研究者詳細 - 山本　真幸

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ヤマモト　マサユキ

山本　真幸

Yamamoto Masayuki

所属

大学院　総合研究部　工学域電気電子情報工学系（大学教育・DX推進センター教育改革推進室）准教授

ホームページ

https://www.ccn.yamanashi.ac.jp/~masayukiy/

経歴

山梨大学工学部工学科電気電子工学コース准教授

2024年4月 - 現在
山梨大学大学教育・DX推進センター専任教員（兼務）

2022年7月 - 現在
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター客員研究員

2020年7月 - 現在
山梨大学工学部電気電子工学科准教授

2020年7月 - 2024年3月
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター協力研究員

2017年6月 - 2020年6月
山梨大学工学部電気電子工学科、山梨大学助教

2013年4月 - 2020年6月

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学歴

ハンブルク大学

- 2007年8月

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国名：ドイツ連邦共和国

備考： (事項) ハンブルク大学第一理論物理学研究所　博士課程修了 (事項_英文) I. Institute for Theoretical Physics, University of Hamburg

課程：博士

学位

Ph.D (Natural Science) （ 2007年8月）

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器

研究キーワード

炭化珪素(SiC)半導体デバイスおよび集積回路

研究テーマ

炭化珪素(SiC)半導体デバイスおよび集積回路の設計・試作と評価

論文

Comparison of Si CMOS and SiC CMOS Operational Amplifiers 査読重要な業績

Ryosuke Kobayashi, Masayuki Yamamoto

Solid State Phenomena 360 157 - 161 2024年8月( ISSN：16629779 )

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担当区分：最終著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/p-ibXs8l

DOI： 10.4028/p-ibXs8l
Fabrication of the SiC Gate-All-Around JFET 査読重要な業績

Masaya Mochizuki, Masayuki Yamamoto, Hitoshi Umezawa, Yasunori Tanaka

IEEE Transactions on Electron Deivces 70 ( 9 ) 4612 - 4617 2023年8月( ISSN：00189383 )

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担当区分：責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： https://doi.org/10.1109/TED.2023.3299469

DOI： https://doi.org/10.1109/TED.2023.3299469
Avalanche Robustness Investigation of SiC Avalanche Diodes at High Temperatures 査読重要な業績

Takato Sekiguchi, Masaya Mochizuki, Masayuki Yamamoto, Koji Nakayama, Yasunori Tanaka

Materials Science Forum 1092 145 - 149 2023年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： https://doi.org/10.4028/p-2953f7

DOI： https://doi.org/10.4028/p-2953f7
Utilization of SiC Avalanche Diode as a Solid-State Snubber 査読重要な業績

K. Koseki, Y. Tanaka, K. Nakayama and M. Yamamoto

23rd European Conference on Power Electronics and Applications 1 - 7 2021年10月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Surge absorption by the 430V mesa-structured SiC avalanche diode 査読重要な業績

M. Yamamoto, K. Koseki, K. Nakayama, Y. Tanaka, S. Nishiyama

Proc. of the 32th ISPSD 186 - 189 2020年8月

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担当区分：筆頭著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Evaluation of Surge Reduction Performance of a SiC Avalanche Diode with Mesa Structure in a Switching Power Supply 査読重要な業績

K. Koseki, M. Yamamoto, Y. Tanaka

Materials Science Forum 1004 1129 - 1133 2020年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Enhancement of Surge-Suppression Performance of a Solid-State Snubber by a SiC Avalanche-Diode 査読重要な業績

K. Koseki, M. Yamamoto, Y. Tanaka

Proc. of 2020 IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC) 2548 - 2553 2020年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Fabrication of a High-Voltage SiC Avalanche Diode with a Superior Voltage Clamp Property 査読重要な業績

M. Yamamoto, K. Koseki, Y. Tanaka

Proc. of the 31th ISPSD 171 - 174 2019年7月

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担当区分：筆頭著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
A study of fastening the switching speed for wide bandgap semiconductor based Super Cascode 査読重要な業績

X. Wang, M. Yamamoto

Materials Science Forum 963 823 - 826 2019年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Extremely low on-resistance SiC cascode configuration using buried-gate static induction transistor 査読重要な業績

K. Yano, Y. Tanaka, M. Yamamoto

IEEE Electron Device Letters 39 1892 - 1895 2018年12月( ISSN：0741-3106 )

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Experimental Demonstration of SiC Screen GridVertical JFET (SiC-SGVJFET) Having a Ultra-Low Crss 査読重要な業績

K. Yano, T. Ishikawa, Y. Tanaka, T. Yatsuo, M. Yamamoto

Proc. of the 28th ISPSD 487 - 490 2016年7月

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担当区分：最終著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Cascode Configuration of SiC-BGSIT and Si-MOSFET with Low On-Resistance and High Transconductance 査読重要な業績

M. Yamamoto, Y. Tanaka, T. Yatsuo, K. Yano

Materials Science Forum 858 1095 - 1098 2016年5月

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担当区分：筆頭著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Self-assembled honeycomb lattice in the monolayer of cyclic thiazyl diradical BDTDA with a zero-bias tunneling spectra anomaly 査読重要な業績

M. Yamamoto, その他８名

Scientific Reports 5 2015年12月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Magnetic Response of Conductance Peak Structure in Junction-Confined Graphene Nanoribbons 査読重要な業績

M. Yamamoto,K. Wakabayashi

Nanoscale 4 1138 - 1145 2012年2月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Kohn Anomalies in Graphene Nanoribbons 査読重要な業績

K. Sasaki, M. Yamamoto, S. Murakami, R. Saito, et al.

Phys. Rev. B 80 1 - 11 2009年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Control of Electric Current by Graphene Edge Structure Engineering 査読重要な業績

M. Yamamoto,K. Wakabayashi

Appl. Phys. Lett. 95 1 - 3 2009年8月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Nearly Perfect Single-Channel Conduction in Disordered Armchair Nanoribbons 査読重要な業績

M. Yamamoto,Y. Takane,K. Wakabayashi

Phys. Rev. B 79 1 - 5 2009年3月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Conduction Distribution in Disordered Quantum Wires with a Perfectly Conducting Channel 査読重要な業績

Y. Takane,S. Iwasaki,Y. Yoshioka,M. Yamamoto,K. Wakabayashi

J. Phys. Soc. Jpn. 78 1 - 6 2009年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
A Three-Terminal Spin Filter Based on Spin-Orbit Coupling in the Presence of Anti-Dot 査読重要な業績

M. Yamamoto, B. Kramer

Journal of Physics: Conference Series 150 022102-1 - 4 2009年3月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Edge Effect on Electronic Transport Properties of Graphene Nanoribbons and Presence of Perfectly Conducting Channel 査読重要な業績

K. Wakabayashi,Y. Takane,M. Yamamoto,M. Sigrist

CARBON 47 124 - 137 2009年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
A Three-Terminal Spin Filter Induced by Spin-Orbit Interaction in the Presence of an Anti-Dot 査読重要な業績

M. Yamamoto and B. Kramer

J. Appl. Phys. 103 1 - 6 2008年6月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Spin-dependent electronic transport in nanowire in the presence of Rashba and Dresselhaus spin-orbit coupling 査読重要な業績

M. Yamamoto

博士論文(ハンブルク大学) 2007年8月

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担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者記述言語：英語掲載種別：学位論文（博士）
Spin Hall Current Induced by Electric Field Pulse 査読重要な業績

M. Yamamoto, B. Kramer

AIP Conference Proceedings 893 1265 - 1266 2007年5月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Spin Polarization Induced by Rashba Spin-Orbit Coupling in Three Terminal Devices 査読重要な業績

M. Yamamoto, K. Dittmer, B. Kramer, T. Ohtsuki

Physica E 29 490 - 494 2006年5月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Spin Polarization in a 3-terminal Conductor Induced by Rashba Spin-Orbit Coupling 査読重要な業績

M. Yamamoto, J.Ohe, T. Ohtsuki,J. Nitta, B. Kramer

Physica E 29 490 - 494 2005年11月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Spin-Polarization in a T-shape Conductor Induced by Spin-Orbit Interaction 査読重要な業績

M. Yamamoto,T. Ohtsuki,B. Kramer

Phys. Rev. B 72 1 - 7 2005年9月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Mesoscopic Stern-Gerlach Spin Filter by Nonuniform Spin-Orbit Interaction 査読重要な業績

J. Ohe,M. Yamamoto,T. Ohtsuki,J. Nitta

Phys. Rev. B 72 1 - 4 2005年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Spin-Polarized Current Induced by Three Terminal Geometry 査読重要な業績

M. Yamamoto, J. Ohe, T. Ohtsuki

Physica E 22 430 - 433 2004年4月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）
Conductance Fluctuations in the Presence of Spin Scattering 査読重要な業績

J. Ohe,M. Yamamoto,T. Ohtsuki

Phys. Rev. B 68 1 - 5 2003年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）
Effect of Magnetic Field Applied on Leads 査読重要な業績

M. Yamamoto, T. Ohtsuki, K. Slevin

Journal of Physical Society of Japan 72 ( Supplement A ) 155 - 156 2003年2月

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担当区分：筆頭著者記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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講演・口頭発表等

サイドゲート型SiC JFETの耐放射線特性評価重要な業績

小泉祐樹、飯酒盃知樹、武山昭憲、牧野高紘、大島武、梅沢仁、山本真幸、田中保宣

応用物理学会・先進パワー半導体分科会第10回講演会 2023年11月

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開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月

記述言語：日本語会議種別：ポスター発表

開催地：金沢
Comparison of Si CMOS and SiC CMOS Operational Amplifiers 国際会議重要な業績

R. Kobayashi and M. Yamamoto

ICSCRM 2023 2023年9月

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開催年月日： 2023年9月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：ソレント、イタリア
Avalanche robustness investigation of SiC avalanche diodes at high temperatures 国際会議重要な業績

T. Sekiguchi, M. Mochizuki, M. Yamamoto, K. Nakayama and Y. Tanaka

ICSCRM 2022 2022年9月

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開催年月日： 2022年9月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：ダボス、スイス
Thermal diffusion mechanism of Aluminum implanted in 4H-SiC 国際会議重要な業績

J. Shirai, K. Nakayama, M. Yamamoto, H. Umezawa, Y. Tanaka

DRIP XIX 2022年8月

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開催年月日： 2022年8月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン
デバイスシミュレーションによるSiCサージ吸収素子の設計及び電力損失の評価重要な業績

望月雅也，関口誉斗，山本真幸，中山浩二，田中保宣

令和４年度電気学会全国大会 2022年3月

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開催年月日： 2022年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭（一般）

開催地：オンライン
炭化珪素アバランシェダイオードによるスイッチング時のサージ抑制招待重要な業績

山本真幸

応用物理学会・先進パワー半導体分科会第18回研究会 2021年5月

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開催年月日： 2021年5月

記述言語：日本語会議種別：口頭（招待・特別）
Surge absorption by the 430V mesa-structured SiC avalanche diode 国際会議重要な業績

M. Yamamoto, K. Koseki, K. Nakayama, Y. Tanaka, S. Nishiyama

ISPSD 2020 2020年9月

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開催年月日： 2020年9月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：オンライン
Enhancement of Surge-Suppression Performance of a Solid-State Snubber by a SiC Avalanche-Diode 国際会議重要な業績

APEC2020 2020年3月

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表
炭化珪素サージ吸収ダイオードの試作と評価重要な業績

令和２年度電気学会全国大会 2020年3月

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開催年月日： 2020年3月

記述言語：日本語会議種別：口頭（一般）
Evaluation of Surge Reduction Performance of a SiC Avalanche Diode with Mesa Structure in a Switching Power Supply 国際会議重要な業績

K. Koseki, M. Yamamoto, and Y. Tanaka

ICSCRM 2019 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表
Failure Ayalysis of the SiC Clamp Diodes by 10kA/cm2 Avalanche Current 国際会議重要な業績

M. Yamamoto, K. Koseki, K. Nakayama, and Y. Tanaka

ICSCRM 2019 2019年9月

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開催年月日： 2019年9月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表
Fabrication of a High-Voltage SiC Avalanche Diode with a Superior Voltage Clamp Property 国際会議重要な業績

M. Yamamoto, K. Koseki, Y. Tanaka

ISPSD 2019 2019年5月

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開催年月日： 2019年5月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：中国、上海
A study on fastening the switching speed for wide bandgap semiconductor based Super Cascode 国際会議重要な業績

X. Wang, M. Yamamoto

ECSCRM 2018 2018年9月

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開催年月日： 2018年9月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表
Experimental Demonstration of SiC Screen GridVertical JFET (SiC-SGVJFET) Having a Ultra-Low Crss 国際会議重要な業績

K. Yano, T. Ishikawa, Y. Tanaka, T. Yatsuo, M. Yamamoto

ISPSD 2016 2016年6月

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開催年月日： 2016年6月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表
Cascode Configuration of SiC-BGSIT and Si-MOSFET with Low On-Resistance and High Transconductance 国際会議重要な業績

M. Yamamoto,Y. Tanaka,T. Yatsuo,K. Yano

ICSCRM 2015 2015年10月

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開催年月日： 2015年10月

記述言語：英語会議種別：ポスター発表

開催地：ジャルディーニ＝ナクソス，イタリア

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学外あるいは所属学部等外の組織との共同研究

SiC半導体素子の研究開発

産総研・先進パワーエレクトロニクス研究センター

2017年06月01日 - 継続中分担

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素子設計・試作・評価

担当授業科目（学内）

電気電子工学基礎ゼミ重要な業績

2023年度科目区分：専門教育（学部）
電気電子工学実験I 重要な業績

2023年度科目区分：専門教育（学部）
電子デバイス工学特論重要な業績

2023年度科目区分：修士（大学院）
微分積分学II 重要な業績

2023年度科目区分：専門教育（学部）
電気応用実験重要な業績

2023年度科目区分：専門教育（学部）
基礎電気電子工学実験重要な業績

2023年度科目区分：専門教育（学部）
電気系エンジニアのための英語リテラシ重要な業績

2023年度科目区分：専門教育（学部）

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