Mitani, Tetsuya Sato

    The 16th Pacific Polymer Conference  2019.12  Pacific Polymer Federation

    　More details

    Language：English   Presentation type：Poster presentation  

    Venue：Singapore  

  • Low temperature synthesis of Al 2 O 3 thin films by low energy electron and oxygen radical irradiation on Al (CH 3 ) 3 condensed layer. Major achievement

    Atsuki Okawa, Daichi Yamada , Yohei Otani, Tetsuya Sato

    The 80th JSAP Autumn Meeting 2019  2019.9  The Japan Society of Applied Physics

    　More details

    Event date： 2019.9

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

  • Low temperature synthesis of Al 2 O 3 thin films by low energy electron and oxygen radical irradiation on Al (CH 3 ) 3 condensed layer.

    Atsuki Okawa, Daichi Yamada, Yohei Otani, Tetsuya Sato

    The 80th JSAP Autumn Meeting 2019  2019.9  The Japan Society of Applied Physics

    　More details

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

    Venue：北海道大学  

  • Study on teaching method of grape dye-sensitized solar cell. Major achievement

    Ruka Yoneyama, Tetsuya Sato

    The 66th JSAP Spring Meeting 2019  2019.3 

    　More details

    Event date： 2019.3

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

  • Cryo-etching of silicon oxide film by low-energy electron irradiation on generated by DC discharge on NF3 condensation layer formed on SiO2 substrate. Major achievement

    Hitoshi Kumagai, Tetsuya Sato

    The 66th JSAP Spring Meeting 2019  2019.3 

    　More details

    Event date： 2019.3

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

  • Low Temperature Synthesis and Property Evaluation of a-C:F Thin Films Fabricated by Electronic Excitation of c-C4F8/SiF4 Mixed Condensed Layer. Major achievement

    Toshihiro Mitani, Tetsuya Sato, Yuichiro Shiozawa, Yoshinobu Uegaki

    The 66th JSAP Spring Meeting 2019  2019.3 

    　More details

    Event date： 2019.3

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

  • Low Temperature Synthesis and Property Evaluation of a-C:F Thin Films Fabricated by Electronic Excitation of c-C4F8/SiF4 Mixed Condensed Layer.

    Toshihiro Mitani, Tetsuya Sato, Yuichiro Shiozawa, Yoshinobu Uegaki

    The 66th JSAP Spring Meeting 2019  2019.3  応用物理学会

    　More details

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

    Venue：東京工業大学・大岡山キャンパス  

  • Study on teaching method of grape dye-sensitized solar cell.

    Ruka Yoneyama, Tetsuya Sato

    The 66th JSAP Spring Meeting 2019  2019.3  応用物理学会

    　More details

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

    Venue：東京工業大学・大岡山キャンパス  

  • Cryo-etching of silicon oxide film by low-energy electron irradiation on generated by DC discharge on NF3 condensation layer formed on SiO2 substrate.

    Hitoshi Kumagai, Tetsuya Sato

    The 66th JSAP Spring Meeting 2019  2019.3  応用物理学会

    　More details

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

    Venue：東京工業大学・大岡山キャンパス  

  • Nano structure control and TEM observation of glassy carbon thin films synthesized at low temperature using low energy electron beam induced deposition method. Major achievement

    Yuki Akaike, Tetsuya Sato, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka

    The 66th JSAP Spring Meeting 2019  2019.3 

    　More details

    Event date： 2019.3

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

  • Nano structure control and TEM observation of glassy carbon thin films synthesized at low temperature using low energy electron beam induced deposition method.

    Yuki Akaike, Tetsuya Sato, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka

    The 66th JSAP Spring Meeting 2019  2019.3  応用物理学会

    　More details

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

    Venue：東京工業大学・大岡山キャンパス  

  • The formation of super water-repellent tree-formed a-C:F by the electronic excitation of the c-C4F8 condensation gas Major achievement

    Toshihiro Mitani, Yoshinobu Uegaki, Tetsuya Sato

    2018.3 

    　More details

    Event date： 2018.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

  • The formation of super water-repellent tree-formed a-C:F by the electronic excitation of the c-C4F8 condensation gas

    Toshihiro Mitani, Yoshinobu Uegaki, Tetsuya Sato

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018.3  応用物理学会

    　More details

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：早稲田大学・西早稲田キャンパス  

  • Influence of oxygen radical irradiation on ALD-derived Al2O3 on p-Ge

    Y. Otani, D. Yamada, M. Sirakura, C. Yamamoto, J. Yamanaka, T. Sato, H. Okamoto, and Y. Fukuda

    2017.12 

    　More details

    Event date： 2017.12

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

  • Formation of Al and Hf germanates as interlayers between high-k dielectrics and Ge substrates by radical-enhanced atomic layer deposition International conference Major achievement

    Daichi Yamada, Yohei Otani, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka,Tetsuya Sato, Hiroshi Okamoto, and Yukio Fukuda

    EM-NANO2017 The 6th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies  2017.6 

    　More details

    Event date： 2017.6

    Language：English   Presentation type：Oral presentation(general)  

  • The research of learning teaching materials of electrostatic charge using Van de Graaff

    2017.3 

    　More details

    Event date： 2017.3

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

  • The research of learning teaching materials of electrostatic charge using Van de Graaff

    三谷 隼弘, 佐藤 哲也

    第64回応用物理学会 春季学術講演会  2017.3  応用物理学会

    　More details

    Language：Japanese   Presentation type：Poster presentation  

    Venue：パシフィコ横浜  

  • フッ素化非晶質炭素薄膜の極低温合成および物性評価 Major achievement

    齋藤 登之,年森 隆明,小林 直樹,佐藤 哲也

    第76回応用物理学会秋季学術講演会  2016.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2016.3

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

    Venue：東工大、大岡山  

  • プラズマ支援原子層堆積法によるa-TiNX薄膜の極低温合成（Ⅱ） Major achievement

    柳 炳學,関 渓太,佐藤 哲也

    第６３回応用物理学会春季学術講演会  2016.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2016.3

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

    Venue：東工大、大岡山  

  • 極低温合成a-C:F膜のマイクロスクラッチ試験による密着性評価 Major achievement

    曽我 遥華,山井 孝太,森川 恭兵,佐藤 哲也,中川 清和

    第62回応用物理学会春季学術講演会  2015.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2015.3

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

    Venue：東海大学湘南キャンパス  

  • Characterization of Fluorinated Amorphous Carbon Films Fabricated by Low-energy Electron Beam Irradiation on Solid Thin Films Formed from PFC gas Condensed at Cryogenic Temperature Major achievement

    2014.3 

    　More details

    Event date： 2014.3

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

  • Characterization of a-C:Si:H Thin Films Fabricated by Low-energy Electron Beam Irradiation on Solid Thin Films formed from Hydrocarbon and Tetramethylsilane at Cryogenic Temperature Major achievement

    2014.3 

    　More details

    Event date： 2014.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

  • In situ formation of aluminum germanate interlayer for high-k/Ge metal-oxide-semiconductor structures by atomic layer deposition with trimethylaluminum and microwave-generated atomic oxygen Major achievement

    International Symposium on Sputtering & Plasma Process (12th ISSP)  2013.7 

    　More details

    Event date： 2013.7

    Language：English   Presentation type：Other  

  • Characterization of Fluorinated Amorphous Carbon Films Fabricated by Low-energy Electron Beam　Irradiation on c-C4F8 Solid Thin Films Condensed at Cryogenic Temperature. Major achievement

    2013.3 

    　More details

    Event date： 2013.3

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

  • Characterization of Carbon Thin Films Fabricated by Low-energy Electron Beam Irradiationon C2H2 Solid Films Condensed at Cryogenic Temperature Major achievement

    2013.3 

    　More details

    Event date： 2013.3

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

  • 水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱現象を利用した多結晶Si形成技術とデバイスへの応用

    中家大希,他9人

    第60回応用物理学会春季学術講演会　  2013.3  応用物理学会春

    　More details

    Event date： 2013.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(invited, special)  

    Venue：神奈川工科大学  

  • Characteristics of carbon thin films Fabricated by Low-energy Electron Beam Irradiation to C2H2 condensed layer at Cryogenic Temperature. Major achievement

    26th Diamond Symposium  2012.11 

    　More details

    Event date： 2012.11

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

  • Characterization of a-SiC:H Thin Films Fabricated by Low-energy Electron Beam Irradiation on Solid Thin Films of Tetramethylsilane at Cryogenic Temperature. Major achievement

    26th Diamond Symposium  2012.11 

    　More details

    Event date： 2012.11

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

  • Synthesis of Fluorinated Amorphous Carbon Films Fabricated by Low-energy Electron Beam Irradiation on Solid Thin Film of c-C4F8 at Cryogenic Temperature. Major achievement

    26th Diamond Symposium  2012.11 

    　More details

    Event date： 2012.11

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

  • Formation and characterization of electron-cyclotron-resonance plasma-derived germanium nitride for germanium-based CMOS applications.

    1st Annual World Congress of Advanced Materials -2012  2012.6 

    　More details

    Event date： 2012.6

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

  • 低速電子線誘起反応と低温トンネル反応によるa-SiCx:Hの極低温合成 Major achievement

    山田竜太郎,その他6名

    2012春季第59回応用物理学関係連合講演会  2012.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2012.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：早稲田大学　小白川キャンパス  

  • C3F8凝縮層の低速電子線衝撃によるa-C:F薄膜の極低温合成 Major achievement

    胡　雪冰，山田竜太郎，小林直樹，川上浩一，佐藤哲也

    2012春季第59回応用物理学関係連合講演会  2012.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2012.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：早稲田大学　小白川キャンパス  

  • 水素プラズマを用いた遷移金属加熱技術の開発(II)

    中村浩之,その他8名

    2012春季第59回応用物理学関係連合講演会  2012.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2012.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：早稲田大学　小白川キャンパス  

  • Unintentional Formation of HfSixOy on Si Substrate during Atomic Layer Deposition of HfO2 from Tetrakis(dimethlyamido) hafnium and Plasma-Generated Atomic Oxygen Major achievement

    2011 MRS fall meeting  2011.12 

    　More details

    Event date： 2011.12

    Language：English   Presentation type：Oral presentation(general)  

  • Low - temperature fabrication of TiO2 films combined with liquid phase deposition and microwave plasma heating Major achievement

    21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference  2011.11 

    　More details

    Event date： 2011.11

    Language：English   Presentation type：Other  

  • フルオロカーボン凝縮層の低速電子線照射によるa-C:Fの極低温合成 Major achievement

    胡　雪冰,その他5名

    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会  2011.9  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2011.9

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：山形大学　小白川キャンパス  

  • 水素プラズマを用いた加熱技術の開発

    中村浩之,その他7名

    2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会  2011.9  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2011.9

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：山形大学　小白川キャンパス  

  • Selective Heating Method for Poly-crystallization of Amorphous Si Using Hydrogen Microwave Plasma Major achievement

    International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2011), CGCT-5-Functional materials crystallization, characterization and devices  2011.6 

    　More details

    Event date： 2011.6

    Language：English   Presentation type：Other  

  • Crystallization of Amorphous TiO2 Thin Films using Microwave Plasma Heating Major achievement

    International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2011), CGCT-5-Functional materials crystallization, characterization and devices  2011.6 

    　More details

    Event date： 2011.6

    Language：English   Presentation type：Other  

  • 水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶ゲルマニウム形成技術

    荒井哲司,その他7人

    2011 年春季第58 回応用物理学関係連合講演会  2011.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2011.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：神奈川工科大  

  • RF スパッタ法によるGe 基板上へのSrTiO3 薄膜の作製

    王谷 洋平，福田 幸夫，佐藤 哲也

    2011 年春季第58 回応用物理学関係連合講演会  2011.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2011.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：神奈川工科大  

  • マイクロ波生成プラズマ支援ALD法によるSi基板上HfO2薄膜の形成

    飯田真正,その他7人

    2011 年春季第58 回応用物理学関係連合講演会  2011.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2011.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(invited, special)  

    Venue：神奈川工科大  

  • CF4凝縮層の低速電子線衝撃によるa-C:F薄膜の極低温合成 Major achievement

    胡　雪冰,鍋田貴大,土屋新平,森田直樹,佐藤哲也

    2010 年秋季第71回応用物理学会学術講演会  2010.9  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2010.9

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：長崎大学  

  • CH4/Ar固体薄膜への低速電子線衝撃：Arマトリックス単離赤外分光法による反応解析 Major achievement

    佐藤哲也,その他7人

    2010年秋季第71 回応用物理学会学術講演会  2010.9  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2010.9

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：長崎大学  

  • マイクロ波リモートプラズマを用いた原子堆積法によるSi基板上へのAl2O3薄膜の作製

    石崎博基,その他6人

    2010 年秋季第71 回応用物理学会学術講演会  2010.9  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2010.9

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：長崎大学  

  • 低速電子線誘起反応と低温トンネル反応により合成した炭素膜のＴＥＭ観察 Major achievement

    森田直樹,伊東佑将,渡辺　陵,荒井哲司,佐藤哲也,山本千綾,有元圭介,山中淳二,中川清和

    第57回応用物理学関係連合講演会  2010.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2010.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：東海大学　湘南キャンパス  

  • Effective passivation of Ge surface by high-quality GeO2 formed by Electron-Cyclotron-Resonance plasma oxidation for Ge-based electronic and photonic device applications

    5th International Workshop on New group IV Semiconductor Nanoelectronics  2010.1 

    　More details

    Event date： 2010.1

    Language：English   Presentation type：Oral presentation(invited, special)  

  • 低速電子線誘起反応と水素原子の低温トンネル反応による炭素薄膜の極低温合成 Major achievement

    佐藤哲也

    2009年度実用表面分析講演会（ＰＳＡ-09）  2009.11  表面分析研究会

    　More details

    Event date： 2009.11

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(invited, special)  

    Venue：山梨大学  

  • 液相析出法とマイクロ波放電プラズマ加熱法により合成した酸化チタンの表面分析

    本郷健太,荒井哲司,佐藤哲也,中川清和

    2009年度実用表面分析講演会（ＰＳＡ-09）  2009.11  表面分析研究会

    　More details

    Event date： 2009.11

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

    Venue：山梨大学  

  • 低速電子線誘起反応とトンネル反応により合成した炭素薄膜の表面分析

    森田直樹,伊東佑将,胡雪氷,土屋新平,渡辺陵,佐藤哲也,山本千綾,有元圭介,山中淳二,中川清和

    2009年度実用表面分析講演会（ＰＳＡ-09）  2009.11  表面分析研究会

    　More details

    Event date： 2009.11

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

    Venue：山梨大学  

  • 低速電子線誘起堆積法と水素原子の低温トンネル反応による炭素薄膜の極低温合成 Major achievement

    伊東佑将,胡　雪氷,土屋新平,森田直樹,荒井哲司,佐藤哲也,中川清和

    2009 年秋季第70 回応用物理学会学術講演会  2009.9  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2009.9

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：富山大学  

  • μ波プラズマ加熱による金属の選択加熱現象を利用した多結晶シリコン形成技術2

    荒井哲司,有泉　慧,池野祐喜,板山泰裕,有元圭介,山中淳二,佐藤哲也,他4人

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2009.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：筑波大学（茨城）  

  • マイクロ波プラズマ加熱による非晶質酸化チタン薄膜の結晶化 Major achievement

    佐藤哲也,過　皓晟,本郷健太,村松親雄,今村友一,他５名

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2009.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：筑波大学  

  • メタン凝縮層の低速電子線衝撃による炭素薄膜の極低温合成（II） Major achievement

    佐藤哲也,井草裕志,伊東佑将,小林憲明,荒井哲司,他２名

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2009.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：筑波大学  

  • 金属イオンによって変化するビオロゲン誘導体の光還元特性

    今村友一,桑原哲夫,佐藤哲也

    第56回有機合成化学協会関東支部シンポジウム  2008.11 

    　More details

    Event date： 2008.11

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

  • 分光エリプソ法によるSi3N4/GeNx/Ge構造の光学的評価

    福田幸夫，,王谷洋平，,佐藤哲也，,坂口明生，,小野俊郎

    2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会  2008.9  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2008.9

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：中部大学  

  • マイクロ波プラズマCVD法によるゲート酸化膜の形成 Major achievement

    平田真大,有元圭介,山中淳二,佐藤哲也,その他5人

    2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008.9  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2008.9

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：中部大学  

  • メタン凝縮層の低速電子線衝撃によるダイヤモンド状アモルファス炭素膜の極低温合成 Major achievement

    伊東佑将,その他５人

    2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会  2008.9  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2008.9

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：中部大学  

  • ECR酸素プラズマ照射がGeNx/Ge界面特性に及ぼす影響

    王谷洋平,福田幸夫,佐藤哲也,中川清和,豊田宏,小野俊郎

    第25回強誘電体応用会議  2008.5  強誘電体応用会議　運営委員会

    　More details

    Event date： 2008.5

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：コープイン京都 (京都)  

  • 低速電子誘起反応と極低温トンネル反応により合成したSiNxの電気特性評価 Major achievement

    林憲明，その他6名

    第55回応用物理学関係連合講演会  2008.3 

    　More details

    Event date： 2008.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：日本大学、船橋キャンパス  

  • ECR法によるSi3N4/GeNx/Ge MISキャパシタ界面特性の成膜温度依存性

    笠原康司,その他5名

    第55回応用物理学関係連合講演会  2008.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2008.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：日本大学、船橋キャンパス  

  • ECR 法によるGeNx 形成前のECR 酸素プラズマ照射の効果に関する検討

    王谷洋平, 他5名

    第55回応用物理学関係連合講演会  2008.3  日本応用物理学会

    　More details

    Event date： 2008.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：日本大学（船橋キャンパス）  

  • 有機フィルム基板上へのSiNxおよびa-Si:Hの極低温形成 Major achievement

    佐藤哲也, 他6名

    第50 回放射線化学討論会  2007.10  日本放射線化学会

    　More details

    Event date： 2007.10

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：京都大学（宇治キャンパス）  

  • 低速電子誘起成膜法によるSiNxの極低温合成と物性評価 Major achievement

    小林 憲明,その他7名

    第50 回放射線化学討論会  2007.10  日本放射線化学会

    　More details

    Event date： 2007.10

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：京都大学  

  • 低速電子線誘起堆積法とH原子トンネル反応を利用した水素化アモルファスシリコンの合成 Major achievement

    佐藤哲也, 小林憲明, 今村友一, 中川清和, 佐藤昇司

    第54回応用物理学関係連合講演会  2007.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2007.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：青山学院大学  

  • シリコン窒化膜の極低温合成に関する研究 Major achievement

    小林憲明, 今村友一,佐藤哲也,中川清和, 佐藤昇司

    第49回放射線化学討論会  2006.10  日本放射線化学会

    　More details

    Event date： 2006.10

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：日本原子力研究機構　高崎  

  • 低速電子誘起化学気相成長法によるSiNx膜の極低温合成

    佐藤哲也,小林憲明,今村友一,三井実,中川清和,青木裕,佐藤昇司

    2006年秋季　第67回応用物理学会学術講演会  2006.8 

    　More details

    Event date： 2006.8

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

    Venue：立命館大学びわこ・くさつキャンパス  

  • TEOS-SiO2の界面準位密度と酸化膜内欠陥密度（Ⅱ）

    荒井哲司,平田真大,土屋勇介,三井実,有元圭介,佐藤哲也,中川清和,福田幸夫,高松利行,佐藤昇司

    2006年秋季　第67回応用物理学会学術講演会  2006.8 

    　More details

    Event date： 2006.8

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

    Venue：立命館大学びわこ・くさつキャンパス  

  • ＴＥＯＳ酸化膜の界面準位密度と酸化膜内欠陥密度 Major achievement

    土屋勇介,他8人

    第53回応用物理学関係連合講演会  2006.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2006.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：武蔵工業大学  

  • 低速電子誘起成膜法によるシリコン半導体薄膜の極低温合成 Major achievement

    佐藤哲也, 三井実, 中川清和, 青木裕, 佐藤昇司

    第47回　放射線化学討論会  2005.10  日本放射線化学会

    　More details

    Event date： 2005.10

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：大阪大学産業科学研究所  

  • Formation of microcrystalline Silicon and SiNx films by electron- beam-induced-chemical vapor deposition at ultra low temperature Major achievement

    Fourth International Conference on　Silicon Epitaxy and Heterostructures (ISCI-4)  2005.5 

    　More details

    Event date： 2005.5

    Language：English   Presentation type：Other  

  • 微結晶シリコンの極低温形成 Major achievement

    佐藤哲也,その他6人

    2005春季第52回応用物理関係連合講演会  2005.3  日本応用物理学会

    　More details

    Event date： 2005.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：埼玉大学  

  • Synthesis of Microcrystalline Silicon Films by Low Energy Electron-Beam-Induced Deposition at Cryogenic Temperature Major achievement

    Group-IV Semiconductor Nanostructures, edited by Leonid Tsybeskov, David J. Lockwood, Christophe Delerue, and Masakazu Ichikawa (Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 832, Warrendale, PA , 2005),  2004.12 

    　More details

    Event date： 2004.12

    Language：English   Presentation type：Other  

  • 電子誘起成膜法によるシリコン系半導体薄膜の合成と物性評価 Major achievement

    佐藤哲也,他5名

    第47回放射線化学討論会  2004.10  日本放射線化学会

    　More details

    Event date： 2004.10

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

  • 極低温で合成した半導体薄膜の表面分析

    佐藤哲也

    2004JEOL　EPMA・表面分析ユーザーズミーティング  2004.9  日本電子株式会社

    　More details

    Event date： 2004.9

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(invited, special)  

    Venue：中野サンプラザ（東京）  

  • 低速電子照射による微結晶Siの低温形成

    佐藤哲也,その他6名

    2004秋季第65回応用物理学会学術講演会  2004.9  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2004.9

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

    Venue：東北学院大学  

  • 極低温反応によるシリコン系薄膜の合成 Major achievement

    佐藤哲也，望月慎高，中川清和,青木裕, 佐藤昇司, 宮田千治, 高松利行

    第51回応用物理学関係連合講演会  2004.3  日本応用物理学会

    　More details

    Event date： 2004.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：東京工科大  

  • 極低温反応によるa-Si:Hおよびμc-Si:H薄膜の形成

    望月慎高，佐藤哲也，三井実，中川清和，佐藤昇司，宮田千治

    第51回応用物理学関係連合講演会  2004.3  日本物理学会

    　More details

    Event date： 2004.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：東京工科大  

  • ホルムアルデヒド及びメタノール薄膜と水素原子との極低温トンネル反応に関する研究 Major achievement

    上野敏幸,他8人

    第46回放射線化学討論会  2003.9  日本放射線化学会

    　More details

    Event date： 2003.9

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：箱根小涌園(神奈川）  

  • 単原子分子（Ar, Kr, Xe）薄膜の400eV Ne+イオン衝撃によるTOF-SIMS Major achievement

    雨宮僚,上原涼,佐藤哲也,平岡賢三

    第51回質量分析総合討論会  2003.5  日本質量分析学会

    　More details

    Event date： 2003.5

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：産業技術総合研究所（つくば）  

  • 極低温トンネル反応によるa-Si:H薄膜の合成 Major achievement

    高島英彰,他5人

    第50回応用物理学関係連合講演会  2003.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2003.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：神奈川大学（横浜キャンパス）  

  • リニア直衝突/多重反射型飛行時間質量分析装置の開発と応用 Major achievement

    佐藤哲也

    日本質量分析学会創立50周年記念若手講演会  2002.11  日本質量分析学会

    　More details

    Event date： 2002.11

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(invited, special)  

    Venue：東京大学  

  • Chemical synthesis by means of low temperature tunneling reaction : from interstellar molecules to thin film semiconductors Major achievement

    4th International Conference on Low Temperature Chemistry  2002.8 

    　More details

    Event date： 2002.8

    Language：English   Presentation type：Oral presentation(invited, special)  

  • Study on the tunneling reaction of H atoms in interstellar ices Major achievement

    4th International Conference on Low Temperature Chemistry  2002.8 

    　More details

    Event date： 2002.8

    Language：English   Presentation type：Other  

  • MSのイオン化の進歩と未来 Major achievement

    佐藤哲也

    第50回質量分析総合討論会  2002.5  日本質量分析学会

    　More details

    Event date： 2002.5

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(invited, special)  

    Venue：京都工芸繊維大学  

  • Si2H6薄膜とＨ原子の極低温トンネル反応によるSi薄膜の形成 Major achievement

    佐藤昇司,他6人

    Si2H6薄膜とＨ原子の極低温トンネル反応によるSi薄膜の形成  2002.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2002.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：東海大学（湘南校舎）  

  • Ｈ原子GeH4薄膜との極低温トンネル反応によるGe薄膜の形成 Major achievement

    曽越宣仁,他6人

    第49回応用物理学関係連合講演会  2002.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2002.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：東海大学（湘南校舎）  

  • 水素原子とシラン薄膜の極低温トンネル反応：シリコン薄膜の形成

    佐藤哲也,他11人

    第42回真空に関する連合講演会  2001.10  日本真空学会

    　More details

    Event date： 2001.10

    Language：Japanese   Presentation type：Other  

    Venue：機会振興会館（東京）  

  • vdW薄膜のHe＋イオン衝撃：二次イオン強度の膜厚依存性 Major achievement

    佐藤哲也,他4人

    第26回原子衝突研究協会研究会  2001.8  原子衝突研究協会研究会

    　More details

    Event date： 2001.8

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：立教大学 (東京)  

  • 水素原子の固相トンネル反応を利用した新規な半導体薄膜形成法の開発 Major achievement

    佐藤哲也,他9人

    第49回質量分析総合討論会(2001)  2001.6  日本質量分析学会

    　More details

    Event date： 2001.6

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：東京大学（本郷キャンパス）  

  • SiH4薄膜とH原子の極低温トンネル反応によるSi薄膜の形成

    鈴木克憲,他9人

    第48回応用物理学関係連合講演会  2001.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2001.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：明治大学（駿河台キャンパス）  

  • 水素原子の固相トンネル反応を利用した半導体薄膜形成のための極低温反応装置の開発（Ⅱ） Major achievement

    佐藤哲也,他9人

    第48回応用物理学関係連合講演会  2001.3  応用物理学会

    　More details

    Event date： 2001.3

    Language：Japanese   Presentation type：Oral presentation(general)  

    Venue：明治大学（駿河台キャンパス）  

▼display all

Industrial Property Rights

  • 成膜方法及び成膜装置

    佐藤　哲也、布瀬　暁志、久保田　雄介、東雲　秀司

    　More details

    Applicant：山梨大学 東京エレクトロン株式会社

    Application no：特願2021-103284  Date applied：2021.6

    Announcement no：特開2023-2200  Date announced：2023.1

    Country of applicant：Foreign country  

    マスクを設けることなく、金属膜と絶縁膜が表面に露出した基板の金属膜上に選択的に成膜を行うこと。

  • 排気ガスの固定化処理法、及びその処理装置

    佐藤哲也

    　More details

    Applicant：国立大学法人山梨大学

    Application no：特願2011-42049  Date applied：2011.2

    Announcement no：特開2012-179503  Date announced：2012.9

    Patent/Registration no：特許第5703516号  Date registered：2015.3 

    Country of applicant：Domestic  

Teaching Experience (On-campus)

  • Spectroscopy Major achievement

    2023Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

    量子化学の基礎的事項を整理し、原子・分子の構造とそのスペクトルについて解説した。群論により取り扱う方法を学び、光の吸収/発光スペクトルの解析など、具体的な事例（演習問題）を取り上げ開設した。

  • 教職履修カルテ

    2023Year

  • Advanced Quantum Material Science

    2023Year

  • Advanced Quantum Material Science Major achievement

    2022Year  Type of subject：Master's (Graduate School)

  • Mathematics Exercise I Major achievement

    2022Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

    微分積分学担当

  • Introduction to Chemistry I Major achievement

    2022Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

  • Mathematics Exercise II Major achievement

    2022Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

    微分積分学担当

  • Experiment of Chemistry Major achievement

    2022Year  Type of subject：Other (undergraduate)

  • Spectroscopy Major achievement

    2022Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

  • Introduction to Chemistry I Major achievement

    2021Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

  • Advanced Quantum Material Science Major achievement

    2021Year  Type of subject：Master's (Graduate School)

  • Spectroscopy Major achievement

    2021Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

  • Experiment of Chemistry Major achievement

    2021Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

  • Mathematics Exercise II Major achievement

    2021Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

  • Mathematics Exercise I Major achievement

    2021Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

  • Mathematics Exercise I Major achievement

    2020Year  Type of subject：Common education (undergraduate)

  • Spectroscopy Major achievement

    2020Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

  • Experiment of Chemistry Major achievement

    2020Year

  • Mathematics Exercise II Major achievement

    2020Year

  • Advanced Quantum Material Science Major achievement

    2020Year  Type of subject：Master's (Graduate School)

  • Introduction to Chemistry I Major achievement

    2020Year

  • 入門化学Ⅰ Major achievement

    2017Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

  • 応用工学実験Ⅰ Major achievement

    2017Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

  • 入門化学Ⅰ Major achievement

    2016Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

  • 入門化学Ⅰ Major achievement

    2012Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

    実験を含む

  • 化学実験 Major achievement

    2012Year  Type of subject：Professional education (undergraduate)

  • 量子物理化学特論 Major achievement

    2011Year  Type of subject：Dr. (Graduate School)

  • エネルギー量子化学特論第二 Major achievement

    2011Year  Type of subject：Master's (Graduate School)

  • 地球環境化学とエネルギー Major achievement

    2007Year  Type of subject：Common education (undergraduate)

  • 量子材料システム工学特論 Major achievement

    2005Year  Type of subject：Master's (Graduate School)

  • 化学実験

    2004Year  Type of subject：Other (undergraduate)

  • 分子素子設計工学特論 Major achievement

    2004Year  Type of subject：Dr. (Graduate School)

    調査・レポート課題形式

  • 基礎物理学I Major achievement

    2004Year  Type of subject：Other (undergraduate)

▼display all

Teaching achievements

  • 第7回全学教育FD研修会「緊急対策としての授業のオンライン化」

    2020.03.24 - 2020.04.03

    　More details

    動画を視聴し、二つの必須小テストを実施しクリアした

Social Activities

  • 「宇宙がひらく材料科学の世界～『星間分子』ができるまで～」

    Role(s)： Lecturer

    山梨大・読売新聞甲府支局共催  令和5年度　連続市民講座第１５部  2023.10

  • サイエンスラボ 化学系講座「天然色素を用いた色素増感型太陽電池の作製」

    Role(s)： Lecturer,　Advisor

    日川高等学校  山梨大学 工学 B1号館―202実験室  2022.10

    　More details

    Audience： High school students

    Type：Other

    身近にある材料で霧箱を製作し、Raからの放射線を観察した。

  • 「宇宙に学ぶ新エネルギー材料創製」

    山梨県立白根高等学校  山梨県立白根高等学校  2022.9

    　More details

    Audience： High school students

    Type：Visiting lecture

    放射線の性質・霧箱実験、宇宙における極低温下での化学反応研究、放電・プラズマの演示、材料創成法について紹介した。

  • サイエンスラボ 化学系講座「霧箱による放射線の観察」

    Role(s)： Lecturer,　Advisor

    日川高等学校  山梨大学 工学 B1号館―202実験室  2021.10

    　More details

    Audience： High school students

    Type：Other

    身近にある材料で霧箱を製作し、Raからの放射線を観察した。

  • No.2020-3「宇宙に学ぶ新エネルギー材料創製　～省エネ型の画期的な成膜技術（低温表面処理と薄膜合成）の研究～」

    山梨中央銀行  山梨大学発"ビジネスチャンス"直行便！  2021.3

    　More details

    Audience： General,　Company

    Type：Internet

  • サイエンスラボ 化学系講座「霧箱による放射線の観察」

    Role(s)： Lecturer,　Advisor

    日川高等学校  山梨大学 工学 B1号館―202実験室  2020.9

    　More details

    Audience： High school students

    Type：Other

    身近にある材料で霧箱を製作し、Raからの放射線を観察した。

  • 科学実験講座　実験工作教室「飛行機雲のように放射線を目で観察しよう」

    Role(s)： Lecturer,　Demonstrator

    山梨県立科学館  山梨県立科学館  2020.8

    　More details

    Audience： Teachers

    Type：Seminar, workshop

    理科実験工作を小・中・高・特別支援学校教員9名に指導した。

  • 科学実験講座 実験工作教室「飛行機雲のように放射線を目で観察しよう」

    Role(s)： Lecturer,　Demonstrator

    山梨県立科学館  山梨県立科学館  2020.8

    　More details

    Audience： Teachers

    Type：Seminar, workshop

    理科実験工作を小・中・高・特別支援学校教員9名に指導した。

  • ＳＳＨサイエンスラボ 化学系講座　「天然色素を用いた太陽電池の作製」

    Role(s)： Lecturer,　Advisor

    山梨県立日川高等学校  山梨大学工学部　B1号館202  山梨大学工学部　B1-202  2019.8

    　More details

    Audience： High school students

    Type：Other

    環境問題と太陽電池の仕組みついて講義した（20分）、天然色素を用いた色素増感型太陽電池作製の実験を指導した（1時間40分）。

  • ＳＳＨサイエンスラボ 化学系講座 「天然色素を用いた太陽電池の作製」

    Role(s)： Lecturer,　Advisor

    山梨県立日川高等学校  山梨大学工学部 B1号館202  山梨大学工学部 B1-202  2019.8

    　More details

    Audience： High school students

    Type：Other

    環境問題と太陽電池の仕組みついて講義した（20分）、天然色素を用いた色素増感型太陽電池作製の実験を指導した（1時間40分）。

  • SSH山梨大学実験研修「環境化学と太陽電池」

    Role(s)： Lecturer,　Advisor

    韮崎高等学校  山梨大学工学部　T1号館-21、B1-202実験室  2019.8

    　More details

    Audience： High school students

    Type：Other

    環境問題と太陽電池の仕組みついて講義した（90分×1コマ）、天然色素を用いた色素増感型太陽電池作製の実験を指導した（3時間半）。

  • 天然色素を用いた太陽電池、霜箱

    Role(s)： Media coverage,　Lecturer,　Advisor,　Demonstrator

    山梨大学、山梨英和中学校・高等学校、山梨県立男女共同参画推進センターぴゅあ総合 共催事業  ガールズサイエンスcafe@山梨  山梨県防災新館  2018.9

    　More details

    Audience： Schoolchildren,　Junior students,　High school students,　General

    Type：Science cafe

    ぶどうを使用した色素増感太陽電池の工作。

  • 天然色素を用いた太陽電池、霜箱

    Role(s)： Media coverage,　Lecturer,　Advisor,　Demonstrator

    山梨大学、山梨英和中学校・高等学校、山梨県立男女共同参画推進センターぴゅあ総合 共催事業  ガールズサイエンスcafe@山梨  山梨県防災新館  2018.9

    　More details

    Audience： Schoolchildren,　Junior students,　High school students,　General

    Type：Science cafe

    ぶどうを使用した色素増感太陽電池の工作。

  • ＳＳＨサイエンスラボ「宇宙に学ぶ新エネルギー材料創成」

    Role(s)： Lecturer,　Advisor

    山梨県立日川高等学校  山梨大学工学部　B1号館202  山梨大学工学部　B1-202  2018.8

    　More details

    Audience： High school students

    Type：Other

    環境問題と太陽電池の仕組みついて講義した（90分×1コマ）、天然色素を用いた色素増感型太陽電池作製の実験を指導した（3時間半）。

  • ＳＳＨサイエンスラボ「宇宙に学ぶ新エネルギー材料創成」

    Role(s)： Lecturer,　Advisor

    山梨県立日川高等学校  山梨大学工学部 B1号館202  山梨大学工学部 B1-202  2018.8

    　More details

    Audience： High school students

    Type：Other

    環境問題と太陽電池の仕組みついて講義した（90分×1コマ）、天然色素を用いた色素増感型太陽電池作製の実験を指導した（3時間半）。

  • SSH「環境化学と太陽電池」

    Role(s)： Lecturer,　Advisor

    韮崎高等学校  山梨大学工学部　T1号館-21、B1-202実験室  2018.8

    　More details

    Audience： High school students

    Type：Other

    環境問題と太陽電池の仕組みついて講義した（90分×1コマ）、天然色素を用いた色素増感型太陽電池作製の実験を指導した（3時間半）。

  • 第21回リフレッシュ理科教室

    Role(s)： Advisor

    応用物理学会、山梨大学、山梨県立科学館  2018.8

    　More details

    Audience： Schoolchildren,　Junior students

    Type：Seminar, workshop

    工作・実験の指導

  • 太陽電池工作教室ーぶどうで発電

    Role(s)： Media coverage,　Lecturer,　Advisor,　Demonstrator

    山梨県立科学館、キャリアハウス「ティーチサイエンス」  科学探求講座事業  山梨県立科学館  2018.3

    　More details

    Audience： Schoolchildren,　Junior students

    Type：Other

    ぶどうを使用した色素増感太陽電池の工作。

  • 太陽電池工作教室ーぶどうで発電

    Role(s)： Lecturer,　Advisor,　Demonstrator

    甲州市中央公民館  2017.12

    　More details

    Audience： Schoolchildren,　Junior students

    Type：Seminar, workshop

    環境・エネルギー問題の解説と太陽電池工作

  • ＳＳＨサイエンスラボ「天然色素で太陽電池をつくろう」

    Role(s)： Lecturer,　Advisor

    山梨県立日川高等学校  山梨大学工学部　B1号館202  2017.8

    　More details

    Audience： High school students

    Type：Other

    環境問題と再生可能エネルギーの解説、天然色素を用いた色素増感型太陽電池の実験

  • SSHサイエンスセミナー「宇宙に学ぶ新エネルギー材料創成」

    山梨県立都留高等学校  都留高等学校  2014.8

    　More details

    総合的な学習の時間の進路学習、進路や大学進学への意識を高めるための授業として、
    宇宙環境、元素の起源、物質の化学進化、放射線、プラズマ、材料創生について
    演示実験を交えた授業を行った。

▼display all

Professional Memberships

  • 日本天文学会

    2000.8

  • 応用物理学会

    2000.1

  • 日本放射線化学会

    1998.6

  • 日本質量分析学会

    1993.7

  • 日本化学会

    1993.7

  • 日本物理学会

    1988.9

▼display all

Committee Memberships

  • 応用物理学会   プラズマエレクトロニクス分科会幹事  

    2020.4 - 2021.3   

    　 More details

    Committee type：Society

  • 応用物理学会   プラズマエレクトロニクス分科会幹事  

    2019.4 - 2020.3   

    　 More details

    Committee type：Society

  • 応用物理学会   プラズマエレクトロニクス分科会幹事  

    2019.4 - 2020.3   

    　 More details

    Committee type：Society

Media Coverage

  • Industrial application of chemical reactions at cryogenic temperatures Newspaper, magazine

    2023.10

    　More details

    Author：Other