2024/05/01 更新

写真a

ヤノ コウジ
矢野 浩司
Yano Koji
所属
大学院 総合研究部 工学域 電気電子情報工学系(電気電子工学) 教授
職名
教授

学歴

  • 静岡大学

    - 1993年3月

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    国名: 日本国

    備考: (事項) 静岡大学大学院 電子科学研究科 博士課程 修了

学位

  • 博士(工学) ( 静岡大学 )

  • 工学修士 ( 静岡大学 )

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電力工学  / 半導体工学

研究キーワード

  • デバイスシミュレーション

  • パワーデバイス

研究テーマ

  • パワーデバイスの研究・開発

共同研究・競争的資金等の研究

  • 光駆動SiCパワースイッチ

    2020年4月 - 2023年3月

    日本学術振興会  科学研究補助金  基盤研究(C)

    矢野 浩司、田中 保宣

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:科学研究費補助金

    本研究では、炭化珪素(以下SiC)を用いた静電誘導トランジスタ(SIT)と駆動用低耐圧シリコンフォトトランジスタを一体化し、光駆動するという新概念を導入した超低損失・高信頼性パワーデバイス「光駆動SiC-SITカスコードパワートランジスタ」の研究開発を行う。これによりSiC-SITが本来有する超低損失・高速スイッチング性能を維持しつつ、これを電力変換器に用いれば制御パルス発生回路と主回路部を完全に絶縁でき、ノイズやチップ間動作バラツキなどの悪影響を排除できる。本研究ではシミュレーションで、同トランジスタの基本動作、実装方法、競合素子と比較した優位性を明確にする。

  • 3次元スタック実装SiCカスコードパワーデバイス

    2017年4月 - 2020年3月

    基板研究(B)

    矢野 浩司、田中 保宣

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:科学研究費補助金

  • 全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロpn接合作製のための基盤技術開発

    2017年4月 - 2020年3月

    中込 真二

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    担当区分:研究分担者  資金の種類:科学研究費補助金

  • 戦略的基盤技術高度化支援事業:高電圧半導体スイッチを使用した電子線滅菌用高電圧パルス電源の開発

    2016年9月 - 2019年3月

    徳地 明

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    担当区分:研究分担者 

  • 超低損失・高速SiCパワーデバイスのパルスパワー応用

    2015年4月 - 2018年3月

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:科学研究費補助金

  • 超低損失炭化珪素静電誘導トランジスタの新しい動作モード

    2012年4月 - 2015年3月

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:科学研究費補助金

  • 超低損失炭化珪素静電誘導デバイスの高信頼性に関する研究開発

    2010年4月 - 2011年3月

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:科学研究費補助金

  • 超低損失炭化珪素静電誘導デバイスの高信頼性に関する研究開発

    2009年4月 - 2010年3月

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:科学研究費補助金

  • シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明

    2008年4月 - 2009年3月

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:科学研究費補助金

  • シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明

    2006年5月 - 2008年3月

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:科学研究費補助金

  • 静電誘導型半導体デバイスの高速パルスパワー応用

    1998年4月 - 1999年3月

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:科学研究費補助金

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論文

  • Gate Driver ICs with Closed-Loop Current Balancing Control for Parallel Connected IGBTs 査読 重要な業績

    Masahiro Sasaki, Kazumi Takagiwa, Koji Yano

    IEEJ Journal of Industry Applications   11 ( 6 )   822 - 832   2022年11月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:電気学会  

    DOI: 10.1541/ieejjia.22003741

  • Turn On/Off Delay Time Control for Current Balancing in Parallel Connected IGBTs without Increasing Switching Loss 査読 重要な業績

    Masahiro Sasaki, and Koji Yano

    IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering   11 ( 1 )   187 - 188   2022年1月( ISSN:1931-4973 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:IEEJ  

    DOI: 10.1541/ieejjia.L21000771

  • 外部キャパシタンスがIGBTのターンオフ損失に与える影響

    湯川 文夫, 坂井 琢磨, 宮下 秀仁, 大月 正人, 矢野 浩司

    電気学会論文誌D(産業応用部門誌)   141 ( 10 )   846 - 847   2021年10月( ISSN:0913-6339 )

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    担当区分:最終著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:電気学会  

    DOI: https://doi.org/10.1541/ieejias.141.846

  • Leakage current analysis of silicon diode with anode activated by furnace annealing or laser annealing using deep level transient spectroscopy 重要な業績

    Hiroki Wakimoto1, Takashi Matsumoto, Koji Yano, and Tsutomu Muranaka

    AIP Advances   2020年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1063/5.0024744

  • Stacked Assembly of SiC Cascode Using Buried Gate Static Induction Transistor 査読 重要な業績

    Koji Yano, and Yasunori Tanaka

    IEEE Transactions on Components Packaging and Manufacturing Technology   1754 - 1757   2020年10月( ISSN:2156-3950 )

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/TCPMT.2020.3022083

  • Effect of Negative Gate Voltage on the Turn-off Performance of Is-IGBT Device 査読 重要な業績

    F. Yukawa, T. Takaku, and K. Yano

    IEEJ Journal of Industry Applications   9 ( 5 )   557 - 562   2020年9月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:電気学会  

    DOI: 10.1541/ieejjia.9.557

  • First demonstration of Si superjunction BJT with ultra-high current gain and low on-resistance 査読 重要な業績

    K.Yano, M. Hashimoto, N. Matsukawa, A. Matsuo, A. Mouraguchi, M. Arai, and N. Shimizu

    32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs   451 - 454   2020年8月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1109/ISPSD46842.2020.9170099

  • Stress Test of Cascode Switch Using SiC Static Induction Transistor 査読 重要な業績

    Takashi Matsumoto, Yasunori Tanaka and Koji Yano

    Materials Science Forum   1004   985 - -991   2020年7月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.985

  • Extremely Low ON-Resistance SiC Cascode Configuration Using Buried-Gate Static Induction Transistor 査読 重要な業績

    Koji Yano , Yasunori Tanaka, and Masayuki Yamamoto, Member, IEEE

    IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   Vol.39 ( No.9 )   1892 - 1895   2018年11月( ISSN:0741-3106 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1109/LED.2018.2878933

  • Influence of negative voltage between gate and emitter to the turnoff behavior of IGBT device 査読 重要な業績

    Fumio Yukawa, Taku Takaku, Naoto Fujisawa, Seiki Igarashi, Koji Yano

    PCIM ASIA   1-6   2018年6月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    IGBTのゲート外付け抵抗Rgおよびゲート負電圧に対するスイッチング特性依存性について検討した。Rgの低下に伴いdVce/dtの依存性が殆ど無くなることが明らかになった

  • A novel gate drive circuit for high speed turn-on switching of ultra-low feedback capacitance SiC-VJFET 査読 重要な業績

    N.Kikuchi, T.Ishikawa, K. Yano and Y. Tanaka

    Proceedings of International conference on Eeectrical machines and systems (ICEMS)   2017年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    遮蔽グリッド構造を導入した超高速SiCパワーJFETを電力変換器に使用し、電力変換効率などの性能を評価した。同JFETは駆動には我々が提案した高速の駆動回路を適用した。

  • An Average Input Current Sensing Method of LLC Resonant Converters for Automatic Burst Mode Control 査読 重要な業績

    J.Chen, T. Sato, K. Yano, H. Shiroyama, M. Owa, and M. Yamadaya

    IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS   3263 - 3272   2017年4月( ISSN:0885-8993 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • An Average Input Current Sensing Method of LLC Resonant Converters for Overload Protection 査読 重要な業績

    J.Chen, T. Sato, K. Yano, H. Shiroyama, M. Owa, and M. Yamadaya

    APEC 2017   267 - 272   2017年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • 新材料パワーデバイスの最新技術 査読 重要な業績

    岩室、板東、矢野、宮澤、江口、三浦、鹿内、池田、上本、平岩

    電気学会論文誌C   137 ( 1 )   13 - 19   2017年1月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Experimental Demonstration of SiC Screen Grid Vertical JFET (SiC-SGVJFET) Having a Ultra-Low Crss 査読 重要な業績

    Koji Yano , Tsuyoshi Ishikawa*, Yasunori Tanaka, and Tsutomu Yatsuo

    Proc. International Symposium on Power Device and ICS 2016   487 - 490   2016年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Cascode Configuration of SiC-BGSIT and Si-MOSFET with Low On-Resistance and High Transconductance 査読 重要な業績

    M.Yamamoto, Y. Tanaka, T. Yatsuo, and K. Yano

    Material Science Forum   858   1095 - 1098   2016年6月

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    担当区分:最終著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • SiC Power Device for HEV/EV and a novel SiC vertical JFET 招待 査読

    T.Ishikawa, Y. Tanaka, T. Yatsuo and K. Yano

    Int. Electron Device Meeting 2014   2014年12月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • 3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs) 査読

    Akio Takatsuka,Yasunori Tanaka,Koji Yano,Norio Matsumoto,Tsutomu Yatsuo,Kazuo Arai

    Materials Science Forum   778-780   899 - 902   2014年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Experimental Study of Short-Circuit Capability of Normally-off SiC-BGSITs 査読

    Akio Takatsuka, Yasunori Tanaka, Koji Yano, Tsutomu Yatsuo and Kazuo Arai

    European Conf. Silicon carbide and related matter   2012年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • 980V,33A Normally-off 4H-SiC Buried gate static induction transistors 査読 重要な業績

    Akio Takatsuka, Yasunori Tanaka, Koji Yano, Tsutomu Yatsuo and Kazuo Arai

    Materials Science Forum   679-680   662 - 665   2011年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • 電源用AlGaN/GaN FETの開発 査読

    馬場良平,町田 修,金子信男,岩渕昭夫,矢野浩司,松本 俊

    電気学会論文誌C   130   924 - 928   2010年6月

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Short-circuit capability of SiC buried gate static induction transistors : basic mechanism and impacts of channel width on short-circuit performance 査読 重要な業績

    K. Yano,Y. Tanaka,T. Yatsuo,A.Takatsuka,K. Arai

    IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   919 - 927   2010年4月( ISSN:0018-9383 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Evaluation of refilled channel regions in 4H-SiC buried gate static induction transistors 査読 重要な業績

    A. Takatsuka,Y. Tanaka,K. Yano,T. Yatsuo,K. Arai

    Jpn. Journal of Applied Physics   49   2010年3月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Crystalline quality of channel regions in SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs) 査読 重要な業績

    A.Takatsuka,Y. Tanaka,K. Yano,T. Yatsuo,K. Arai

    Material Science Forum   645-648   535 - 538   2010年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Shape transformation of 4H-SiC microtrenches by hydrogen annealing 査読 重要な業績

    A.Takatsuka,Y. Tanaka,K. Yano,T. Yatsuo,Y. Ishida その他1名

    Jpn. Journal of Applied Physics   48   41105 - 4105   2009年4月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Short-circuit operation of SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSIT) 査読 重要な業績

    K.Yano, Y.Tanaka, A. Takatsuka,T. Yatsuo, and K. Arai

    Material Science Forum   615-617   739 - 742   2009年2月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Three Dimensional Analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs) 査読 重要な業績

    K.Yano,Y.Tanaka, T. Yatsuo,A. Takatsuka,M.Okamoto,その他1名

    Materials Science Forum   600-603   1075 - 1078   2009年2月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • 1270V, 1.21mΩcm2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs) 査読 重要な業績

    Y.Tanaka,K. Yano,M.Okamoto,A. Takatsuka,K. Arai その他1名

    Materials Science Forum   600-603   1071 - 1074   2009年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Application of SiC-BGSITs for DC-DC converters 査読 重要な業績

    Y.Tanaka,K.Yano,A. Takatsuka,K. Arai,T. Yatsuo

    European. Conf. Silicon Carbide & Related Materials   2008年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Short Circuit Operation of SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC BGSITs) 査読 重要な業績

    K.Yano,Y.Tanaka,T. Yatsuo,A. Takatsuka,K. Arai

    Proc. European. Conf. Silicon Carbide & Related Materials   2008年9月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • 1270V, 1.21mΩcm^2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSIT) 査読 重要な業績

    Y. Tanaka,K. Yano,M.Okamoto,A.Takatsuka,K.Arai,T.Yatsuo

    Proc. Int. Conf. Silicon Carbide and Related Mater. 2007   Th227 - 228   2007年10月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs) 査読 重要な業績

    K. Yano,Y. Tanaka,T. Yatsuo,A.Takatsuka,M. Okamoto,K.Fukuda,K. Arai

    Proc. Int. Conf. Silicon Carbide and Related Mater. 2007   WE170 - WE11   2007年10月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Fabrication of 700V SiC-SIT with ultra-low on-resistance of 1.01mΩcm^2 査読 重要な業績

    Y. Tanaka, K. Yano, M.Okamoto, A. Takatsuka, K. Fukuda, その他3名

    Materials Science Forum   527   1219 - 1222   2006年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • 700-V 1.0mΩcm^2 buried gate SiC-SIT (SiC-BGSIT) 査読 重要な業績

    Y.Tanaka,M.Okamoto,A.Takatsuka,T.Yatsuo,K. Yano,その他1名

    IEEE Electron Device Letters   27 ( 11 )   908 - 910   2006年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    世界的に第一級の半導体デバイスの学術雑誌

  • Performance of lateral SOI-MOS static induction transistors for RF power applications 査読 重要な業績

    K.Yano, A.Mitsumori, M.Furuya, M.Kasuga

    Solid-State Electronics   49   1233 - 1240   2005年7月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Growth of ZnO films by MOCVD in high magnetic field 査読 重要な業績

    M.Kasuga, T. Takano, S. Akiyama, K. Hiroshima, K. Yano, K. Kishino

    Journal of Crystal Growth   275   e1545 - e1550   2005年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • 静電誘導整流ダイオードのドリフト層厚みの効果 査読 重要な業績

    矢野浩司,春日正伸

    電気学会論文誌   126   956 - 961   2004年9月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Analysis of output power degradation for tunnel metal-insulator-semiconductor solar cell 査読 重要な業績

    K.Yano,A.Shimizu, S.Shinoda,M.Kasuga

    Jpn. J. Appl. Phys.   42 ( 10 )   6339 - 6345   2003年10月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • A 1V 1.9GHz mixer using a lateral bipolar transistor in CMOS 査読 重要な業績

    S. Ye, K.Yano, C. Andre T. Salama

    Proc. Int. Symp. Low Power Electronics and Design(California)   112 - 116   2001年8月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    国際会議議事録

  • Impacts of channel implantation on performance of static shielding diodes and static induction rectifiers 査読 重要な業績

    K.Yano, N.Hattori,Y. Yamamoto, M. Kasuga

    Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs(Osaka)   219 - 222   2001年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Lateral SOI static induction rectifiers 査読 重要な業績

    K.Yano, S. Honarkhah, C.A.T. Salama

    Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs(Osaka)   247 - 250   2001年6月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    国際会議議事録

  • Static induction rectifiers with a p-type channel 査読 重要な業績

    H.Hattori,H. Obara, K. Yano, M. Kasuga, A. Shimizu

    Proc. Int. Power Electric Conference (IPEC-Tokyo),pp.736-741 (Tokyo)   736 - 741   2000年4月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    国際会議議事録

  • Lateral SOI static induction rectifiers 査読 重要な業績

    Y. Kojima, K. Yano, M. Kasuga, A.Shimizu

    Proc. Int. Power Electric Conference (IPEC-Tokyo)   742 - 747   2000年4月

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    国際会議議事録

  • High- power rectifier using the BSIT operation 査読 重要な業績

    K.Yano, I. Henmi, M. Kasuga, and A. Shimizu

    IEEE Trans.Electron Devices   45 ( 2 )   563 - 565   1998年

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • 静電誘導型整流ダイオードの特性改善手法 重要な業績

    矢野 浩司

    電子材料   37 ( 7 )   86 - 91   1998年

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    担当区分:筆頭著者, 最終著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:(MISC)総説・解説(商業誌)  

  • Rectifier characteristics based on bipolar- mode SIT operation 査読 重要な業績

    K. Yano, M. Mitsui, H. Moroshima, J.-I. Morita, M. Kasuga, and A. Shimizu

    IEEE Electron Device Lett.   15 ( 9 )   321 - 323   1994年

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Influence of majority carrier accumulation in the SIT with a high-purity channel on voltage amplification factor 重要な業績

    K. Yano ; C.-W. Kim ; M. Kimura ; A. Tanaka ; S.-I. Motoyama ; T. Sukegawa

    IEEE Transaction on Electron Devices   40 ( 11 )   2092 - 2094   1993年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effects of shielded-gate structure on on-resistance of the SIT with a high-purity channel region 査読 重要な業績

    K. Yano ; C.-W. Kim ; M. Kimura ; A. Tanaka ; S.-I. Motoyama ; T. Sukegawa

    IEEE Transaction on Electron Devices   39 ( 5 )   1257 - 1260   1992年5月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effects of the doping profile on current characteristics in BSITs 重要な業績

    C.-W. Kim ; M. Kimura ; K. Yano ; A. Tanaka ; T. Sukegawa

    IEEE Electron Device Letters   13   95 - 97   1992年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Bipolar-mode static induction transistor: experiment and two-dimensional analysis 査読 重要な業績

    C.-W. Kim ; M. Kimura ; K. Yano ; A. Tanaka ; T. Sukegawa

    IEEE Transactions on Electron Devices   37 ( 9 )   2070 - 2075   1990年9月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

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講演・口頭発表等

  • SiC-BGSITカスコード素子 重要な業績

    伊澤健史、戸田龍一、坂本悠誠、小野哲夫、矢野浩司

    令和6年電気学会全国大会  2024年3月  電気学会

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:徳島市  

  • p-NiO/n-Ga2O3ヘテロダイオードのFLR構造の耐圧シミュレーション

    池上 啓太、唐澤直樹、矢野浩司、中込真二

    令和5年電気学会全国大会  2023年3月  電気学会

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:名古屋市  

  • Si-スーパージャンクションBJT/Si-MOSFETダーリントンスイッチ

    涌井翔真、矢野浩司、橋本誠、小川勉

    令和5年電気学会全国大会  2023年3月  電気学会

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    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:名古屋市  

  • 光駆動SiCパワースイッチを用いたハーフブリッジインバータ回路の検証

    鈴木惇哉、松本俊、矢野浩司

    令和4年度第29回静岡東部・山梨支所研究発表会  2022年12月  電気学会静岡東部支所・山梨支所

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    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:静岡県富士市  

  • 光駆動SiCカスコードスイッチによるハーフブリッジインバータ

    鈴木 惇哉、松本 俊、矢野 浩司

    2022年電気学会産業応用部門大会  2022年8月 

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    開催年月日: 2022年8月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京都千代田区  

  • SiC-Static Induction Transistor Cascodes with Extremely Low ON-Resistance and High Short Circuit Ruggedness 招待 国際会議

    Koji Yano and Yasunori Tanaka

    6th International conference on Advanced Electromaterials  2021年11月 

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    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(招待・特別)  

  • NiO/β-Ga2O3ヘテロpn接合ダイオードの逆回復特性

    中込, 矢野

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月  応用物理学会

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    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:オンライン  

  • 酸素中熱処理によるNiO/β-Ga2O3ダイオードの高耐圧化

    中込, 佐藤, 千葉, 矢野

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:オンライン  

  • 低オン抵抗・高電流増幅率シリコンスーパージャンクションBJTの動作実証 重要な業績

    橋本 誠

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月  応用物理学会

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(公募)  

    開催地:オンライン  

  • SiC-遮蔽グリッドVJFETのシミュレーション

    小林 聖尚

    令和3年電気学会全国大会  2021年3月  電気学会

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    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:オンライン  

  • 高耐圧SIThyのターンオン特性の解析

    名取 拓馬,矢野 浩司

    第27回電気学会静岡東部・山梨支所研究発表会  2020年11月 

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    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:オンライン  

  • パワー半導体 抵抗を低減 山梨大など開発 発熱抑え省エネ

    新聞報道  2020年9月 

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    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:メディア報道等  

    山梨大学工学部の矢野浩司教授(半導体工学)と新日本無線(本社・東京)は、使用時の抵抗を従来の最高7分の1に低減したシリコン製のパワー半導体を開発した。

  • 新日本無線、機器を小型化・低損失化 シリコンSJ-BJT開発

    新聞報道  2020年8月 

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    開催年月日: 2020年8月

    記述言語:日本語   会議種別:メディア報道等  

    新日本無線は28日、山梨大学の矢野浩司教授らと共同で、コレクタ領域をスーパージャンクション(SJ)構造としたシリコンバイポーラトランジスタ(SJ-BJT)の開発に成功したと発表した。

  • Stress test of cascode switch using SiC static induction transistor 国際会議

    T. Matsumoto, Y. Tanaka, K. Yano

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

  • 高電圧大電流静電誘導型サイリスタの開発

    徳地 明,矢野 浩司,山本 真幸,清水 尚博,鎌田 浩一

    第16回日本加速器学会年会  2019年8月  日本加速器学会

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    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:京都大学  

    加速器システムの中には、多数の高電圧パルス電源が使用されているが、高電圧(数10 kV以上)、大電流(数kA以上)、高速立上り(数10 ns以下)と非常に厳しい使用条件の為に、これまで、サイラトロン等の放電管を使用するしか方法がなかった。しかし、これらの放電管は寿命が短い、繰り返し周波数が低い、付帯電源が必要、安定性が悪いなど、多くの欠点があり、加速器の性能を著しく低下させていた。 近年、半導体デバイスの急速な発展などにより、素子の電圧、電流は年々上昇し、多くの高電圧パルス電源は半導体で実現可能となってきた。 しかし、まだ、市販の半導体デバイスでは十分な電圧・電流を得られるもの少なく、我々は、8 kVの耐圧を有し、5 kAのパルス電流が流せる高速ターンオンデバイスの開発を進めてきたが、この度、一定の成果が得られたのでこの開発進捗結果を報告する。

  • パワーデバイスの積層実装の熱解析 重要な業績

    矢野浩司、米山雄介

    第25回電気学会東京支部静岡東部・山梨支所研究発表会  2018年11月 

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    開催年月日: 2018年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:静岡県富士市  

  • 山梨大学パワー半導体研究室

    SEMICON Japan 2017  2017年12月 

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    開催年月日: 2017年12月

    記述言語:日本語   会議種別:その他  

    開催地:東京  

    当方で開発したSi,SiCなどのパワーデバイスの概要を紹介した。

  • SiC-MOSFETのヒステリシス特性 重要な業績

    松本俊、矢野浩司 高柳 良平

    電気学会東京支部山梨支所・静岡東部支所研究発表会  2017年11月 

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    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:山梨  

    SiC-MOSFETのしきい電圧のヒステリシス特性について実験的に評価しMOS/SiC界面準位と関連づけた

  • SiC-BGSITカスコード接続

    山本真幸,田中保宣,八尾 勉,矢野浩司

    電気学会 電子デバイス・半導体電力変換合同研究会  2015年10月  電気学会

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:長崎歴史文化博物館  

  • 静電誘導型デバイスの現状

    矢野浩司,清水尚博

    電気学会 電子デバイス・半導体電力変換合同研究会  2015年10月  電気学会

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:長崎歴史文化博物館  

  • Cascode configuration of SiC-BGSIT and Si-MOSFET with Low On-Resistance and High Transconductance

    5. M.Yamamoto, Y. Tanaka, T. Yatsuo, and K. Yano

    Int. Silicon Carbide & Related Materials  2015年10月 

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    開催年月日: 2015年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Italy  

  • 車載向け低帰還容量 SiCJFET の提案と高 動作の検討

    石川、田中、八尾、矢野

    第 79 回半 導体・集積回路技術シンポジウム  2015年 

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    開催年月日: 2015年

    記述言語:日本語   会議種別:シンポジウム・ワークショップ パネル(指名)  

  • ノーマリーオン型SiC-BGSITを用いたバリガペアにおけるデバイス特性

    先進パワー半導体分科会第1回後援会  2014年11月  応用物理学会

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    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:その他  

    開催地:ウインクあいち、名古屋市  

  • 3kVノーマリーオフ型SiC-BGSITの設計

    飯塚大臣,田中保宣,八尾勉,高塚章夫,山本真幸,矢野浩司

    先進パワー半導体分科会第1回講演会  2014年11月  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:ウインクあいち、名古屋市  

  • SiC埋め込みゲート型SITにおけるオン抵抗の温度特性

    望月雄貴,田中保宣,八尾 勉,高塚章夫,山本真幸,矢野浩司

    先進パワー半導体分科会第1回講演会  2014年11月  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:ウインクあいち、名古屋市  

  • 3.3kV SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs) with Ultra Low Specific On-Resistance

    Y.Tanaka,A. Takatsuka,K. Yano,N. Matsumoto,T. Yatsuo

    European Conference Silicon Carbide & Related Materials  2014年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2014年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Grenoble,France  

  • ゲートオーバードライブによるノーマリーオフ型SiC-BGSITのターンオン損失改善 重要な業績

    勝俣 公貴,田中 保宣,八尾 勉,高塚 章夫,山本 真幸,矢野 浩司

    SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第22回講演会予稿集  2013年12月  応用物理学会

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    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:埼玉会館  

  • 3kV級ノーマリーオフSiC埋め込みゲート型静電誘導トランジスタの開発

    高塚章夫,田中保宣,矢野浩司,松本則男,八尾勉

    SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第22回講演会予稿集  2013年12月  応用物理学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2013年12月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:埼玉会館  

  • ノーマリオフ型SiC-BGSITの負荷短絡耐量評価

    高塚章夫,田中保宣,矢野浩司,八尾勉,荒井和雄

    SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第21回講演会予稿集  2012年11月 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:その他  

    開催地:大阪市中央公会堂  

  • ゲートオーバードライブによるノーマリーオフSiC埋め込みゲートSITのスイッチング特性改善 重要な業績

    中嶋竜基,矢野浩司,田中保宣,八尾勉,高塚章夫

    SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第21回講演会予稿集  2012年11月  SiC研究会

     詳細を見る

    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:日本語   会議種別:その他  

    開催地:大阪市中央公会堂  

  • SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験 重要な業績

    矢野浩司(山梨大学)・田中保宣・八尾 勉・高塚章夫(産業技術総合研究所)

    2011年3月  電気学会

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    開催年月日: 2011年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:震災のため学会は中止。予稿集のみ発表された。  

  • SiC-BGSITの負荷短絡耐量のチャネル幅依存性 重要な業績

    矢野浩司,田中保宣,八尾 勉,高塚章夫

    平成21年電気学会全国大会予稿集  2009年3月  電気学会

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:北海道大学  

  • GaN-on-SiパワーHFETのゲートフィールドプレートの効果 重要な業績

    山口裕之,矢野浩司,松本 俊,馬場良平,鈴木 徹 その他1名

    平成21年電気学会全国大会予稿集  2009年3月  電気学会

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    開催年月日: 2009年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:北海道大学  

  • SiC埋め込みゲートSITのチャネル設計の検討 重要な業績

    矢野浩司,八尾勉,田中保宣,福田憲司,高塚章夫,他2名

    第20回SIシンポジウム講演論文集  2008年6月  SIデバイス研究会

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    開催年月日: 2008年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:中野サンプラザ  

  • 気液二相共存系を用いた吸音に関する研究

    小川晃弘,佐藤克昌,矢野浩司,春日正伸

    2007年3月  応用物理学会

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:青山学院大学  

  • SiC-埋め込みゲートSITのチャネル設計 重要な業績

    矢野浩司,八尾 勉,田中保宣,福田憲司,高塚章夫,岡本光央,荒井和雄

    電気学会全国大会講演予稿集  2007年3月  電気学会

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    開催年月日: 2007年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:富山大学  

  • 埋込ゲートSiC-SIT(BGSIT)の設計・試作および電気的特性

    田中,高塚,岡本,八尾,矢野,その他1名

    電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会  2006年10月  電気学会

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    開催年月日: 2006年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:九州大学  

  • 面方位違法性エッチングを用いた溝型静電誘導整流ダイオードの試作 重要な業績

    花井,矢野,丸山

    電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会  2006年10月  電気学会

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    開催年月日: 2006年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:九州大学  

  • 横型MOS-SITの高周波性能のシミュレーション 重要な業績

    矢野,古屋,春日

    第19回SIデバイスシンポジウム講演論文集  2006年6月  SIデバイス研究会

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    開催年月日: 2006年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:中野サンプラザ  

  • 超低損失埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の開発

    田中,矢野,岡本,高塚,春日,その他3名

    第19回SIデバイスシンポジウム講演論文集  2006年6月  SIデバイス研究会

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    開催年月日: 2006年6月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:中野サンプラザ  

  • 横型MOS静電誘導トランジスタの高周波性能 重要な業績

    古屋,矢野,春日

    電子情報通信大会春季全国大会  2006年3月  電子情報通信学会

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:国士舘大学  

  • 基板用厚膜ZnOの気相成長(II)

    峰岸一典,高橋 努,矢野浩司,春日正伸

    応用物理学会講演予稿集  2006年3月  応用物理学会

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:武蔵工業大学  

  • 気液二相共存を用いた防音壁

    小川晃弘,佐藤克昌,矢野浩司,春日正伸

    応用物理学会講演予稿集  2006年3月  応用物理学会

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:武蔵工業大学  

  • SiC-SITのターンオフ特性の3次元シミュレーション 重要な業績

    矢野,春日,八尾,田中,福田,荒井

    電気学会全国大会  2006年3月  電気学会

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    開催年月日: 2006年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:横浜国大  

  • 700V 1.01mΩcm2埋め込みゲート型SiC-SIT(BGSIT)の開発

    田中,矢野,岡本,高塚,高尾,春日,荒井,八尾

    同研究会14回講演予稿集  2005年11月  SiC・関連ワイドギャップ研究会

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    開催年月日: 2005年11月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • 横型MOS静電誘導トランジスタの高周波特性のシミュレーション 重要な業績

    古屋雅章,矢野浩司,春日正伸

    電気学会産業応用部門講演予稿集  2005年8月  電気学会

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    開催年月日: 2005年8月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:福井大学  

  • 埋め込みゲート型SiC-SITの特性と負荷短絡シミュレーション 重要な業績

    矢野,田中,岡本,高塚,八尾,福田,荒井,春日

    SIデバイスシンポジウム講演論文集  2005年7月  SIデバイスシンポジウム

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    開催年月日: 2005年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:中野サンプラザ  

  • 埋め込みゲートSiC-SITの電気的特性

    田中,矢野,岡本,高塚,福田,春日,荒井,八尾

    応用物理学会講演予稿集  2005年4月  応用物理学会

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    開催年月日: 2005年4月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:埼玉大学  

  • 基板用厚膜ZnOの気相成長

    須村大介,土橋正典,峰岸一典,矢野浩司,春日正伸

    応用物理学会講演予稿集  2005年3月  応用物理学会

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:埼玉大学  

  • SiC-SITの負荷短絡ターンオフ特性 重要な業績

    矢野,春日,八尾,田中,福田,荒井

    電気学会全国大会  2005年3月  電気学会

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    開催年月日: 2005年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:徳島大学  

  • SiC静電誘導トランジスタ構造を用いたゲートアシスト付整流デバイスの特性 重要な業績

    矢野,春日,田中,八尾

    SIデバイスシンポジウム講演論文集  2004年5月  SIデバイス研究会

     詳細を見る

    開催年月日: 2004年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:中野サンプラザ  

  • Performance of SOI-MOS static induction transistors for RF power applications 重要な業績

    K.Yano,A.Mitsui, and M. Kasuga

    SIデバイスシンポジウム講演論文集  2003年6月  SIデバイス研究会

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    開催年月日: 2003年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:中野サンプラザ  

  • SOI-MOSSITの高周波特性のシミュレーション

    矢野,三森,春日

    応用物理学会講演予稿集  2003年3月  応用物理学会

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:神奈川大学  

  • U形溝グリッド構造とプレーナ構造の静電誘導整流ダイオードの特性比較 重要な業績

    矢野,有馬,春日

    電気学会全国大会  2003年3月  電気学会

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:東北学院大学  

  • 静電誘導整流ダイオードの基板厚みの効果

    矢野,春日

    電気学会全国大会  2003年3月  電気学会

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    開催年月日: 2003年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:東北学院大学  

  • 強磁場中におけるZnOのMOCVD成長

    春日,原田,家田,村上,廣嶋,矢野,岸尾

    第63回応用物理学会講演予稿集  2002年9月  応用物理学会

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    開催年月日: 2002年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • 強磁場中におけるZnO膜のMOCVD成長

    春日,原田,家田,村上,廣嶋,矢野,岸尾

    第32回結晶成長国内会議講演予稿集  2002年7月  日本結晶成長学会

     詳細を見る

    開催年月日: 2002年7月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • 磁場中におけるZnO膜のMOCVD

    春日,原田,家田,村上,廣嶋,矢野,岸尾

    応用物理学会講演予稿集  2002年3月  応用物理学会

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    開催年月日: 2002年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • Growth of ZnO Films by MOCVD in High Magnetic field

    M.Kasuga ,M.Harada,T.Ieta,T.Murakami,K.Hiroshima,K.Yano,K.Kishio

    Proc. 3dr Janan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes&Equipments  2002年1月 

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    開催年月日: 2002年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

  • イオン注入チャネル静電誘導型整流ダイオードの特性 重要な業績

    矢野,服部,山本,春日

    SIデバイスシンポジウム講演論文集  2001年2月  SIデバイス研究会

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    開催年月日: 2001年2月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:中野サンプラザ  

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受賞

  • 電気学会第23回優秀技術活動賞、技術報告賞

    2020年6月   一般社団法人電気学会   技術報告書「シリコンパワーデバイス・ パワーICのさらなる進化および新材料パワーデバイスの進展」

    電気学会、シリコンならびに新材料パワーデバイス・パワーIC技術調査専門委員会

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    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰  受賞国:日本国

    技術調査専門委員会の構成員39名の共同受賞、技術報告書は全67ページ、そのうち
    5.2.4 ジャンクション系デバイス(P60)を担当

学外あるいは所属学部等外の組織との共同研究

  • シリコンカーバイド静電誘導型トランジスタの性能向上に関する研究

    産業技術総合研究所

    2012年05月30日 - 2021年03月31日  代表

担当授業科目(学内)

  • パワーエレクトロニクス 重要な業績

    2023年度

  • 電気エネルギー変換工学 重要な業績

    2023年度

  • パワー半導体モジュール工学特論 重要な業績

    2023年度

  • 基礎電気電子工学実験 重要な業績

    2017年度  科目区分:専門教育(学部)

  • 電気回路II 重要な業績

    2017年度  科目区分:専門教育(学部)

  • 半導体デバイス工学特論 重要な業績

    2017年度  科目区分:博士(大学院)

    集中講義形式で実施している

  • 電子デバイス工学特論 重要な業績

    2017年度  科目区分:修士(大学院)

  • パワーエレクトロニクス 重要な業績

    2017年度  科目区分:専門教育(学部)

  • 家庭の中のエレクトロニクス 重要な業績

    2017年度  科目区分:共通教育(学部)

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指導実績

  • 2017年度

    種別:学部(専攻科Aコース)卒業論文指導

    指導人数 :4人  (内 留学生):0人

    担当教員数:1人

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    パワー半導体の設計、動作原理に関する卒業論文テーマの指導を行った。

  • 2017年度

    種別:修士(専攻科Bコース)学位論文指導

    指導人数 :3人 

    担当教員数:1人

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    パワー半導体デバイスの設計、試作、動作原理に関する研究テーマを指導

  • 2017年度

    種別:博士学位論文指導

    指導人数 :1人 

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    パワー半導体の動作原理に関する研究テーマを指導した。

所属学協会

  • IEEE

  • 応用物理学会

  • 電気学会