2024/05/01 更新

写真a

ヤマモト　マサユキ
山本　真幸
Yamamoto Masayuki
所属
大学院　総合研究部　工学域 電気電子情報工学系（大学教育・DX推進センター教育改革推進室） 准教授
職名
准教授

経歴

  • 山梨大学   大学教育・DX推進センター（兼務）   准教授

    2022年7月 - 現在

  • 山梨大学   工学部電気電子工学科   准教授

    2020年7月 - 現在

  • 産業技術総合研究所   先進パワーエレクトロニクス研究センター   客員研究員

    2020年7月 - 現在

  • 産業技術総合研究所   先進パワーエレクトロニクス研究センター   協力研究員

    2017年6月 - 2020年6月

  • 山梨大学   工学部電気電子工学科、山梨大学   助教

    2013年4月 - 2020年6月

学歴

  • ハンブルク大学

    - 2007年8月

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    国名： ドイツ連邦共和国

    備考： (事項) ハンブルク大学第一理論物理学研究所　博士課程修了 (事項_英文) I. Institute for Theoretical Physics, University of Hamburg

    課程： 博士

学位

  • Ph.D (Natural Science) （ 2007年8月 ）

研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器

研究キーワード

  • 炭化珪素(SiC)半導体デバイス

研究テーマ

  • 炭化珪素(SiC)半導体デバイスの設計・試作と評価

論文

  • Fabrication of the SiC Gate-All-Around JFET 査読 重要な業績

    Masaya Mochizuki, Masayuki Yamamoto, Hitoshi Umezawa, Yasunori Tanaka

    IEEE Transactions on Electron Deivces   70 ( 9 )   4612 - 4617   2023年8月( ISSN：00189383 )

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： https://doi.org/10.1109/TED.2023.3299469

    DOI： https://doi.org/10.1109/TED.2023.3299469

  • Avalanche Robustness Investigation of SiC Avalanche Diodes at High Temperatures 査読 重要な業績

    Takato Sekiguchi, Masaya Mochizuki, Masayuki Yamamoto, Koji Nakayama, Yasunori Tanaka

    Materials Science Forum   1092   145 - 149   2023年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： https://doi.org/10.4028/p-2953f7

    DOI： https://doi.org/10.4028/p-2953f7

  • Utilization of SiC Avalanche Diode as a Solid-State Snubber 査読 重要な業績

    K. Koseki, Y. Tanaka, K. Nakayama and M. Yamamoto

    23rd European Conference on Power Electronics and Applications   1 - 7   2021年10月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Surge absorption by the 430V mesa-structured SiC avalanche diode 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, K. Koseki, K. Nakayama, Y. Tanaka, S. Nishiyama

    Proc. of the 32th ISPSD   186 - 189   2020年8月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Evaluation of Surge Reduction Performance of a SiC Avalanche Diode with Mesa Structure in a Switching Power Supply 査読 重要な業績

    K. Koseki, M. Yamamoto, Y. Tanaka

    Materials Science Forum   1004   1129 - 1133   2020年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Enhancement of Surge-Suppression Performance of a Solid-State Snubber by a SiC Avalanche-Diode 査読 重要な業績

    K. Koseki, M. Yamamoto, Y. Tanaka

    Proc. of 2020 IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC)   2548 - 2553   2020年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Fabrication of a High-Voltage SiC Avalanche Diode with a Superior Voltage Clamp Property 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, K. Koseki, Y. Tanaka

    Proc. of the 31th ISPSD   171 - 174   2019年7月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • A study of fastening the switching speed for wide bandgap semiconductor based Super Cascode 査読 重要な業績

    X. Wang, M. Yamamoto

    Materials Science Forum   963   823 - 826   2019年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Extremely low on-resistance SiC cascode configuration using buried-gate static induction transistor 査読 重要な業績

    K. Yano, Y. Tanaka, M. Yamamoto

    IEEE Electron Device Letters   39   1892 - 1895   2018年12月( ISSN：0741-3106 )

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Experimental Demonstration of SiC Screen GridVertical JFET (SiC-SGVJFET) Having a Ultra-Low Crss 査読 重要な業績

    K. Yano, T. Ishikawa, Y. Tanaka, T. Yatsuo, M. Yamamoto

    Proc. of the 28th ISPSD   487 - 490   2016年7月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Cascode Configuration of SiC-BGSIT and Si-MOSFET with Low On-Resistance and High Transconductance 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, Y. Tanaka, T. Yatsuo, K. Yano

    Materials Science Forum   858   1095 - 1098   2016年5月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Self-assembled honeycomb lattice in the monolayer of cyclic thiazyl diradical BDTDA with a zero-bias tunneling spectra anomaly 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, その他８名

    Scientific Reports   5   2015年12月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Magnetic Response of Conductance Peak Structure in Junction-Confined Graphene Nanoribbons 査読 重要な業績

    M. Yamamoto,K. Wakabayashi

    Nanoscale   4   1138 - 1145   2012年2月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Kohn Anomalies in Graphene Nanoribbons 査読 重要な業績

    K. Sasaki, M. Yamamoto, S. Murakami, R. Saito, et al.

    Phys. Rev. B   80   1 - 11   2009年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Control of Electric Current by Graphene Edge Structure Engineering 査読 重要な業績

    M. Yamamoto,K. Wakabayashi

    Appl. Phys. Lett.   95   1 - 3   2009年8月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Nearly Perfect Single-Channel Conduction in Disordered Armchair Nanoribbons 査読 重要な業績

    M. Yamamoto,Y. Takane,K. Wakabayashi

    Phys. Rev. B   79   1 - 5   2009年3月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Conduction Distribution in Disordered Quantum Wires with a Perfectly Conducting Channel 査読 重要な業績

    Y. Takane,S. Iwasaki,Y. Yoshioka,M. Yamamoto,K. Wakabayashi

    J. Phys. Soc. Jpn.   78   1 - 6   2009年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • A Three-Terminal Spin Filter Based on Spin-Orbit Coupling in the Presence of Anti-Dot 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, B. Kramer

    Journal of Physics: Conference Series   150   022102-1 - 4   2009年3月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Edge Effect on Electronic Transport Properties of Graphene Nanoribbons and Presence of Perfectly Conducting Channel 査読 重要な業績

    K. Wakabayashi,Y. Takane,M. Yamamoto,M. Sigrist

    CARBON   47   124 - 137   2009年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • A Three-Terminal Spin Filter Induced by Spin-Orbit Interaction in the Presence of an Anti-Dot 査読 重要な業績

    M. Yamamoto and B. Kramer

    J. Appl. Phys.   103   1 - 6   2008年6月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Spin-dependent electronic transport in nanowire in the presence of Rashba and Dresselhaus spin-orbit coupling 査読 重要な業績

    M. Yamamoto

    博士論文(ハンブルク大学)   2007年8月

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    担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：学位論文（博士）  

  • Spin Hall Current Induced by Electric Field Pulse 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, B. Kramer

    AIP Conference Proceedings   893   1265 - 1266   2007年5月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Spin Polarization Induced by Rashba Spin-Orbit Coupling in Three Terminal Devices 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, K. Dittmer, B. Kramer, T. Ohtsuki

    Physica E   29   490 - 494   2006年5月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Spin Polarization in a 3-terminal Conductor Induced by Rashba Spin-Orbit Coupling 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, J.Ohe, T. Ohtsuki,J. Nitta, B. Kramer

    Physica E   29   490 - 494   2005年11月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Spin-Polarization in a T-shape Conductor Induced by Spin-Orbit Interaction 査読 重要な業績

    M. Yamamoto,T. Ohtsuki,B. Kramer

    Phys. Rev. B   72   1 - 7   2005年9月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Mesoscopic Stern-Gerlach Spin Filter by Nonuniform Spin-Orbit Interaction 査読 重要な業績

    J. Ohe,M. Yamamoto,T. Ohtsuki,J. Nitta

    Phys. Rev. B   72   1 - 4   2005年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Spin-Polarized Current Induced by Three Terminal Geometry 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, J. Ohe, T. Ohtsuki

    Physica E   22   430 - 433   2004年4月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Conductance Fluctuations in the Presence of Spin Scattering 査読 重要な業績

    J. Ohe,M. Yamamoto,T. Ohtsuki

    Phys. Rev. B   68   1 - 5   2003年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effect of Magnetic Field Applied on Leads 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, T. Ohtsuki, K. Slevin

    Journal of Physical Society of Japan   72 ( Supplement A )   155 - 156   2003年2月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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講演・口頭発表等

  • サイドゲート型SiC JFETの耐放射線特性評価 重要な業績

    小泉祐樹、飯酒盃知樹、武山昭憲、牧野高紘、大島武、梅沢仁、山本真幸、田中保宣

    応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第10回講演会  2023年11月 

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    開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：金沢  

  • Comparison of Si CMOS and SiC CMOS Operational Amplifiers 国際会議 重要な業績

    R. Kobayashi and M. Yamamoto

    ICSCRM 2023  2023年9月 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：ソレント、イタリア  

  • Avalanche robustness investigation of SiC avalanche diodes at high temperatures 国際会議 重要な業績

    T. Sekiguchi, M. Mochizuki, M. Yamamoto, K. Nakayama and Y. Tanaka

    ICSCRM 2022  2022年9月 

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：ダボス、スイス  

  • Thermal diffusion mechanism of Aluminum implanted in 4H-SiC 国際会議 重要な業績

    J. Shirai, K. Nakayama, M. Yamamoto, H. Umezawa, Y. Tanaka

    DRIP XIX  2022年8月 

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    開催年月日： 2022年8月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：オンライン  

  • デバイスシミュレーションによるSiCサージ吸収素子の設計及び電力損失の評価 重要な業績

    望月雅也，関口誉斗，山本真幸，中山浩二，田中保宣

    令和４年度電気学会全国大会  2022年3月 

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    開催年月日： 2022年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：オンライン  

  • 炭化珪素アバランシェダイオードによるスイッチング時のサージ抑制 招待 重要な業績

    山本真幸

    応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第18回研究会  2021年5月 

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    開催年月日： 2021年5月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（招待・特別）  

  • Surge absorption by the 430V mesa-structured SiC avalanche diode 国際会議 重要な業績

    M. Yamamoto, K. Koseki, K. Nakayama, Y. Tanaka, S. Nishiyama

    ISPSD 2020  2020年9月 

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    開催年月日： 2020年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：オンライン  

  • Enhancement of Surge-Suppression Performance of a Solid-State Snubber by a SiC Avalanche-Diode 国際会議 重要な業績

    APEC2020  2020年3月 

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    開催年月日： 2020年3月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • 炭化珪素サージ吸収ダイオードの試作と評価 重要な業績

    令和２年度電気学会全国大会  2020年3月 

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    開催年月日： 2020年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • Evaluation of Surge Reduction Performance of a SiC Avalanche Diode with Mesa Structure in a Switching Power Supply 国際会議 重要な業績

    K. Koseki, M. Yamamoto, and Y. Tanaka

    ICSCRM 2019  2019年9月 

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    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Failure Ayalysis of the SiC Clamp Diodes by 10kA/cm2 Avalanche Current 国際会議 重要な業績

    M. Yamamoto, K. Koseki, K. Nakayama, and Y. Tanaka

    ICSCRM 2019  2019年9月 

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    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Fabrication of a High-Voltage SiC Avalanche Diode with a Superior Voltage Clamp Property 国際会議 重要な業績

    M. Yamamoto, K. Koseki, Y. Tanaka

    ISPSD 2019  2019年5月 

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    開催年月日： 2019年5月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：中国、上海  

  • A study on fastening the switching speed for wide bandgap semiconductor based Super Cascode 国際会議 重要な業績

    X. Wang, M. Yamamoto

    ECSCRM 2018  2018年9月 

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Experimental Demonstration of SiC Screen GridVertical JFET (SiC-SGVJFET) Having a Ultra-Low Crss 国際会議 重要な業績

    K. Yano, T. Ishikawa, Y. Tanaka, T. Yatsuo, M. Yamamoto

    ISPSD 2016  2016年6月 

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    開催年月日： 2016年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Cascode Configuration of SiC-BGSIT and Si-MOSFET with Low On-Resistance and High Transconductance 国際会議 重要な業績

    M. Yamamoto,Y. Tanaka,T. Yatsuo,K. Yano

    ICSCRM 2015  2015年10月 

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    開催年月日： 2015年10月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：ジャルディーニ＝ナクソス，イタリア  

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学外あるいは所属学部等外の組織との共同研究

  • SiC半導体素子の研究開発

    産総研・先進パワーエレクトロニクス研究センター

    2017年06月01日 - 継続中  分担

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    素子設計・試作・評価

担当授業科目（学内）

  • 電気電子工学基礎ゼミ 重要な業績

    2023年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 微分積分学II 重要な業績

    2023年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電気応用実験 重要な業績

    2023年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 基礎電気電子工学実験 重要な業績

    2023年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電気系エンジニアのための英語リテラシ 重要な業績

    2023年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電気電子工学実験I 重要な業績

    2023年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電子デバイス工学特論 重要な業績

    2023年度  科目区分：修士（大学院）

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