2024/12/03 更新

写真a

ヤマモト　マサユキ
山本　真幸
Yamamoto Masayuki
所属
大学院　総合研究部　工学域 電気電子情報工学系（大学教育・DX推進センター教育改革推進室） 准教授
職名
准教授
ホームページ
https://www.ccn.yamanashi.ac.jp/~masayukiy/

経歴

  • 山梨大学   工学部工学科電気電子工学コース   准教授

    2024年4月 - 現在

  • 山梨大学   大学教育・DX推進センター   専任教員（兼務）

    2022年7月 - 現在

  • 産業技術総合研究所   先進パワーエレクトロニクス研究センター   客員研究員

    2020年7月 - 現在

  • 山梨大学   工学部電気電子工学科   准教授

    2020年7月 - 2024年3月

  • 産業技術総合研究所   先進パワーエレクトロニクス研究センター   協力研究員

    2017年6月 - 2020年6月

  • 山梨大学   工学部電気電子工学科、山梨大学   助教

    2013年4月 - 2020年6月

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学歴

  • ハンブルク大学

    - 2007年8月

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    国名： ドイツ連邦共和国

    備考： (事項) ハンブルク大学第一理論物理学研究所　博士課程修了 (事項_英文) I. Institute for Theoretical Physics, University of Hamburg

    課程： 博士

学位

  • Ph.D (Natural Science) （ 2007年8月 ）

研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器

研究キーワード

  • 炭化珪素(SiC)半導体デバイスおよび集積回路

研究テーマ

  • 炭化珪素(SiC)半導体デバイスおよび集積回路の設計・試作と評価

論文

  • An improved 4H-SiC trench MOS barrier Schottky diode with current spreading layer and low resistance layer 査読 重要な業績

    H. Ge, W. Zhen, C. Yu, M. Yamamoto, W. Zhao, H. Guo, X. Wu

    Microelectronics Journal   154   106451-1 - 106451-9   2024年10月( ISSN：0026-2692 )

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.mejo.2024.106451

    DOI： 10.1016/j.mejo.2024.106451

  • Comparison of Si CMOS and SiC CMOS Operational Amplifiers 査読 重要な業績

    Ryosuke Kobayashi, Masayuki Yamamoto

    Solid State Phenomena   360   157 - 161   2024年8月( ISSN：16629779 )

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    担当区分：最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： 10.4028/p-ibXs8l

    DOI： 10.4028/p-ibXs8l

  • Fabrication of the SiC Gate-All-Around JFET 査読 重要な業績

    Masaya Mochizuki, Masayuki Yamamoto, Hitoshi Umezawa, Yasunori Tanaka

    IEEE Transactions on Electron Deivces   70 ( 9 )   4612 - 4617   2023年8月( ISSN：00189383 )

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    担当区分：責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： https://doi.org/10.1109/TED.2023.3299469

    DOI： https://doi.org/10.1109/TED.2023.3299469

  • Avalanche Robustness Investigation of SiC Avalanche Diodes at High Temperatures 査読 重要な業績

    Takato Sekiguchi, Masaya Mochizuki, Masayuki Yamamoto, Koji Nakayama, Yasunori Tanaka

    Materials Science Forum   1092   145 - 149   2023年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

    DOI： https://doi.org/10.4028/p-2953f7

    DOI： https://doi.org/10.4028/p-2953f7

  • Utilization of SiC Avalanche Diode as a Solid-State Snubber 査読 重要な業績

    K. Koseki, Y. Tanaka, K. Nakayama and M. Yamamoto

    23rd European Conference on Power Electronics and Applications   1 - 7   2021年10月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Surge absorption by the 430V mesa-structured SiC avalanche diode 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, K. Koseki, K. Nakayama, Y. Tanaka, S. Nishiyama

    Proc. of the 32th ISPSD   186 - 189   2020年8月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Evaluation of Surge Reduction Performance of a SiC Avalanche Diode with Mesa Structure in a Switching Power Supply 査読 重要な業績

    K. Koseki, M. Yamamoto, Y. Tanaka

    Materials Science Forum   1004   1129 - 1133   2020年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Enhancement of Surge-Suppression Performance of a Solid-State Snubber by a SiC Avalanche-Diode 査読 重要な業績

    K. Koseki, M. Yamamoto, Y. Tanaka

    Proc. of 2020 IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC)   2548 - 2553   2020年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Fabrication of a High-Voltage SiC Avalanche Diode with a Superior Voltage Clamp Property 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, K. Koseki, Y. Tanaka

    Proc. of the 31th ISPSD   171 - 174   2019年7月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • A study of fastening the switching speed for wide bandgap semiconductor based Super Cascode 査読 重要な業績

    X. Wang, M. Yamamoto

    Materials Science Forum   963   823 - 826   2019年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Extremely low on-resistance SiC cascode configuration using buried-gate static induction transistor 査読 重要な業績

    K. Yano, Y. Tanaka, M. Yamamoto

    IEEE Electron Device Letters   39   1892 - 1895   2018年12月( ISSN：0741-3106 )

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Experimental Demonstration of SiC Screen GridVertical JFET (SiC-SGVJFET) Having a Ultra-Low Crss 査読 重要な業績

    K. Yano, T. Ishikawa, Y. Tanaka, T. Yatsuo, M. Yamamoto

    Proc. of the 28th ISPSD   487 - 490   2016年7月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Cascode Configuration of SiC-BGSIT and Si-MOSFET with Low On-Resistance and High Transconductance 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, Y. Tanaka, T. Yatsuo, K. Yano

    Materials Science Forum   858   1095 - 1098   2016年5月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Self-assembled honeycomb lattice in the monolayer of cyclic thiazyl diradical BDTDA with a zero-bias tunneling spectra anomaly 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, その他８名

    Scientific Reports   5   2015年12月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Magnetic Response of Conductance Peak Structure in Junction-Confined Graphene Nanoribbons 査読 重要な業績

    M. Yamamoto,K. Wakabayashi

    Nanoscale   4   1138 - 1145   2012年2月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Kohn Anomalies in Graphene Nanoribbons 査読 重要な業績

    K. Sasaki, M. Yamamoto, S. Murakami, R. Saito, et al.

    Phys. Rev. B   80   1 - 11   2009年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Control of Electric Current by Graphene Edge Structure Engineering 査読 重要な業績

    M. Yamamoto,K. Wakabayashi

    Appl. Phys. Lett.   95   1 - 3   2009年8月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Nearly Perfect Single-Channel Conduction in Disordered Armchair Nanoribbons 査読 重要な業績

    M. Yamamoto,Y. Takane,K. Wakabayashi

    Phys. Rev. B   79   1 - 5   2009年3月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Conduction Distribution in Disordered Quantum Wires with a Perfectly Conducting Channel 査読 重要な業績

    Y. Takane,S. Iwasaki,Y. Yoshioka,M. Yamamoto,K. Wakabayashi

    J. Phys. Soc. Jpn.   78   1 - 6   2009年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • A Three-Terminal Spin Filter Based on Spin-Orbit Coupling in the Presence of Anti-Dot 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, B. Kramer

    Journal of Physics: Conference Series   150   022102-1 - 4   2009年3月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Edge Effect on Electronic Transport Properties of Graphene Nanoribbons and Presence of Perfectly Conducting Channel 査読 重要な業績

    K. Wakabayashi,Y. Takane,M. Yamamoto,M. Sigrist

    CARBON   47   124 - 137   2009年1月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • A Three-Terminal Spin Filter Induced by Spin-Orbit Interaction in the Presence of an Anti-Dot 査読 重要な業績

    M. Yamamoto and B. Kramer

    J. Appl. Phys.   103   1 - 6   2008年6月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Spin-dependent electronic transport in nanowire in the presence of Rashba and Dresselhaus spin-orbit coupling 査読 重要な業績

    M. Yamamoto

    博士論文(ハンブルク大学)   2007年8月

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    担当区分：筆頭著者,　最終著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：学位論文（博士）  

  • Spin Hall Current Induced by Electric Field Pulse 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, B. Kramer

    AIP Conference Proceedings   893   1265 - 1266   2007年5月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Spin Polarization Induced by Rashba Spin-Orbit Coupling in Three Terminal Devices 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, K. Dittmer, B. Kramer, T. Ohtsuki

    Physica E   29   490 - 494   2006年5月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Spin Polarization in a 3-terminal Conductor Induced by Rashba Spin-Orbit Coupling 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, J.Ohe, T. Ohtsuki,J. Nitta, B. Kramer

    Physica E   29   490 - 494   2005年11月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Spin-Polarization in a T-shape Conductor Induced by Spin-Orbit Interaction 査読 重要な業績

    M. Yamamoto,T. Ohtsuki,B. Kramer

    Phys. Rev. B   72   1 - 7   2005年9月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Mesoscopic Stern-Gerlach Spin Filter by Nonuniform Spin-Orbit Interaction 査読 重要な業績

    J. Ohe,M. Yamamoto,T. Ohtsuki,J. Nitta

    Phys. Rev. B   72   1 - 4   2005年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Spin-Polarized Current Induced by Three Terminal Geometry 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, J. Ohe, T. Ohtsuki

    Physica E   22   430 - 433   2004年4月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Conductance Fluctuations in the Presence of Spin Scattering 査読 重要な業績

    J. Ohe,M. Yamamoto,T. Ohtsuki

    Phys. Rev. B   68   1 - 5   2003年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effect of Magnetic Field Applied on Leads 査読 重要な業績

    M. Yamamoto, T. Ohtsuki, K. Slevin

    Journal of Physical Society of Japan   72 ( Supplement A )   155 - 156   2003年2月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

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講演・口頭発表等

  • 4H-SiC紫外線アバランシェフォトダイオードの放射線劣化と故障メカニズム 重要な業績

    W. Zhen, C. Yu, M. Yamamoto, H. Guo, H. Ge

    応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第11回講演会  2024年11月 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：群馬県高崎市  

  • 電流拡散層と低抵抗層を有する4H-SiCトレンチMOSバリアショットキーダイオード 重要な業績

    H. Ge, W. Zhen, C. Yu, M. Yamamoto, W. Zhao, H. Guo, X. Wu

    応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第11回講演会  2024年11月 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：群馬県高崎市  

  • 1.1kV SiCサージ吸収アバランシェダイオードの試作と評価 重要な業績

    小林良輔、中山浩二、黒岩丈晴、山本真幸、田中保宣

    応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第11回講演会  2024年11月 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：群馬県高崎市  

  • プレーナ型SiC全周ゲート構造JFETの作製 重要な業績

    雨宮貴紀、山本真幸、中山浩二、梅沢仁、黒岩丈晴、黒木伸一郎、田中保宣

    応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第11回講演会  2024年11月 

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    開催年月日： 2024年11月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：群馬県高崎市  

  • Fabrication of the planer SiC gate-all-around JFET with channel dose modulation 国際会議 重要な業績

    T. Amamiya, M. Yamamoto, H. Umezawa, K. Nakayama, T. Kuroiwa, S. Kuroki, Y. Tanaka

    ICSCRM 2024  2024年10月 

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    開催年月日： 2024年9月 - 2024年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：ノースカロライナ、アメリカ  

  • サイドゲート型SiC JFETの耐放射線特性評価 重要な業績

    小泉祐樹、飯酒盃知樹、武山昭憲、牧野高紘、大島武、梅沢仁、山本真幸、田中保宣

    応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第10回講演会  2023年11月 

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    開催年月日： 2023年11月 - 2023年12月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：金沢  

  • Comparison of Si CMOS and SiC CMOS Operational Amplifiers 国際会議 重要な業績

    R. Kobayashi and M. Yamamoto

    ICSCRM 2023  2023年9月 

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：ソレント、イタリア  

  • Avalanche robustness investigation of SiC avalanche diodes at high temperatures 国際会議 重要な業績

    T. Sekiguchi, M. Mochizuki, M. Yamamoto, K. Nakayama and Y. Tanaka

    ICSCRM 2022  2022年9月 

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：ダボス、スイス  

  • Thermal diffusion mechanism of Aluminum implanted in 4H-SiC 国際会議 重要な業績

    J. Shirai, K. Nakayama, M. Yamamoto, H. Umezawa, Y. Tanaka

    DRIP XIX  2022年8月 

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    開催年月日： 2022年8月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：オンライン  

  • デバイスシミュレーションによるSiCサージ吸収素子の設計及び電力損失の評価 重要な業績

    望月雅也，関口誉斗，山本真幸，中山浩二，田中保宣

    令和４年度電気学会全国大会  2022年3月 

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    開催年月日： 2022年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：オンライン  

  • 炭化珪素アバランシェダイオードによるスイッチング時のサージ抑制 招待 重要な業績

    山本真幸

    応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第18回研究会  2021年5月 

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    開催年月日： 2021年5月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（招待・特別）  

  • Surge absorption by the 430V mesa-structured SiC avalanche diode 国際会議 重要な業績

    M. Yamamoto, K. Koseki, K. Nakayama, Y. Tanaka, S. Nishiyama

    ISPSD 2020  2020年9月 

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    開催年月日： 2020年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：オンライン  

  • Enhancement of Surge-Suppression Performance of a Solid-State Snubber by a SiC Avalanche-Diode 国際会議 重要な業績

    APEC2020  2020年3月 

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    開催年月日： 2020年3月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • 炭化珪素サージ吸収ダイオードの試作と評価 重要な業績

    令和２年度電気学会全国大会  2020年3月 

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    開催年月日： 2020年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • Evaluation of Surge Reduction Performance of a SiC Avalanche Diode with Mesa Structure in a Switching Power Supply 国際会議 重要な業績

    K. Koseki, M. Yamamoto, and Y. Tanaka

    ICSCRM 2019  2019年9月 

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    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Failure Ayalysis of the SiC Clamp Diodes by 10kA/cm2 Avalanche Current 国際会議 重要な業績

    M. Yamamoto, K. Koseki, K. Nakayama, and Y. Tanaka

    ICSCRM 2019  2019年9月 

    　詳細を見る

    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Fabrication of a High-Voltage SiC Avalanche Diode with a Superior Voltage Clamp Property 国際会議 重要な業績

    M. Yamamoto, K. Koseki, Y. Tanaka

    ISPSD 2019  2019年5月 

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    開催年月日： 2019年5月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：中国、上海  

  • A study on fastening the switching speed for wide bandgap semiconductor based Super Cascode 国際会議 重要な業績

    X. Wang, M. Yamamoto

    ECSCRM 2018  2018年9月 

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Experimental Demonstration of SiC Screen GridVertical JFET (SiC-SGVJFET) Having a Ultra-Low Crss 国際会議 重要な業績

    K. Yano, T. Ishikawa, Y. Tanaka, T. Yatsuo, M. Yamamoto

    ISPSD 2016  2016年6月 

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    開催年月日： 2016年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Cascode Configuration of SiC-BGSIT and Si-MOSFET with Low On-Resistance and High Transconductance 国際会議 重要な業績

    M. Yamamoto,Y. Tanaka,T. Yatsuo,K. Yano

    ICSCRM 2015  2015年10月 

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    開催年月日： 2015年10月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：ジャルディーニ＝ナクソス，イタリア  

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学外あるいは所属学部等外の組織との共同研究

  • SiC半導体素子の研究開発

    産総研・先進パワーエレクトロニクス研究センター

    2017年06月01日 - 継続中  分担

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    素子設計・試作・評価

担当授業科目（学内）

  • 電気の基礎 重要な業績

    2024年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電気系エンジニアのための英語リテラシ 重要な業績

    2024年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電気応用実験 重要な業績

    2024年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電気電子工学実験I 重要な業績

    2024年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電子デバイス工学特論 重要な業績

    2024年度  科目区分：修士（大学院）

  • 電気電子工学基礎ゼミ

    2023年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電気電子工学実験I

    2023年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電子デバイス工学特論

    2023年度  科目区分：修士（大学院）

  • 微分積分学II

    2023年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電気応用実験

    2023年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 基礎電気電子工学実験

    2023年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電気系エンジニアのための英語リテラシ

    2023年度  科目区分：専門教育（学部）

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