超低損失炭化珪素静電誘導トランジスタの新しい動作モード

2012年4月 - 2015年3月

超低損失炭化珪素静電誘導デバイスの高信頼性に関する研究開発

2010年4月 - 2011年3月

超低損失炭化珪素静電誘導デバイスの高信頼性に関する研究開発

2009年4月 - 2010年3月

シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明

2008年4月 - 2009年3月

シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明

2006年5月 - 2008年3月

静電誘導型半導体デバイスの高速パルスパワー応用

1998年4月 - 1999年3月

Effect of Negative Gate Voltage on the Turn-off Performance of Is-IGBT Device 査読 重要な業績

F. Yukawa, T. Takaku, and K. Yano

IEEJ Journal of Industry Applications   9 ( 5 )   557 - 562   2020年9月

First demonstration of Si superjunction BJT with ultra-high current gain and low on-resistance 査読 重要な業績

K.Yano, M. Hashimoto, N. Matsukawa, A. Matsuo, A. Mouraguchi, M. Arai, and N. Shimizu

32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   451 - 454   2020年8月

Stress Test of Cascode Switch Using SiC Static Induction Transistor 査読 重要な業績

Takashi Matsumoto, Yasunori Tanaka and Koji Yano

Materials Science Forum   1004   985 - -991   2020年7月

Extremely Low ON-Resistance SiC Cascode Configuration Using Buried-Gate Static Induction Transistor 査読 重要な業績

Koji Yano , Yasunori Tanaka, and Masayuki Yamamoto, Member, IEEE

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   Vol.39 ( No.9 )   1892 - 1895   2018年11月( ISSN：0741-3106 )

Influence of negative voltage between gate and emitter to the turnoff behavior of IGBT device 査読 重要な業績

Fumio Yukawa, Taku Takaku, Naoto Fujisawa, Seiki Igarashi, Koji Yano

PCIM ASIA   1-6   2018年6月

A novel gate drive circuit for high speed turn-on switching of ultra-low feedback capacitance SiC-VJFET 査読 重要な業績

N.Kikuchi, T.Ishikawa, K. Yano and Y. Tanaka

Proceedings of International conference on Eeectrical machines and systems (ICEMS)   2017年8月

An Average Input Current Sensing Method of LLC Resonant Converters for Automatic Burst Mode Control 査読 重要な業績

J.Chen, T. Sato, K. Yano, H. Shiroyama, M. Owa, and M. Yamadaya

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS   3263 - 3272   2017年4月( ISSN：0885-8993 )

An Average Input Current Sensing Method of LLC Resonant Converters for Overload Protection 査読 重要な業績

J.Chen, T. Sato, K. Yano, H. Shiroyama, M. Owa, and M. Yamadaya

APEC 2017   267 - 272   2017年3月

新材料パワーデバイスの最新技術 査読 重要な業績

岩室、板東、矢野、宮澤、江口、三浦、鹿内、池田、上本、平岩

電気学会論文誌C   137 ( 1 )   13 - 19   2017年1月

Experimental Demonstration of SiC Screen Grid Vertical JFET (SiC-SGVJFET) Having a Ultra-Low Crss 査読 重要な業績

Koji Yano , Tsuyoshi Ishikawa*, Yasunori Tanaka, and Tsutomu Yatsuo

Proc. International Symposium on Power Device and ICS 2016   487 - 490   2016年6月

Cascode Configuration of SiC-BGSIT and Si-MOSFET with Low On-Resistance and High Transconductance 査読 重要な業績

M.Yamamoto, Y. Tanaka, T. Yatsuo, and K. Yano

Material Science Forum   858   1095 - 1098   2016年6月

SiC Power Device for HEV/EV and a novel SiC vertical JFET 招待 査読

T.Ishikawa, Y. Tanaka, T. Yatsuo and K. Yano

Int. Electron Device Meeting 2014   2014年12月

3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs) 査読

Akio Takatsuka,Yasunori Tanaka,Koji Yano,Norio Matsumoto,Tsutomu Yatsuo,Kazuo Arai

Materials Science Forum   778-780   899 - 902   2014年2月

Experimental Study of Short-Circuit Capability of Normally-off SiC-BGSITs 査読

Akio Takatsuka, Yasunori Tanaka, Koji Yano, Tsutomu Yatsuo and Kazuo Arai

European Conf. Silicon carbide and related matter   2012年9月

980V,33A Normally-off 4H-SiC Buried gate static induction transistors 査読 重要な業績

Akio Takatsuka, Yasunori Tanaka, Koji Yano, Tsutomu Yatsuo and Kazuo Arai

Materials Science Forum   679-680   662 - 665   2011年3月

電源用AlGaN/GaN FETの開発 査読

馬場良平,町田　修,金子信男,岩渕昭夫,矢野浩司,松本　俊

電気学会論文誌C   130   924 - 928   2010年6月

Short-circuit capability of SiC buried gate static induction transistors : basic mechanism and impacts of channel width on short-circuit performance 査読 重要な業績

K. Yano,Y. Tanaka,T. Yatsuo,A.Takatsuka,K. Arai

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   919 - 927   2010年4月( ISSN：0018-9383 )

Evaluation of refilled channel regions in 4H-SiC buried gate static induction transistors 査読 重要な業績

A. Takatsuka,Y. Tanaka,K. Yano,T. Yatsuo,K. Arai

Jpn. Journal of Applied Physics   49   2010年3月

Crystalline quality of channel regions in SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs) 査読 重要な業績

A.Takatsuka,Y. Tanaka,K. Yano,T. Yatsuo,K. Arai

Material Science Forum   645-648   535 - 538   2010年1月

Shape transformation of 4H-SiC microtrenches by hydrogen annealing 査読 重要な業績

A.Takatsuka,Y. Tanaka,K. Yano,T. Yatsuo,Y. Ishida　その他１名

Jpn. Journal of Applied Physics   48   41105 - 4105   2009年4月

Short-circuit operation of SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSIT) 査読 重要な業績

K.Yano, Y.Tanaka, A. Takatsuka,T. Yatsuo, and K. Arai

Material Science Forum   615-617   739 - 742   2009年2月

Three Dimensional Analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs) 査読 重要な業績

K.Yano,Y.Tanaka, T. Yatsuo,A. Takatsuka,M.Okamoto,その他１名

Materials Science Forum   600-603   1075 - 1078   2009年2月

1270V, 1.21mΩcm2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs) 査読 重要な業績

Y.Tanaka,K. Yano,M.Okamoto,A. Takatsuka,K. Arai　その他１名

Materials Science Forum   600-603   1071 - 1074   2009年2月

Application of SiC-BGSITs for DC-DC converters 査読 重要な業績

Y.Tanaka,K.Yano,A. Takatsuka,K. Arai,T. Yatsuo

European. Conf. Silicon Carbide & Related Materials   2008年9月

Short Circuit Operation of SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC BGSITs) 査読 重要な業績

K.Yano,Y.Tanaka,T. Yatsuo,A. Takatsuka,K. Arai

Proc. European. Conf. Silicon Carbide & Related Materials   2008年9月

1270V, 1.21mΩcm^2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSIT) 査読 重要な業績

Y. Tanaka,K. Yano,M.Okamoto,A.Takatsuka,K.Arai,T.Yatsuo

Proc. Int. Conf. Silicon Carbide and Related Mater. 2007   Th227 - 228   2007年10月

Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs) 査読 重要な業績

K. Yano,Y. Tanaka,T. Yatsuo,A.Takatsuka,M. Okamoto,K.Fukuda,K. Arai

Proc. Int. Conf. Silicon Carbide and Related Mater. 2007   WE170 - WE11   2007年10月

Fabrication of 700V SiC-SIT with ultra-low on-resistance of 1.01mΩcm^2 査読 重要な業績

Y. Tanaka, K. Yano, M.Okamoto, A. Takatsuka, K. Fukuda, その他3名

Materials Science Forum   527   1219 - 1222   2006年11月

700-V 1.0mΩcm^2 buried gate SiC-SIT (SiC-BGSIT) 査読 重要な業績

Y.Tanaka,M.Okamoto,A.Takatsuka,T.Yatsuo,K. Yano,その他1名

IEEE Electron Device Letters   27 ( 11 )   908 - 910   2006年11月

Performance of lateral SOI-MOS static induction transistors for RF power applications 査読 重要な業績

K.Yano, A.Mitsumori, M.Furuya, M.Kasuga

Solid-State Electronics   49   1233 - 1240   2005年7月

Growth of ZnO films by MOCVD in high magnetic field 査読 重要な業績

M.Kasuga, T. Takano, S. Akiyama, K. Hiroshima, K. Yano, K. Kishino

Journal of Crystal Growth   275   e1545 - e1550   2005年2月

静電誘導整流ダイオードのドリフト層厚みの効果 査読 重要な業績

矢野浩司,春日正伸

電気学会論文誌   126   956 - 961   2004年9月

Analysis of output power degradation for tunnel metal-insulator-semiconductor solar cell 査読 重要な業績

K.Yano,A.Shimizu, S.Shinoda,M.Kasuga

Jpn. J. Appl. Phys.   42 ( 10 )   6339 - 6345   2003年10月

A　１V　1.9GHz　mixer　using　a　lateral　bipolar　transistor in CMOS 査読 重要な業績

S. Ye, K.Yano, C. Andre T. Salama

Proc. Int. Symp. Low Power Electronics and Design(California)   112 - 116   2001年8月

Impacts of channel implantation on performance of static shielding diodes and static induction rectifiers 査読 重要な業績

K.Yano, N．Hattori，Y. Yamamoto, M. Kasuga

Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs(Osaka)   219 - 222   2001年6月

Lateral　SOI static induction rectifiers 査読 重要な業績

K.Yano, S. Honarkhah, C.A.T. Salama

Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs(Osaka)   247 - 250   2001年6月

Static induction　rectifiers　with a p-type channel 査読 重要な業績

H．Hattori，H. Obara, K. Yano, M. Kasuga, A. Shimizu

Proc. Int. Power Electric Conference　(IPEC-Tokyo),pp.736-741 (Tokyo)   736 - 741   2000年4月

Lateral　SOI　static　induction　rectifiers 査読 重要な業績

Y.　Kojima,　K. Yano,　M. Kasuga, A.Shimizu

Proc. Int. Power Electric Conference　(IPEC-Tokyo)   742 - 747   2000年4月

High- power rectifier using the BSIT operation 査読 重要な業績

K.Yano, I. Henmi, M. Kasuga, and A. Shimizu

IEEE Trans.Electron Devices   45 ( 2 )   563 - 565   1998年

静電誘導型整流ダイオードの特性改善手法 重要な業績

矢野　浩司

電子材料   37 ( 7 )   86 - 91   1998年

Rectifier characteristics based on bipolar- mode SIT operation 査読 重要な業績

K. Yano, M. Mitsui, H. Moroshima, J.-I. Morita, M. Kasuga, and A. Shimizu

IEEE Electron Device Lett.   15 ( 9 )   321 - 323   1994年

Influence of majority carrier accumulation in the SIT with a high-purity channel on voltage amplification factor 重要な業績

K. Yano ; C.-W. Kim ; M. Kimura ; A. Tanaka ; S.-I. Motoyama ; T. Sukegawa

IEEE Transaction on Electron Devices   40 ( 11 )   2092 - 2094   1993年11月

Effects of shielded-gate structure on on-resistance of the SIT with a high-purity channel region 査読 重要な業績

K. Yano ; C.-W. Kim ; M. Kimura ; A. Tanaka ; S.-I. Motoyama ; T. Sukegawa

IEEE Transaction on Electron Devices   39 ( 5 )   1257 - 1260   1992年5月

Effects of the doping profile on current characteristics in BSITs 重要な業績

C.-W. Kim ; M. Kimura ; K. Yano ; A. Tanaka ; T. Sukegawa

IEEE Electron Device Letters   13   95 - 97   1992年2月

Bipolar-mode static induction transistor: experiment and two-dimensional analysis 査読 重要な業績

C.-W. Kim ; M. Kimura ; K. Yano ; A. Tanaka ; T. Sukegawa

IEEE Transactions on Electron Devices   37 ( 9 )   2070 - 2075   1990年9月

SiC-Static Induction Transistor Cascodes with Extremely Low ON-Resistance and High Short Circuit Ruggedness 招待 国際会議

Koji Yano and Yasunori Tanaka

6th International conference on Advanced Electromaterials  2021年11月 

NiO/β-Ga2O3ヘテロpn接合ダイオードの逆回復特性

中込, 矢野

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月  応用物理学会

酸素中熱処理によるNiO/β-Ga2O3ダイオードの高耐圧化

中込, 佐藤, 千葉, 矢野

第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月  応用物理学会

低オン抵抗・高電流増幅率シリコンスーパージャンクションBJTの動作実証 重要な業績

橋本　誠

第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月  応用物理学会

SiC-遮蔽グリッドVJFETのシミュレーション

小林　聖尚

令和3年電気学会全国大会  2021年3月  電気学会

高耐圧SIThyのターンオン特性の解析

名取　拓馬，矢野　浩司

第２７回電気学会静岡東部・山梨支所研究発表会  2020年11月 

パワー半導体　抵抗を低減　山梨大など開発　発熱抑え省エネ

新聞報道  2020年9月 

新日本無線、機器を小型化・低損失化　シリコンSJ-BJT開発

新聞報道  2020年8月 

Stress test of cascode switch using SiC static induction transistor 国際会議

T. Matsumoto, Y. Tanaka, K. Yano

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019  2019年9月 

高電圧大電流静電誘導型サイリスタの開発

徳地 明，矢野 浩司，山本 真幸，清水 尚博，鎌田 浩一

第16回日本加速器学会年会  2019年8月  日本加速器学会

パワーデバイスの積層実装の熱解析 重要な業績

矢野浩司、米山雄介

第２５回電気学会東京支部静岡東部・山梨支所研究発表会  2018年11月 

山梨大学パワー半導体研究室

SEMICON Japan　2017  2017年12月 

SiC-MOSFETのヒステリシス特性 重要な業績

松本俊、矢野浩司　高柳　良平

電気学会東京支部山梨支所・静岡東部支所研究発表会  2017年11月 

SiC-BGSITカスコード接続

山本真幸,田中保宣,八尾　勉,矢野浩司

電気学会　電子デバイス・半導体電力変換合同研究会  2015年10月  電気学会

静電誘導型デバイスの現状

矢野浩司,清水尚博

電気学会　電子デバイス・半導体電力変換合同研究会  2015年10月  電気学会

Cascode configuration of SiC-BGSIT and Si-MOSFET with Low On-Resistance and High Transconductance

５． M.Yamamoto, Y. Tanaka, T. Yatsuo, and K. Yano

Int. Silicon Carbide & Related Materials  2015年10月 

車載向け低帰還容量 SiCJFET の提案と高 動作の検討

石川、田中、八尾、矢野

第 79 回半 導体・集積回路技術シンポジウム  2015年 

ノーマリーオン型SiC-BGSITを用いたバリガペアにおけるデバイス特性

先進パワー半導体分科会第１回後援会  2014年11月  応用物理学会

3kVノーマリーオフ型SiC-BGSITの設計

飯塚大臣,田中保宣,八尾勉,高塚章夫,山本真幸,矢野浩司

先進パワー半導体分科会第１回講演会  2014年11月  応用物理学会

SiC埋め込みゲート型SITにおけるオン抵抗の温度特性

望月雄貴,田中保宣,八尾　勉,高塚章夫,山本真幸,矢野浩司

先進パワー半導体分科会第１回講演会  2014年11月  応用物理学会

3.3kV SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs) with Ultra Low Specific On-Resistance

Y.Tanaka,A. Takatsuka,K. Yano,N. Matsumoto,T. Yatsuo

European Conference Silicon Carbide & Related Materials  2014年9月 

ゲートオーバードライブによるノーマリーオフ型SiC-BGSITのターンオン損失改善 重要な業績

勝俣　公貴,田中　保宣,八尾　勉,高塚　章夫,山本　真幸,矢野　浩司

SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第22回講演会予稿集  2013年12月  応用物理学会

3kV級ノーマリーオフSiC埋め込みゲート型静電誘導トランジスタの開発

高塚章夫,田中保宣,矢野浩司,松本則男,八尾勉

SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第22回講演会予稿集  2013年12月  応用物理学会

ノーマリオフ型SiC-BGSITの負荷短絡耐量評価

高塚章夫,田中保宣,矢野浩司,八尾勉,荒井和雄

SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第21回講演会予稿集  2012年11月 

ゲートオーバードライブによるノーマリーオフSiC埋め込みゲートSITのスイッチング特性改善 重要な業績

中嶋竜基,矢野浩司,田中保宣,八尾勉,高塚章夫

SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第21回講演会予稿集  2012年11月  SiC研究会

SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験 重要な業績

矢野浩司（山梨大学）・田中保宣・八尾 勉・高塚章夫（産業技術総合研究所）

2011年3月  電気学会

SiC-BGSITの負荷短絡耐量のチャネル幅依存性 重要な業績

矢野浩司,田中保宣,八尾 勉,高塚章夫

平成21年電気学会全国大会予稿集  2009年3月  電気学会

GaN-on-SiパワーHFETのゲートフィールドプレートの効果 重要な業績

山口裕之,矢野浩司,松本 俊,馬場良平,鈴木 徹 その他1名

平成21年電気学会全国大会予稿集  2009年3月  電気学会

SiC埋め込みゲートSITのチャネル設計の検討 重要な業績

矢野浩司,八尾勉,田中保宣,福田憲司,高塚章夫,他2名

第20回SIシンポジウム講演論文集  2008年6月  SIデバイス研究会

気液二相共存系を用いた吸音に関する研究

小川晃弘，佐藤克昌，矢野浩司，春日正伸

2007年3月  応用物理学会

SiC-埋め込みゲートSITのチャネル設計 重要な業績

矢野浩司,八尾 勉,田中保宣,福田憲司,高塚章夫,岡本光央,荒井和雄

電気学会全国大会講演予稿集  2007年3月  電気学会

埋込ゲートSiC-SIT(BGSIT)の設計・試作および電気的特性

田中,高塚,岡本,八尾,矢野,その他1名

電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会  2006年10月  電気学会

面方位違法性エッチングを用いた溝型静電誘導整流ダイオードの試作 重要な業績

花井,矢野,丸山

電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会  2006年10月  電気学会

横型MOS-SITの高周波性能のシミュレーション 重要な業績

矢野,古屋,春日

第19回SIデバイスシンポジウム講演論文集  2006年6月  SIデバイス研究会

超低損失埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の開発

田中,矢野,岡本,高塚,春日,その他3名

第１９回SIデバイスシンポジウム講演論文集  2006年6月  SIデバイス研究会

横型MOS静電誘導トランジスタの高周波性能 重要な業績

古屋,矢野,春日

電子情報通信大会春季全国大会  2006年3月  電子情報通信学会

基板用厚膜ZnOの気相成長(II)

峰岸一典,高橋　努,矢野浩司,春日正伸

応用物理学会講演予稿集  2006年3月  応用物理学会

気液二相共存を用いた防音壁

小川晃弘,佐藤克昌,矢野浩司,春日正伸

応用物理学会講演予稿集  2006年3月  応用物理学会

SiC-SITのターンオフ特性の3次元シミュレーション 重要な業績

矢野,春日,八尾,田中,福田,荒井

電気学会全国大会  2006年3月  電気学会

700V 1.01mΩcm2埋め込みゲート型SiC-SIT（BGSIT）の開発

田中,矢野,岡本,高塚,高尾,春日,荒井,八尾

同研究会１４回講演予稿集  2005年11月  SiC・関連ワイドギャップ研究会

横型MOS静電誘導トランジスタの高周波特性のシミュレーション 重要な業績

古屋雅章,矢野浩司,春日正伸

電気学会産業応用部門講演予稿集  2005年8月  電気学会

埋め込みゲート型SiC-SITの特性と負荷短絡シミュレーション 重要な業績

矢野,田中,岡本,高塚,八尾,福田,荒井,春日

ＳＩデバイスシンポジウム講演論文集  2005年7月  ＳＩデバイスシンポジウム

埋め込みゲートSiC-SITの電気的特性

田中,矢野,岡本,高塚,福田,春日,荒井,八尾

応用物理学会講演予稿集  2005年4月  応用物理学会

基板用厚膜ZnOの気相成長

須村大介,土橋正典,峰岸一典,矢野浩司,春日正伸

応用物理学会講演予稿集  2005年3月  応用物理学会

SiC-SITの負荷短絡ターンオフ特性 重要な業績

矢野,春日,八尾,田中,福田,荒井

電気学会全国大会  2005年3月  電気学会

SiC静電誘導トランジスタ構造を用いたゲートアシスト付整流デバイスの特性 重要な業績

矢野,春日,田中,八尾

ＳＩデバイスシンポジウム講演論文集  2004年5月  ＳＩデバイス研究会

Performance of SOI-MOS static induction transistors for RF power applications 重要な業績

K.Yano,A.Mitsui, and M. Kasuga

ＳＩデバイスシンポジウム講演論文集  2003年6月  ＳＩデバイス研究会

SOI-MOSSITの高周波特性のシミュレーション

矢野,三森,春日

応用物理学会講演予稿集  2003年3月  応用物理学会

Ｕ形溝グリッド構造とプレーナ構造の静電誘導整流ダイオードの特性比較 重要な業績

矢野,有馬,春日

電気学会全国大会  2003年3月  電気学会

静電誘導整流ダイオードの基板厚みの効果

矢野,春日

電気学会全国大会  2003年3月  電気学会

強磁場中におけるZnOのMOCVD成長

春日,原田,家田,村上,廣嶋,矢野,岸尾

第63回応用物理学会講演予稿集  2002年9月  応用物理学会

強磁場中におけるZnO膜のMOCVD成長

春日,原田,家田,村上,廣嶋,矢野,岸尾

第３２回結晶成長国内会議講演予稿集  2002年7月  日本結晶成長学会

磁場中におけるZnO膜のMOCVD

春日,原田,家田,村上,廣嶋,矢野,岸尾

応用物理学会講演予稿集  2002年3月  応用物理学会

Growth of ZnO Films by MOCVD in High Magnetic field

M.Kasuga ,M.Harada,T.Ieta,T.Murakami,K.Hiroshima,K.Yano,K.Kishio

Proc. 3dr Janan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes&Equipments  2002年1月 

イオン注入チャネル静電誘導型整流ダイオードの特性 重要な業績

矢野,服部,山本,春日

ＳＩデバイスシンポジウム講演論文集  2001年2月  ＳＩデバイス研究会

半導体デバイス工学特論 重要な業績

2017年度  科目区分：博士（大学院）

集中講義形式で実施している

電子デバイス工学特論 重要な業績

2017年度  科目区分：修士（大学院）

パワーエレクトロニクス 重要な業績

2017年度  科目区分：専門教育（学部）

家庭の中のエレクトロニクス 重要な業績

2017年度  科目区分：共通教育（学部）