2024/05/01 更新

写真a

マツモト タカシ
松本 俊
Matsumoto Takashi
所属
大学院 総合研究部 工学域 電気電子情報工学系(富士電機パワーデバイス講座) 教授
職名
教授
連絡先
メールアドレス

経歴

  • 山梨大学特任教授

    2013年4月 - 現在

  • 山梨大学名誉教授

    2012年4月 - 現在

  • 山梨大学教授

    1991年4月 - 現在

  • 山梨大学助教授

    1974年10月 - 現在

学歴

  • 東京大学

    - 1974年3月

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    国名: 日本国

    備考: (事項) 東京大学大学院 工学研究科 博士課程 修了

  • 東京大学

    - 1969年5月

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    国名: 日本国

    備考: (事項) 東京大学 工学部 電子工学科卒業

学位

  • 工学博士 ( 東京大学 )

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器  / 光・電子デバイス

  • ナノテク・材料 / 応用物性  / 化合物半導体のエピタキシャル成長

  • ナノテク・材料 / 応用物性  / 半導体量子構造

研究テーマ

  • 量子構造磁性半導体

  • 酸化物半導体の電子光物性

  • II-VI族半導体の低次元量子構造

  • 半導体ナノ構造中の励起移動

  • 酸化物半導体の電子デバイス応用

論文

  • Leakage current analysis of silicon diode with anode activated by furnace annealing or laser annealing using deep level transient spectroscopy 査読

    Hiroki Wakimoto, Takashi,Matsumoto, Koji Yano, Tsutomu Muranaka

    2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Tunneling of spin polarized excitonsin ZnCdSe and ZnCdMnse coupled double quantum wells 査読

    Kenta Ohomori,Kazyki Kodama,Tsutomu Muranaka,Takashi Matsumoto

    Phys. Status Solidi C   7 ( 6 )   1642 - 1644   2010年6月

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    記述言語:英語  

  • Structural and optical properties of ZnSe-based diluted magnetic semiconductor quantum-well wire arrays by wet chemical etching 査読

    Tsutomu Muranaka,Suguru Iizuka,Kazuki Kodama,Kenta Ohmori,Yoiichi Nabetani,Takashi Matsumoto

    Phys. Status Solidi C   7 ( 6 )   1648 - 1650   2010年6月

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    記述言語:英語  

  • XRD characterization of ZnO layers grown on GaAs(111)B, c-plane and a-plane sapphire substrate by plasma-assisted MBE 査読

    Tsutomu Muranaka,Tastumi Sakano,Keiichi Mizuguchi,Yoichi Nabetani,Tetsuya Akitsu,Takashi Matsumoto,Shigeru Hagihara,Osamu Abe,Satoshi Hiraki,Yuichiro Fujukawa

    Phys. Status Solidi C   7 ( 6 )   1556 - 1558   2010年6月

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    記述言語:英語  

  • Temperature dependence of the band gap of ZnSe1−xOx 査読

    Robert Broesler,Eugene E. Haller,Wladek Walukiewicz,Tsutomu Muranaka,Takashi Matsumoto,Yoichi Nabetani

    Appl. Phys. Lett., 95, 151907(1-3), (2009).   2009年10月

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    記述言語:英語  

  • MBE growth and magneto-optical properties of ZnCdSe-ZnMnSe wire systems 査読

    Takashi Matsumoto,Kenta Omori,Kazuhito Nakamura,Tsutomu Muranaka,Yoichi Nabetani

    Physica status solidi (c)   6 ( 5 )   1339 - 1342   2009年5月

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    記述言語:英語  

  • Electrical and Optical Properties of Ga-Doped ZnO Films Grown on Glass and Plastic Substrates by Using Plasma-Assisted Deposition 査読

    Tsutomu Muranaka,Akito Nishii,Taku Uehara,Tatsumi Sakano,Yoichi Nabetani,Tetsuya Akitsu,Takamasa Kato,Takashi Matsumoto,Shigeru Hagihara,Osamu Abe,Tetsu Hiraki,Yuichiro Fujikawa

    Journal of the Korean Physical Society   53 ( 5 )   2947 - 2950   2008年5月

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    記述言語:英語  

  • Doping Profiles and Nanostructural Properties of Molecular-Beam-Deposited GZO Thin Films on Glass Substrates 査読

    Tsutomu Muranaka,Taku Uehara,Tatsumi Sakano,Yoichi Nabetani,Tetsuya Akitsu,Takamasa Kato,Takashi Matsumoto,Shigeru Hagihara,Osamu Abe,Tetsu Hiraki,Yuichiro Fujikawa

    Journal of the Korean Physical Society   53 ( 5 )   2897 - 2900   2008年5月

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    記述言語:英語  

  • Magneto-Optical Properties of ZnMnSe-ZnSe-ZnCdSe Quantum Structures 査読

    Masahiro Ito,Takamasa Tajima,Kenta Omori,Tsutomu Muranaka,Yoichi Nabetani,Takamasa Kato,Takashi Matsumoto

    Journal of the Korean Physical Society   53 ( 5 )   2972 - 2975   2008年5月

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    記述言語:日本語  

  • Robustness of self-isolated high-voltage integrated circuit against the voltage surge during conductivity modulation delay in free-wheeling diode 査読

    T.Yamazaki,N.Kumagai,A.Nishiura,T.Fujihira,T.Matsumoto

    Jpn. J.Appl.Phys.   46 ( 2 )   569 - 571   2007年2月

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    記述言語:英語  

  • Incorporation of P in CuInS2 using InP as a p-type dopant 査読

    T.Kato,H.Yamaguichi,T.Nakamura,Y.Nabetani,T.Matsumoto

    pss(c)   3   2606 - 2609   2006年11月

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    記述言語:英語  

  • Low temperature growth of transparent conducting ZnO films by plasma assisted deposition, vol.203, 2887– 2890 (2006). 査読

    A. Nishii,T. Uehara,T. Sakano,Y. Nabetani,T. Akitsu,T. Kato,T. Matsumoto,S. Hagihara,O. Abe,S. Hiraki,Y. Fujikawa

    phys. stat. sol. (a)   203   2887 - 2890   2006年11月

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    記述言語:英語  

  • Epitaxial growth and optical investigations of ZnTeO alloys 査読

    Y. Nabetani,T. Okuno,K. Aoki,T. Kato,T. Matsumoto,T. Hirai

    phys. stat. sol. (a)   203   2653 - 2657   2006年11月

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    記述言語:英語  

  • High-voltage p-channel level shifter using charge-controlled self-isolation structureJJAP, 45,9A,6914-6916/(2006) 査読

    T.Yamazaki,N.Kumagai,A.Nishimura,T.Fujihira,Y.Seki,T.Matusmoto,

    JJAP   45 ( 9 )   6914 - 6916   2006年9月

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    記述言語:日本語  

  • Role of nitrogen precursor supplies on InAs quqntum dot surfaces in their emission wavelength 査読

    I. Suemune,G. Sasikala,H. Kumano,K. Uesugi,Y., Nabetani,T. Matsumoto,J. -T. Maeng,T. Y. Seong

    Jap.J.Appl.Phys.   45   L529 - L532   2006年5月

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    記述言語:英語  

  • Photoluminescence properties of ZnTeO and ZnSeO alloys with dilute O concentrations 査読

    Y. Nabetani,T. Okuno,K. Aoki,T. Kato,T. Matsumoto他1名

    phys. stat. sol.(c)   3 ( 4 )   1078 - 1081   2006年5月

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    記述言語:英語  

  • Composition control of ZnSSeO quaternary alloys grown on GaP 査読

    Y. Nabetani,Y. Ito,K. Kamisawa,T. Kato,T. Matsumoto他1名

    phys. stat. sol.(c)   3 ( 4 )   1082 - 1086   2006年5月

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    記述言語:英語  

  • Characterization of MBE grown ZnO on GaAs (111) substrates 査読

    T. Matsumoto,K. Nishimura,A. Nishii,A. Ota,Y. Nabetani他1名

    phys. stat. sol.(c)   3 ( 4 )   984 - 987   2006年5月

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    記述言語:英語  

  • Passivation of an isoelectronic impurity by atomic hydrogen: The case of ZnTe:O 査読

    Marco Felici,Antonio Polimeni,Mario Capizzi,Y. Nabetani,T. Okuno他4名

    Appl. Phys. Lett.   88   10191 - 987   2006年3月

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    記述言語:英語  

  • Exerimental and numerical studies on dV/dt robustness of 1200V high-voltage integrated circuits using self-isolation structure 査読

    T.Yamazaki,S.Jimbo,N.Kumagai,A.Nishimura,T.Hujihira,Y.Seki,T.Matsumoto

    JJAP   45 ( 1 )   43 - 48   2006年1月

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    記述言語:英語  

  • Experimental and numerical studies on dV/dt robustness of 1200V high-voltage integrated circuits using self-isolattion structure 査読

    T.Yamazaki,S.Jinbo,Y.Seki,T.Matsumoto,他3名

    Jpn.J.Appl.Phys.   45 ( 1A )   43 - 48   2006年1月

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    記述言語:英語  

  • Exerimental and numerical studies on dV/dt robustness of 1200V high-voltage integrated circuits using self-isolation structure 査読

    T.Yamazaki,S.Jimbo,N.Kumagai,A.Nishimura,T.Hujihira,Y.Seki,T.Matsumoto

    JJAP   45 ( 1 )   43 - 48   2006年1月

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    記述言語:英語  

  • Structural and luminescence properties of InAs quantum dots: Effect of nitrogen exposure on dot surfaces 査読

    G. Sasikala,I. Suemune,P. Thilakan,H. Kumano,K. Uesugi他3名

    Jpn. J. Appl. Phys.   44 ( 50 )   L1512 - L1515   2005年12月

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    記述言語:英語  

  • Theory of strain states in InAs quantum dots and dependence on their capping layers 査読

    Y. Nabetani, T. Matsumoto, G. Sasikala, and I. Suemune

    J. Appl. Phys.   98 ( 6 )   6350 - 6350   2005年8月

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    記述言語:英語  

  • Solution growth of CuGa1 xInxS2 by the temperature difference method under controlled S vapor pressure 査読

    T. Kato,T. Omata,T. Nakamura,D. Anno,Y. Nabetani他1名

    J. Crystal Growth   275   e531 - e536   2004年12月

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    記述言語:英語  

  • Effect of lattice ionicity on hydrogen activity in II-VI materials containing isoelectronic impurities 査読

    M. Felici,V. Cesari,A. Polimeni,A. Frova,M. Capizzi他11名

    IEE Proc. -Optoelectron.   151   465 - 468   2004年10月

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    記述言語:英語  

  • Improved luminescence efficiency of InAs quantum dots by nitrogen-induced strain compensation with GaNAs burying layers 査読

    I. Suemune,S. Ganapathy,H. Kumano,K. Uesugi,Y. Nabetani他1名

    Proc. of International Conference on Indium Phosphide and Related Materials   636 - 639   2004年7月

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    記述言語:英語  

  • Temperature dependence and bowing of the bandgap in ZnSe1-xOx 査読

    A. Polimeni,M. Capizzi,Y. Nabetani,Y. Ito,T. Okuno他3名

    Appl. Phys. Lett.   84 ( 17 )   3304 - 3306   2004年4月

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    記述言語:英語  

  • MBE growth and optical properties of ZnO on GaAs(111) substrates 査読

    T. Matsumoto,K. Nishimura,Y. Nabetani,T. Kato

    phys. stat. sol.(b)   241 ( 3 )   591 - 594   2004年2月

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    記述言語:英語  

  • MBE growth of ZnSSeO alloy using ZnS as a sulfur source 査読

    Y. Nabetani,Y. Ito,T. Mukawa,T. Okuno,T. Kato他1名

    phys. stat. sol.(b)   241 ( 3 )   595 - 598   2004年2月

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    記述言語:英語  

  • Improvement of InAs quantum-dot optical properties by strain compensation with GaNAs capping layers 査読

    X.Q. Zhang,S. Ganapathy,I. Suemune,H. Kumano,K. Uesugi他2名

    Appl. Phys. Lett.   83 ( 22 )   4524 - 4526   2003年12月

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    記述言語:英語  

  • Luminescent properties of ZnCdSe/ZnMnSe superlattices 査読

    A. Fujita,A. Ota,K. Nakamura,Y. Nabetani,T. Kato他1名

    Materials Science in Semiconductor Processing   6 ( 5月6日 )   457 - 460   2003年12月

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    記述言語:英語  

  • Theoretical analysis of microscopic strain distribution and phase stability of Zn chalcogenide alloys using valence force field model 査読

    Y. Ito,Y. Nabetani,T. Kato,T. Matsumoto

    Materials Science in Semiconductor Processing   6 ( 5月6日 )   409 - 412   2003年12月

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    記述言語:英語  

  • Structure and optical properties of ZnSeO alloys with O composition up to 6.4% 査読

    Y. Nabetani,T. Mukawa,T. Okuno,Y. Ito,T. Kato他1名

    Materials Science in Semiconductor Processing   16 ( 5月6日 )   343 - 346   2003年12月

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    記述言語:英語  

  • Epitaxial growth and large band-gap bowing of ZnSeO alloy 査読

    Y. Nabetani,T. Mukawa,Y. Ito,T. Matsumoto

    Appl. Phys. Lett.   83 ( 6 )   1148 - 1150   2003年8月

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    記述言語:英語  

  • Effect of oxygen on the electronic band structure in ZnOxSe1-x alloys 査読

    W. Shan,W. Walukiewicz,J.W. Ager III,K.M. Yu,J. Wu他5名

    Appl. Phys. Lett.   83 ( 2 )   299 - 301   2003年7月

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    記述言語:英語  

  • A Study on the short-circuit capability of field-stop IGBTs 査読

    M. Otsuki,Y. Onozawa,H. Kanemaru,Y. Seki,T. Matsumoto

    IEEE Trans. on Electron Devices   50   1525 - 1531   2003年6月

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    記述言語:英語  

  • MBE growth and optical properties of ZnSeO 査読

    Y. Nabetani,T. Mukawa,Y. Ito,T. Kato,Matsumoto

    Proc. of 2002 MRS Fall Meeting   83 ( 2 )   299 - 301   2002年12月

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    記述言語:英語  

  • High resolution transmission electron microscope analysis of CdSe/ZnSe strained layer superlattices grown on InP 査読

    Y. Nabetani,Y. Kobayashi,T. Kato,T. Matsumoto

    phys. stat. sol.(b)   229 ( 1 )   209 - 212   2002年4月

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    記述言語:英語  

  • Structural properties of Cu(Ga1-xInx)ySz bulk alloys 査読

    T. Kato,S. Hayashi,T. Kiuchi,Y. Ishihara,Y. Nabetani他1名

    J. Crystal Growth   237-239 ( 2 )   2005 - 2008   2002年4月

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    記述言語:英語  

  • HRTEM observationof CdSe/ZnSe SQWs grown on vicinal GaAs substrate 査読

    Y. Nabetani,Y. Kobayashi,T. Kato,T. Matsumoto

    J. Crystal Growth   237-239 ( 2 )   1541 - 1544   2002年4月

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    記述言語:英語  

  • MBE growth of MnTe/ZnTe superlattices on GaAs(100) vicinal substrates 査読

    T. Suzuki,I. Ishibe,Y. Nabetani,T. Kato,T. Matsumoto

    J. Crystal Growth   237-239 ( 2 )   1374 - 1377   2002年4月

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    記述言語:英語  

  • Arrangement of atoms and strain distribution in CdSe/ZnSe strained single quantum well on vicinal GaAs substrate 査読

    Y. Nabetani,T. Kato,T. Matsumoto

    J. Appl. Phys.   89 ( 1 )   154 - 159   2001年1月

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    記述言語:英語  

  • Optical investigation of critical thickness and interface fluctuation in CdSe/ZnSe strained layer superlattices grown on InP 査読

    Y. Nabetani,I. Ishibe,K. Sugiyama,T. Kato,T. Matsumoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   39 ( 5 )   2541 - 2545   2000年5月

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    記述言語:英語  

  • Change in alloy composition in Cu(Ga1-xInx)ySz after CuI or Cu2S annealing 査読

    T. Kato,Y. Ishinara,Y. Nabetani,T. Matsumoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   Jan-39   81 - 82   2000年1月

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    記述言語:英語  

  • Epitaxial growth of ZnSe films on CuGaSe2 films 査読

    M. Tanaka,Y. Nabetani,T. Kato,T. Matsumoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   Jan-39   218 - 219   2000年1月

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    記述言語:英語  

  • X-ray diffraction and photoreflectance study of CuGaSe2 epitaxial layers 査読

    M. Tanaka,T. Kodama,Y. Nabetani,T. Kato,T. Matsumoto

    Jpn. J. Appl. Phys.   Jan-39   203 - 204   2000年1月

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    記述言語:英語  

  • Lateral potential modulation by strain distribution in single quantum well grown on vicinal substrate: an approach to low dimensional quantum structure 査読

    Y. Nabetani, T. Kato, and T. Matsumoto

    Proc. of 2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes   480 - 483   1998年9月

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    記述言語:英語  

  • Optical properties of CdSe/ZnSe strained layer superlattices grown on InP 査読

    Y. Nabetani,T. Kato,T. Matsumoto

    Proc. of 2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes   238 - 241   1998年9月

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    記述言語:英語  

  • Growth of Cu-(Ga,In)-S system using temperature difference method under controlled S vapor pressure 査読

    T. Kato,T. Kiuchi,T. Matsumoto,Y. Nabetani

    Institute of Physics Conference Series   152   15 - 18   1998年1月

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    記述言語:英語  

  • Iodide MBE of CuGaSe2 on GaAs(100) substrates 査読

    T. Kodama,Y. Nabetani,T. Kato,T. Matsumoto,Ueng Herng-Yih

    Institute of Physics Conference Series   152   273 - 276   1998年1月

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    記述言語:英語  

  • Structure and PL properties of CdSe/ZnSe single quantum wells grown on vicinal GaAs substrates 査読

    Y. Nabetani,H. Abe,H. Takano,T. Kato,T. Matsumoto

    Nonlinear Optics   78 ( 2月4日 )   129 - 132   1997年8月

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    記述言語:英語  

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書籍等出版物

  • 光・電磁物性

    ( 担当: 共著)

    コロナ社  2006年10月 

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    記述言語:日本語   著書種別:学術書

  • 応用物性

    ( 担当: 共著)

    オーム社  1991年2月 

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    記述言語:日本語   著書種別:学術書

講演・口頭発表等

  • Roll-to-roll PAMBD法によるGZO透明導電膜の作製と評価

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月 

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語  

  • 光駆動 SiC カスコード スイッチによるハーフブリッジインバータ

    2022年電気学会産業応用部門大会  2022年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年8月

    記述言語:日本語  

  • プラズマ支援分子線堆積法よるフレキシブル基板上へのGZO透明導電膜の形成と評価(6)

    2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • 局在準位を有する半導体ZnTeO 混晶の光導電性評価

    三枝 直樹,鍋谷 暢一,村中 司,松本 俊

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:神奈川  

  • シャッター制御による混晶組成制御と多重量子井戸構造の作製

    深澤左興,菱川正夫,岩崎文昭,輿石渓,米山貴裕,村中司,鍋谷暢一,松本俊

    第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:神奈川  

  • Zn-Cd-Mn-Se 系DQWの光学的特性と構造評価(2)

    岩崎文昭,菱川正夫,深澤左興,米山貴裕,村中司,鍋谷暢一,松本俊

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:神奈川  

  • MBE成長したZnTeO混晶の構造および光学特性

    平松和也,鍋谷暢一,村中司,松本俊

    第58回応用物理学関係連合講演会、神奈川、、2011.3.27.  2011年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • 結合DQW構造におけるスピン偏極励起子発光の動特性

    菱川正夫,深澤左興,岩崎文昭,村中司,鍋谷暢一,松本俊

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:神奈川  

  • Zn(C6H15O3)2をZn原料として用いたZnOのMOVPE成長、

    小林哲也,加藤征己,鍋谷暢一,松本俊,村中司

    第58回応用物理学関係連合講演会  2011年3月 

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:神奈川  

  • ZnO-TFTのI-V特性と深い準位の測定

    榊原章剛,森雄大,佐野志保,堀井貴大,村中司,鍋谷暢一,松本俊

    多元系機能材料研究会2010年度講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:その他  

    開催地:習志野  

  • ZnCdse系DQWにおける励起子トンネリングと励起子相互作用

    菱川正夫,深澤左興,岩崎文昭,村中司,鍋谷暢一,松本俊

    多元系機能材料研究会2010年度講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:その他  

    開催地:習志野  

  • 原料交互供給によるZn-Cd-Mn-Se系ナノ構造の作製と評価

    深澤左興,菱川正夫,岩崎文昭,米山貴裕,村中司,鍋谷暢一,松本俊」

    多元系機能材料研究会2010年度講演会  2010年11月 

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    開催年月日: 2010年11月

    記述言語:日本語   会議種別:その他  

    開催地:習志野  

  • Electrical properties of Ga-doped ZnO transparent conducting films prepared at temperatures close to room temperature

    Takashi Matsumoto,Keiichi Mizuguchi,Takahiro Horii,Shiho Sano,Tsutomu Muranaka,Yoichi Nabetani,Satoshi Hiraki,H. Furukawa,A. Fukasawa,S. Sakamoto,S. Hagihara,H. kono,K. Kijima,O. Abe,K. Yashiro

    17th International Conference on Ternary and Multinary Compounds  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

    開催地:Baku, Azerbaijan  

  • Optical and structural properties of Zn-Cd-Mn-Se double quantum well systems

    Takashi Matsumoto,Kenta Ohmori,Kazuki Kodama,M.asao Hishikawa,Sakyo Fukasawa,Fumiaki Iwasaki,Tsutomu Muranaka,Yoichi Nabetani

    17th International Conference on Ternary and Multinary Compounds  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Baku, Azerbaijan  

  • 希釈磁性半導体量子井戸の磁場依存近接場発光特性

    内山 和治,久保田悟,是沢太郎,櫻本泰浩,成瀬 誠,松本 俊,小林 潔,堀 裕和

    第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:長崎  

  • 低温成長GaドープZnO薄膜(2)-X線回折特性-

    佐野志保,堀井貴大,村中司,鍋谷暢一,松本俊,平木哲,古川英明,深沢明広,坂本慎吾,荻原茂,河野裕,木島一広,安部治,八代浩二

    第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:長崎  

  • Zn-Cd-Mn-Se系DQWの光学特性と構造評価

    岩崎文昭,菱川正夫,深澤左興,村中司,鍋谷暢一,松本俊

    第71回応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:長崎  

  • 低温成長GaドープZnO薄膜 (1) -電気的特性-

    堀井貴大,佐野志保,村中司,鍋谷暢一,松本俊,平木哲,古川英明,深沢明広,阪本慎吾,萩原茂,河野裕,木島一広,阿部治,八代浩

    第71回応用物理学会学術講演会,長崎,,2010.9.14.  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:長崎  

  • 希釈磁性半導体量子井戸の磁場依存近接場発光特性

    内山 和治,久保田 悟,成瀬 誠,松本 俊,小林 潔,堀 裕和

    第19回ナノオプティクス研究討論会  2010年7月 

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    開催年月日: 2010年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • プラズマ支援堆積法によるZnO透明導電膜の低温成長

    水口慶一,宮下祐司,堀井貴大,佐野志保,榊原章剛,村中司,鍋谷暢一,松本俊,平木哲,古川英明,深沢明広,阪本慎吾,萩原茂,河野裕,木島一広,阿部治,八代浩二

    多元系機能材料研究会年末講演会, P-14 (2009.12)  2009年12月  応用物理学会

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    開催年月日: 2009年12月

    記述言語:日本語   会議種別:その他  

    開催地:岡山  

  • Spin Polarized Exciton Transfer in ZnSe-based Coupled Quantum Wells,

    T. Matsumoto,K. Ohmori,K. Kodama,T. Muranaka,Y. Nabetani

    Japan-Korea Asian Core Program General Meeting on Interdisciplinary Science of Nanomaterials  2009年9月 

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    開催年月日: 2009年9月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

    開催地:Sendai  

  • XRD characterization of ZnO layers grown on GaAs(111), sapphire c-plane and a-plane substrates by Plasma-Assisted MBE

    Tsutomu Muranaka,Tatsumi Sakano,Keiichi Mizuguchi,Yoichi Nabetani,Tetsuya Akitsu,Takashi Matsumoto,Shigeru Hagihara,Osamu Abe,Satoshi Hiraki,Yuichiro Fujikawa

    14th International Conference on II-VI Compounds, (2009, 8)  2009年8月 

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

    開催地:St.Petersburg, Russia  

  • MOVPE growth of ZnO using Zn(C9H15O3)2 as a Zn source

    Yoichi Nabetani,Ikuo Hatanaka,Tetsuya Kobayashi,Tsutomu Muranaka,Takamasa Kato,Takashi Matsumoto

    14th International Conference on II-VI Compounds, (2009, 8)  2009年8月 

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

    開催地:St.Petersburg, Russia  

  • Epitaxial growth and characterization of ZnSTeO quaternary alloys

    Yoichi Nabetani,Kazuaki Gemma,Tsutomu Muranaka,Takamasa Kato,Takashi Matsumoto

    14th International Conference on II-VI Compounds, (2009, 8)  2009年8月 

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

    開催地:St.Petersburg, Russia  

  • Tunneling of spin polarized excitons in ZnCdSe and ZnCdMnSe coupled double quantum wells

    Kenta Ohmori,Kazuki Kodama,Tsutomu Muranaka,Yoichi Nabetani,Takashi Matsumoto

    14th International Conference on II-VI Compounds, (2009, 8)  2009年8月 

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

    開催地:St.Petersburg, Russia  

  • Photoluminescence in ZnSe-based diluted magnetic semiconductor quantum well wire structures formed by wet chemical etching

    Tsutomu Muranaka,Suguru Iizuka,Kazuki Kodama,Kenta Ohmori,Yoichi Nabetani,Takashi Matsumoto

    14th International Conference on II-VI Compounds  2009年8月 

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

    開催地:St.Petersburg, Russia  

  • 結合の強さに依存したZn-Cd-Mn-Se系DQWの励起子トンネリング

    菱川正夫,大森健太,児玉和樹,深澤左興,村中司,鍋谷暢一,松本俊

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:その他  

  • 化学エッチングにより形成したZnSe系希薄磁性半導体細線アレイの光学特性

    飯塚傑,杉本一馬,児玉和樹,大森健太,村中司,鍋谷暢一,松本俊

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • Zn-Mn-Cd-Se系2重量子井戸の構造評価

    深澤左興,菱川正夫,児玉和樹,大森健太,村中司,鍋谷暢一,松本俊

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • GaAs加工基板上へのZnSe系量子ナノ構造のMBE成長

    村中司,飯塚傑,杉本一馬,児玉和樹,大森健太,鍋谷暢一,松本俊

    第56回応用物理学関係連合講演会  2009年3月 

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • Zn(C9H15O3)2を原料としたZnO のサファイア基板上へのMOVPE成長

    畠中郁夫,小林哲也,鍋谷暢一,松本俊,村中司

    応用物理学会結晶工学分科会年末講演会, 22 (2008.12)  2008年12月 

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    開催年月日: 2008年12月

    記述言語:日本語   会議種別:その他  

  • Zn-Cd-Mn-Se 系結合DQW構造の励起子トンネリング

    大森健太,児玉和樹,菱川正夫,深澤左興,村中司,鍋谷暢一,松本俊

    多元系機能材料研究会年末講演会, O-6 (2008.11)  2008年11月 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • プラズマ支援堆積法による大面積ZnO透明導電膜

    水口慶一,秋山太幸,原澤哲也,榊原章剛,村中司,鍋谷暢一,秋津哲也,松本俊,平木哲,藤川雄一郎,萩原茂,河野裕,木島一広,阿部治,八代浩二

    多元系機能材料研究会年末講演会  2008年11月 

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    開催年月日: 2008年11月

    記述言語:日本語   会議種別:その他  

  • MBE growth and magneto-optical properties of ZnCdSe-ZnMnSe wire systems Berlin, 128 (2008.9)

    Takashi Matsumoto,Kenta Omori,Kazuhito Nakamura,Tsutomu Muranaka,Yoichi Nabetani

    16th International Conference on Ternary and Multinary Compounds  2008年9月 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

  • ZnSe系結合DQW構造のXRD

    児玉和樹,大森健太,深澤左興,村中司,鍋谷暢一,松本俊

    第69回応用物理学会学術講演会  2008年9月 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • 磁性/非磁性結合DQWの井戸間相互作用

    大森健太,児玉和樹,村中司,鍋谷暢一,松本俊

    第68回応用物理学会学術講演会, (2008.9)  2008年9月 

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    開催年月日: 2008年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • ZnCdSe-ZnMnSe細線系のMBE成長と磁気光学特性

    大森健太,中村和史,村中司,鍋谷暢一,松本俊

    応用物理学会多元系機能材料研究会『ICTMC-16に向けた研究討論会』  2008年8月 

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    開催年月日: 2008年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • Temperature Lowering Condition and Annealing Effects on MOCVD-Grown ZnO Using Zn-MOPD (Zn(C9H15O3)2)

    Ikuo Hatanaka,Yoichi Nabetani,Takashi Matsumoto,Takamasa Kato,Tsutomu Muranaka,Tooru Hirai,27th Electronic Materials Symposium, L6 (2008, 7)

    27th Electronic Materials Symposium  2008年7月 

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    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

  • Growth and Characterization of Ga-Doped ZnO Thin Films by Plasma-Assisted Molecular Beam Deposition

    Tsutomu Muranaka,Tatsumi Sakano,Taku Uehara,Yoichi Nabetani,Tetsuya Akitsu,Takamasa Kato,Takashi Matsumoto,Shigeru Hagihara,Osamu Abe,Tetsu Hiraki,Yuichiro Fujikawa

    Tsutomu Muranaka, Tatsumi Sakano, Taku Uehara, Yoichi Nabetani, Tetsuya Akitsu, Takamasa Kato, Takashi Matsumoto, Shigeru Hagihara, Osamu Abe, Tetsu Hiraki and Yuichiro Fujikawa  2008年7月 

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    開催年月日: 2008年7月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

    開催地:27th Electronic Materials Symposium  

  • MBE growth and optical properties of ZnSe based DMS nanostructrues 重要な業績

    T.Matsumoto

    Asia Core Workshop on Wide band gap Semiconductors, Seoul  2008年2月  KOSEF,JSAP

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    開催年月日: 2008年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(招待・特別)  

    開催地:Seoul  

  • Magneto-Optical Properties of ZnMnSe-ZnSe-ZnCdSe Quantum Structures 重要な業績

    M. Ito,T. Muranaka,Y. Nabetani,T. Kato,T. Matsumoto 他2名

    13th International Conference on II-VI Compounds  2007年9月 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

  • Doping Profiles and Nanostructural Properties of Molecular Beam Deposited GZO Thin Films on Glass Substrates 重要な業績

    T. Muranaka,T. Uehara,T. Sakano,Y. Nabetani,T. Matsumoto 他6名

    13th International Conference on II-VI Compounds  2007年9月 

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    開催年月日: 2007年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

  • Low temperature growth of transparent conducting ZnO films by plasma assisted deposition 重要な業績

    A.Nishi,T.Uehara,Y.Nabetani,T.Akitsu,T.Matsumoto,他6名

    15th International Conference on Ternary and Multinary Compounds  2006年3月 

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

    開催地:Kyoto  

  • Characterization of MBE grown ZnO on GaAs(111) substrates

    T.Matsumoto,K.Nishimura,A.Nishii,A.Ota,Y.Nabetani

    12th International Conference on II-VI Compounds  2005年9月 

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    開催年月日: 2005年9月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

    開催地:Warsaw  

  • Optical properties of ZnMnSe heteroepitaxial layers 重要な業績

    T.Matsumoto,A.Ota,K.Nakamura,A.Fujita,Y.Nabetani,T.kato

    11th Interanational Conference on II-VI Compounds  2003年9月 

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    開催年月日: 2003年9月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

    開催地:Nigara Falls  

  • MBE growth and optical properties of ZnO on GaAs(111) substrates 重要な業績

    T.Matsumoto,K.Nishimura,Y.Nabetani,T.Kato

    11th Interanational Conference on II-VI Compounds  2003年9月 

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    開催年月日: 2003年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Nigara Falls  

  • Plasma assisted MBE growth and Characterization of hexagonal ZnO on GaAs(111) substrates

    T.Matudsmoto,Y.Nabetani,C.Ando,H.Kinno,T.Kato,他3名

    1st Asia -Pacific Wowk Shdp on Widegap Semoconductors  2003年3月 

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Awaji  

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産業財産権

  • 酸化亜鉛薄膜の製造方法及び製造装置

    松本俊,今津千竹,萩原茂,平木哲,藤川雄一郎,他2名

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    出願人:国立大学法人山梨大学

    出願番号:2005-237141  出願日:2005年8月

    出願国:外国  

担当授業科目(学内)

  • パワー半導体モジュール工学特論

    2023年度

所属学協会

  • 応用物理学会

  • 電子情報通信学会

  • 日本結晶成長学会