Organization
Graduate Faculty of Interdisciplinary Research Faculty of Engineering Electrical and Electronic Information Engineering (Electronics and Electrical Engineering) Professor
Title
Professor
Yano Koji
Education
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Shizuoka University
- 1993.3
Country： Japan
Degree
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博士(工学） ( 静岡大学 )
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工学修士 ( 静岡大学 )
Research Areas
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Manufacturing Technology (Mechanical Engineering, Electrical and Electronic Engineering, Chemical Engineering) / Power engineering / 半導体工学
Research Interests
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デバイスシミュレーション
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パワーデバイス
Subject of research
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パワーデバイスの研究･開発
Research Projects
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光駆動SiCパワースイッチ
2020.4 - 2023.3
日本学術振興会 科学研究補助金 基盤研究(C)
矢野 浩司、田中 保宣
Authorship：Principal investigator Type of fund：：Science research expense
本研究では、炭化珪素（以下SiC）を用いた静電誘導トランジスタ(SIT)と駆動用低耐圧シリコンフォトトランジスタを一体化し、光駆動するという新概念を導入した超低損失・高信頼性パワーデバイス「光駆動SiC-SITカスコードパワートランジスタ」の研究開発を行う。これによりSiC-SITが本来有する超低損失・高速スイッチング性能を維持しつつ、これを電力変換器に用いれば制御パルス発生回路と主回路部を完全に絶縁でき、ノイズやチップ間動作バラツキなどの悪影響を排除できる。本研究ではシミュレーションで、同トランジスタの基本動作、実装方法、競合素子と比較した優位性を明確にする。
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SiC cascade power devices in a 3D stack package
2017.4 - 2020.3
Koji Yano, Yasunori Tanaka
Authorship：Principal investigator Type of fund：：Science research expense
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全て酸化物からなる新規ワイドバンドギャップヘテロｐｎ接合作製のための基盤技術開発
2017.4 - 2020.3
中込 真二
Authorship：Coinvestigator(s) Type of fund：：Science research expense
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戦略的基盤技術高度化支援事業:高電圧半導体スイッチを使用した電子線滅菌用高電圧パルス電源の開発
2016.9 - 2019.3
徳地 明
Authorship：Coinvestigator(s)
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超低損失・高速SiCパワーデバイスのパルスパワー応用
2015.4 - 2018.3
Authorship：Principal investigator Type of fund：：Science research expense
-
超低損失炭化珪素静電誘導トランジスタの新しい動作モード
2012.4 - 2015.3
Authorship：Principal investigator Type of fund：：Science research expense
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超低損失炭化珪素静電誘導デバイスの高信頼性に関する研究開発
2010.4 - 2011.3
Authorship：Principal investigator Type of fund：：Science research expense
-
超低損失炭化珪素静電誘導デバイスの高信頼性に関する研究開発
2009.4 - 2010.3
Authorship：Principal investigator Type of fund：：Science research expense
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シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明
2008.4 - 2009.3
Authorship：Principal investigator Type of fund：：Science research expense
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シリコンカーバイド静電誘導デバイスの限界性能の究明
2006.5 - 2008.3
Authorship：Principal investigator Type of fund：：Science research expense
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静電誘導型半導体デバイスの高速パルスパワー応用
1998.4 - 1999.3
Authorship：Principal investigator Type of fund：：Science research expense
Papers
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Gate Driver ICs with Closed-Loop Current Balancing Control for Parallel Connected IGBTs Reviewed Major achievement
Masahiro Sasaki, Kazumi Takagiwa, Koji Yano
IEEJ Journal of Industry Applications 11 ( 6 ) 822 - 832 2022.11
-
Turn On/Off Delay Time Control for Current Balancing in Parallel Connected IGBTs without Increasing Switching Loss Reviewed Major achievement
Masahiro Sasaki, and Koji Yano
IEEJ Transactions on Electrical and Electronic Engineering 11 ( 1 ) 187 - 188 2022.1( ISSN：1931-4973 )
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外部キャパシタンスがIGBTのターンオフ損失に与える影響
湯川 文夫, 坂井 琢磨, 宮下 秀仁, 大月 正人, 矢野 浩司
電気学会論文誌Ｄ（産業応用部門誌） 141 ( 10 ) 846 - 847 2021.10( ISSN：0913-6339 )
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Leakage current analysis of silicon diode with anode activated by furnace annealing or laser annealing using deep level transient spectroscopy Major achievement
Hiroki Wakimoto1, Takashi Matsumoto, Koji Yano, and Tsutomu Muranaka
AIP Advances 2020.12
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Stacked Assembly of SiC Cascode Using Buried Gate Static Induction Transistor Reviewed Major achievement
Koji Yano, and Yasunori Tanaka
IEEE Transactions on Components Packaging and Manufacturing Technology 1754 - 1757 2020.10( ISSN：2156-3950 )
-
Effect of Negative Gate Voltage on the Turn-off Performance of Is-IGBT Device Reviewed Major achievement
F. Yukawa, T. Takaku, and K. Yano
IEEJ Journal of Industry Applications 9 ( 5 ) 557 - 562 2020.9
-
First demonstration of Si superjunction BJT with ultra-high current gain and low on-resistance Reviewed Major achievement
K.Yano, M. Hashimoto, N. Matsukawa, A. Matsuo, A. Mouraguchi, M. Arai, and N. Shimizu
32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 451 - 454 2020.8
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Stress Test of Cascode Switch Using SiC Static Induction Transistor Reviewed Major achievement
Takashi Matsumoto, Yasunori Tanaka and Koji Yano
Materials Science Forum 1004 985 - -991 2020.7
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Extremely Low ON-Resistance SiC Cascode Configuration Using Buried-Gate Static Induction Transistor Reviewed Major achievement
Koji Yano , Yasunori Tanaka, and Masayuki Yamamoto, Member, IEEE
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS Vol.39 ( No.9 ) 1892 - 1895 2018.11( ISSN：0741-3106 )
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Influence of negative voltage between gate and emitter to the turnoff behavior of IGBT device Reviewed Major achievement
Fumio Yukawa, Taku Takaku, Naoto Fujisawa, Seiki Igarashi, Koji Yano
PCIM ASIA 1-6 2018.6
-
A novel gate drive circuit for high speed turn-on switching of ultra-low feedback capacitance SiC-VJFET Reviewed Major achievement
N.Kikuchi, T.Ishikawa, K. Yano and Y. Tanaka
2017.8
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An Average Input Current Sensing Method of LLC Resonant Converters for Automatic Burst Mode Control Reviewed Major achievement
J.Chen, T. Sato, K. Yano, H. Shiroyama, M. Owa, and M. Yamadaya
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS 3263 - 3272 2017.4( ISSN：0885-8993 )
-
An Average Input Current Sensing Method of LLC Resonant Converters for Overload Protection Reviewed Major achievement
J.Chen, T. Sato, K. Yano, H. Shiroyama, M. Owa, and M. Yamadaya
APEC 2017 267 - 272 2017.3
-
新材料パワーデバイスの最新技術 Reviewed Major achievement
岩室、板東、矢野、宮澤、江口、三浦、鹿内、池田、上本、平岩
電気学会論文誌C 137 ( 1 ) 13 - 19 2017.1
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Experimental Demonstration of SiC Screen Grid Vertical JFET (SiC-SGVJFET) Having a Ultra-Low Crss Reviewed Major achievement
Koji Yano , Tsuyoshi Ishikawa*, Yasunori Tanaka, and Tsutomu Yatsuo
Proc. International Symposium on Power Device and ICS 2016 487 - 490 2016.6
-
Cascode Configuration of SiC-BGSIT and Si-MOSFET with Low On-Resistance and High Transconductance Reviewed Major achievement
M.Yamamoto, Y. Tanaka, T. Yatsuo, and K. Yano
Material Science Forum 858 1095 - 1098 2016.6
-
SiC Power Device for HEV/EV and a novel SiC vertical JFET Invited Reviewed
T.Ishikawa, Y. Tanaka, T. Yatsuo and K. Yano
Int. Electron Device Meeting 2014 2014.12
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3 kV Normally-Off 4H-SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs) Reviewed
Materials Science Forum 778-780 899 - 902 2014.2
-
Experimental Study of Short-Circuit Capability of Normally-off SiC-BGSITs Reviewed
European Conf. Silicon carbide and related matter 2012.9
-
980V,33A Normally-off 4H-SiC Buried gate static induction transistors Reviewed Major achievement
Materials Science Forum 679-680 662 - 665 2011.3
-
電源用AlGaN/GaN FETの開発 Reviewed
馬場良平,町田 修,金子信男,岩渕昭夫,矢野浩司,松本 俊
電気学会論文誌C 130 924 - 928 2010.6
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Short-circuit capability of SiC buried gate static induction transistors : basic mechanism and impacts of channel width on short-circuit performance Reviewed Major achievement
K. Yano,Y. Tanaka,T. Yatsuo,A.Takatsuka,K. Arai
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 919 - 927 2010.4( ISSN：0018-9383 )
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Evaluation of refilled channel regions in 4H-SiC buried gate static induction transistors Reviewed Major achievement
A. Takatsuka,Y. Tanaka,K. Yano,T. Yatsuo,K. Arai
Jpn. Journal of Applied Physics 49 2010.3
-
Crystalline quality of channel regions in SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs) Reviewed Major achievement
A.Takatsuka,Y. Tanaka,K. Yano,T. Yatsuo,K. Arai
Material Science Forum 645-648 535 - 538 2010.1
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Shape transformation of 4H-SiC microtrenches by hydrogen annealing Reviewed Major achievement
A.Takatsuka,Y. Tanaka,K. Yano,T. Yatsuo,Y. Ishida その他１名
Jpn. Journal of Applied Physics 48 41105 - 4105 2009.4
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Short-circuit operation of SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSIT) Reviewed Major achievement
K.Yano, Y.Tanaka, A. Takatsuka,T. Yatsuo, and K. Arai
Material Science Forum 615-617 739 - 742 2009.2
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Three Dimensional Analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs) Reviewed Major achievement
K.Yano,Y.Tanaka, T. Yatsuo,A. Takatsuka,M.Okamoto,その他１名
Materials Science Forum 600-603 1075 - 1078 2009.2
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1270V, 1.21mΩcm2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSITs) Reviewed Major achievement
Y.Tanaka,K. Yano,M.Okamoto,A. Takatsuka,K. Arai その他１名
Materials Science Forum 600-603 1071 - 1074 2009.2
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Application of SiC-BGSITs for DC-DC converters Reviewed Major achievement
Y.Tanaka,K.Yano,A. Takatsuka,K. Arai,T. Yatsuo
European. Conf. Silicon Carbide & Related Materials 2008.9
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Short Circuit Operation of SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC BGSITs) Reviewed Major achievement
K.Yano,Y.Tanaka,T. Yatsuo,A. Takatsuka,K. Arai
Proc. European. Conf. Silicon Carbide & Related Materials 2008.9
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1270V, 1.21mΩcm^2 SiC buried gate static induction transistors (SiC-BGSIT) Reviewed Major achievement
Y. Tanaka,K. Yano,M.Okamoto,A.Takatsuka,K.Arai,T.Yatsuo
Proc. Int. Conf. Silicon Carbide and Related Mater. 2007 Th227 - 228 2007.10
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Three dimensional analysis of turnoff operation of SiC buried gate static induction transistors (BG-SITs) Reviewed Major achievement
K. Yano,Y. Tanaka,T. Yatsuo,A.Takatsuka,M. Okamoto,K.Fukuda,K. Arai
Proc. Int. Conf. Silicon Carbide and Related Mater. 2007 WE170 - WE11 2007.10
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Fabrication of 700V SiC-SIT with ultra-low on-resistance of 1.01mΩcm^2 Reviewed Major achievement
Y. Tanaka, K. Yano, M.Okamoto, A. Takatsuka, K. Fukuda, その他3名
Materials Science Forum 527 1219 - 1222 2006.11
-
700-V 1.0mΩcm^2 buried gate SiC-SIT (SiC-BGSIT) Reviewed Major achievement
Y.Tanaka,M.Okamoto,A.Takatsuka,T.Yatsuo,K. Yano,その他1名
IEEE Electron Device Letters 27 ( 11 ) 908 - 910 2006.11
-
Performance of lateral SOI-MOS static induction transistors for RF power applications Reviewed Major achievement
K.Yano, A.Mitsumori, M.Furuya, M.Kasuga
Solid-State Electronics 49 1233 - 1240 2005.7
-
Growth of ZnO films by MOCVD in high magnetic field Reviewed Major achievement
M.Kasuga, T. Takano, S. Akiyama, K. Hiroshima, K. Yano, K. Kishino
Journal of Crystal Growth 275 e1545 - e1550 2005.2
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静電誘導整流ダイオードのドリフト層厚みの効果 Reviewed Major achievement
矢野浩司,春日正伸
電気学会論文誌 126 956 - 961 2004.9
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Analysis of output power degradation for tunnel metal-insulator-semiconductor solar cell Reviewed Major achievement
K.Yano,A.Shimizu, S.Shinoda,M.Kasuga
Jpn. J. Appl. Phys. 42 ( 10 ) 6339 - 6345 2003.10
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A １V 1.9GHz mixer using a lateral bipolar transistor in CMOS Reviewed Major achievement
S. Ye, K.Yano, C. Andre T. Salama
Proc. Int. Symp. Low Power Electronics and Design(California) 112 - 116 2001.8
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Impacts of channel implantation on performance of static shielding diodes and static induction rectifiers Reviewed Major achievement
K.Yano, N．Hattori，Y. Yamamoto, M. Kasuga
Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs(Osaka) 219 - 222 2001.6
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Lateral SOI static induction rectifiers Reviewed Major achievement
K.Yano, S. Honarkhah, C.A.T. Salama
Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs(Osaka) 247 - 250 2001.6
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Static induction rectifiers with a p-type channel Reviewed Major achievement
H．Hattori，H. Obara, K. Yano, M. Kasuga, A. Shimizu
Proc. Int. Power Electric Conference (IPEC-Tokyo),pp.736-741 (Tokyo) 736 - 741 2000.4
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Lateral SOI static induction rectifiers Reviewed Major achievement
Y. Kojima, K. Yano, M. Kasuga, A.Shimizu
Proc. Int. Power Electric Conference (IPEC-Tokyo) 742 - 747 2000.4
-
High- power rectifier using the BSIT operation Reviewed Major achievement
K.Yano, I. Henmi, M. Kasuga, and A. Shimizu
IEEE Trans.Electron Devices 45 ( 2 ) 563 - 565 1998
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静電誘導型整流ダイオードの特性改善手法 Major achievement
矢野 浩司
電子材料 37 ( 7 ) 86 - 91 1998
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Rectifier characteristics based on bipolar- mode SIT operation Reviewed Major achievement
K. Yano, M. Mitsui, H. Moroshima, J.-I. Morita, M. Kasuga, and A. Shimizu
IEEE Electron Device Lett. 15 ( 9 ) 321 - 323 1994
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Influence of majority carrier accumulation in the SIT with a high-purity channel on voltage amplification factor Major achievement
K. Yano ; C.-W. Kim ; M. Kimura ; A. Tanaka ; S.-I. Motoyama ; T. Sukegawa
IEEE Transaction on Electron Devices 40 ( 11 ) 2092 - 2094 1993.11
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Effects of shielded-gate structure on on-resistance of the SIT with a high-purity channel region Reviewed Major achievement
K. Yano ; C.-W. Kim ; M. Kimura ; A. Tanaka ; S.-I. Motoyama ; T. Sukegawa
IEEE Transaction on Electron Devices 39 ( 5 ) 1257 - 1260 1992.5
-
Effects of the doping profile on current characteristics in BSITs Major achievement
C.-W. Kim ; M. Kimura ; K. Yano ; A. Tanaka ; T. Sukegawa
IEEE Electron Device Letters 13 95 - 97 1992.2
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Bipolar-mode static induction transistor: experiment and two-dimensional analysis Reviewed Major achievement
C.-W. Kim ; M. Kimura ; K. Yano ; A. Tanaka ; T. Sukegawa
IEEE Transactions on Electron Devices 37 ( 9 ) 2070 - 2075 1990.9
Presentations
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SiC-BGSITカスコード素子 Major achievement
伊澤健史、戸田龍一、坂本悠誠、小野哲夫、矢野浩司
令和6年電気学会全国大会 2024.3 電気学会
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p-NiO/n-Ga2O3ヘテロダイオードのFLR構造の耐圧シミュレーション
池上 啓太、唐澤直樹、矢野浩司、中込真二
令和５年電気学会全国大会 2023.3 電気学会
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Si-スーパージャンクションBJT/Si-MOSFETダーリントンスイッチ
涌井翔真、矢野浩司、橋本誠、小川勉
令和５年電気学会全国大会 2023.3 電気学会
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光駆動SiCパワースイッチを用いたハーフブリッジインバータ回路の検証
鈴木惇哉、松本俊、矢野浩司
令和4年度第29回静岡東部・山梨支所研究発表会 2022.12 電気学会静岡東部支所・山梨支所
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光駆動SiCカスコードスイッチによるハーフブリッジインバータ
鈴木 惇哉、松本 俊、矢野 浩司
2022年電気学会産業応用部門大会 2022.8
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SiC-Static Induction Transistor Cascodes with Extremely Low ON-Resistance and High Short Circuit Ruggedness Invited International conference
Koji Yano and Yasunori Tanaka
6th International conference on Advanced Electromaterials 2021.11 Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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NiO/β-Ga2O3ヘテロpn接合ダイオードの逆回復特性
中込, 矢野
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021.9 応用物理学会
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酸素中熱処理によるNiO/β-Ga2O3ダイオードの高耐圧化
中込, 佐藤, 千葉, 矢野
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021.9 応用物理学会
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First Demonstration of Si Super Junction BJT with Ultra-High Current Gain and Low ON-resistance Major achievement
2021.3
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Device Simulation of SiC Screen Grid Vertical JFET
2021.3
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高耐圧SIThyのターンオン特性の解析
名取 拓馬，矢野 浩司
第２７回電気学会静岡東部・山梨支所研究発表会 2020.11
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パワー半導体 抵抗を低減 山梨大など開発 発熱抑え省エネ
新聞報道 2020.9
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新日本無線、機器を小型化・低損失化 シリコンSJ-BJT開発
新聞報道 2020.8
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Stress test of cascode switch using SiC static induction transistor International conference
T. Matsumoto, Y. Tanaka, K. Yano
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 2019.9
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A development of a high voltage, large current static induction thyristor
Akira Tokuchi, Koji Yano, Masayuki Yamamoto, Naohiro Shimizu , Koichi Kamada
2019.8
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パワーデバイスの積層実装の熱解析 Major achievement
矢野浩司、米山雄介
第２５回電気学会東京支部静岡東部・山梨支所研究発表会 2018.11
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山梨大学パワー半導体研究室
SEMICON Japan 2017 2017.12
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SiC-MOSFETのヒステリシス特性 Major achievement
松本俊、矢野浩司 高柳 良平
電気学会東京支部山梨支所・静岡東部支所研究発表会 2017.11
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SiC-BGSITカスコード接続
山本真幸,田中保宣,八尾 勉,矢野浩司
電気学会 電子デバイス・半導体電力変換合同研究会 2015.10 電気学会
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静電誘導型デバイスの現状
矢野浩司,清水尚博
電気学会 電子デバイス・半導体電力変換合同研究会 2015.10 電気学会
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Cascode configuration of SiC-BGSIT and Si-MOSFET with Low On-Resistance and High Transconductance
Int. Silicon Carbide & Related Materials 2015.10
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車載向け低帰還容量 SiCJFET の提案と高 動作の検討
石川、田中、八尾、矢野
第 79 回半 導体・集積回路技術シンポジウム 2015
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山本真幸 飯塚大臣 田中保宣 八尾勉 矢野浩司
2014.11
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3kVノーマリーオフ型SiC-BGSITの設計
飯塚大臣,田中保宣,八尾勉,高塚章夫,山本真幸,矢野浩司
先進パワー半導体分科会第１回講演会 2014.11 応用物理学会
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SiC埋め込みゲート型SITにおけるオン抵抗の温度特性
望月雄貴,田中保宣,八尾 勉,高塚章夫,山本真幸,矢野浩司
先進パワー半導体分科会第１回講演会 2014.11 応用物理学会
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3.3kV SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs) with Ultra Low Specific On-Resistance
European Conference Silicon Carbide & Related Materials 2014.9
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ゲートオーバードライブによるノーマリーオフ型SiC-BGSITのターンオン損失改善 Major achievement
勝俣 公貴,田中 保宣,八尾 勉,高塚 章夫,山本 真幸,矢野 浩司
SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第22回講演会予稿集 2013.12 応用物理学会
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3kV級ノーマリーオフSiC埋め込みゲート型静電誘導トランジスタの開発
高塚章夫,田中保宣,矢野浩司,松本則男,八尾勉
SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第22回講演会予稿集 2013.12 応用物理学会
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ノーマリオフ型SiC-BGSITの負荷短絡耐量評価
高塚章夫,田中保宣,矢野浩司,八尾勉,荒井和雄
SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第21回講演会予稿集 2012.11
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ゲートオーバードライブによるノーマリーオフSiC埋め込みゲートSITのスイッチング特性改善 Major achievement
中嶋竜基,矢野浩司,田中保宣,八尾勉,高塚章夫
SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第21回講演会予稿集 2012.11 SiC研究会
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SiC-静電誘導トランジスタの高温逆バイアス試験 Major achievement
矢野浩司（山梨大学）・田中保宣・八尾 勉・高塚章夫（産業技術総合研究所）
2011.3 電気学会
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SiC-BGSITの負荷短絡耐量のチャネル幅依存性 Major achievement
矢野浩司,田中保宣,八尾 勉,高塚章夫
平成21年電気学会全国大会予稿集 2009.3 電気学会
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GaN-on-SiパワーHFETのゲートフィールドプレートの効果 Major achievement
山口裕之,矢野浩司,松本 俊,馬場良平,鈴木 徹 その他1名
平成21年電気学会全国大会予稿集 2009.3 電気学会
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SiC埋め込みゲートSITのチャネル設計の検討 Major achievement
矢野浩司,八尾勉,田中保宣,福田憲司,高塚章夫,他2名
第20回SIシンポジウム講演論文集 2008.6 SIデバイス研究会
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気液二相共存系を用いた吸音に関する研究
小川晃弘，佐藤克昌，矢野浩司，春日正伸
2007.3 応用物理学会
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SiC-埋め込みゲートSITのチャネル設計 Major achievement
矢野浩司,八尾 勉,田中保宣,福田憲司,高塚章夫,岡本光央,荒井和雄
電気学会全国大会講演予稿集 2007.3 電気学会
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埋込ゲートSiC-SIT(BGSIT)の設計・試作および電気的特性
田中,高塚,岡本,八尾,矢野,その他1名
電気学会、電子デバイス・半導体電力変換合同研究会 2006.10 電気学会
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面方位違法性エッチングを用いた溝型静電誘導整流ダイオードの試作 Major achievement
花井,矢野,丸山
電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会 2006.10 電気学会
-
横型MOS-SITの高周波性能のシミュレーション Major achievement
矢野,古屋,春日
第19回SIデバイスシンポジウム講演論文集 2006.6 SIデバイス研究会
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超低損失埋込ゲート型SiC-SIT(BGSIT)の開発
田中,矢野,岡本,高塚,春日,その他3名
第１９回SIデバイスシンポジウム講演論文集 2006.6 SIデバイス研究会
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横型MOS静電誘導トランジスタの高周波性能 Major achievement
古屋,矢野,春日
電子情報通信大会春季全国大会 2006.3 電子情報通信学会
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基板用厚膜ZnOの気相成長(II)
峰岸一典,高橋 努,矢野浩司,春日正伸
応用物理学会講演予稿集 2006.3 応用物理学会
-
気液二相共存を用いた防音壁
小川晃弘,佐藤克昌,矢野浩司,春日正伸
応用物理学会講演予稿集 2006.3 応用物理学会
-
SiC-SITのターンオフ特性の3次元シミュレーション Major achievement
矢野,春日,八尾,田中,福田,荒井
電気学会全国大会 2006.3 電気学会
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700V 1.01mΩcm2埋め込みゲート型SiC-SIT（BGSIT）の開発
田中,矢野,岡本,高塚,高尾,春日,荒井,八尾
同研究会１４回講演予稿集 2005.11 SiC・関連ワイドギャップ研究会
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横型MOS静電誘導トランジスタの高周波特性のシミュレーション Major achievement
古屋雅章,矢野浩司,春日正伸
電気学会産業応用部門講演予稿集 2005.8 電気学会
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埋め込みゲート型SiC-SITの特性と負荷短絡シミュレーション Major achievement
矢野,田中,岡本,高塚,八尾,福田,荒井,春日
ＳＩデバイスシンポジウム講演論文集 2005.7 ＳＩデバイスシンポジウム
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埋め込みゲートSiC-SITの電気的特性
田中,矢野,岡本,高塚,福田,春日,荒井,八尾
応用物理学会講演予稿集 2005.4 応用物理学会
-
基板用厚膜ZnOの気相成長
須村大介,土橋正典,峰岸一典,矢野浩司,春日正伸
応用物理学会講演予稿集 2005.3 応用物理学会
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SiC-SITの負荷短絡ターンオフ特性 Major achievement
矢野,春日,八尾,田中,福田,荒井
電気学会全国大会 2005.3 電気学会
-
SiC静電誘導トランジスタ構造を用いたゲートアシスト付整流デバイスの特性 Major achievement
矢野,春日,田中,八尾
ＳＩデバイスシンポジウム講演論文集 2004.5 ＳＩデバイス研究会
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Performance of SOI-MOS static induction transistors for RF power applications Major achievement
K.Yano,A.Mitsui, and M. Kasuga
ＳＩデバイスシンポジウム講演論文集 2003.6 ＳＩデバイス研究会
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SOI-MOSSITの高周波特性のシミュレーション
矢野,三森,春日
応用物理学会講演予稿集 2003.3 応用物理学会
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Ｕ形溝グリッド構造とプレーナ構造の静電誘導整流ダイオードの特性比較 Major achievement
矢野,有馬,春日
電気学会全国大会 2003.3 電気学会
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静電誘導整流ダイオードの基板厚みの効果
矢野,春日
電気学会全国大会 2003.3 電気学会
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強磁場中におけるZnOのMOCVD成長
春日,原田,家田,村上,廣嶋,矢野,岸尾
第63回応用物理学会講演予稿集 2002.9 応用物理学会
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強磁場中におけるZnO膜のMOCVD成長
春日,原田,家田,村上,廣嶋,矢野,岸尾
第３２回結晶成長国内会議講演予稿集 2002.7 日本結晶成長学会
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磁場中におけるZnO膜のMOCVD
春日,原田,家田,村上,廣嶋,矢野,岸尾
応用物理学会講演予稿集 2002.3 応用物理学会
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Growth of ZnO Films by MOCVD in High Magnetic field
M.Kasuga ,M.Harada,T.Ieta,T.Murakami,K.Hiroshima,K.Yano,K.Kishio
Proc. 3dr Janan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes&Equipments 2002.1
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イオン注入チャネル静電誘導型整流ダイオードの特性 Major achievement
矢野,服部,山本,春日
ＳＩデバイスシンポジウム講演論文集 2001.2 ＳＩデバイス研究会
Awards
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電気学会第23回優秀技術活動賞、技術報告賞
2020.6 一般社団法人電気学会 技術報告書「シリコンパワーデバイス・ パワーICのさらなる進化および新材料パワーデバイスの進展」
電気学会、シリコンならびに新材料パワーデバイス・パワーIC技術調査専門委員会
Teaching Experience (On-campus)
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Power Electronics Major achievement
2023Year
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Electrical Energy Conversion Engineering Major achievement
2023Year
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Advanced Power Semiconductor Modules Engineering Major achievement
2023Year
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基礎電気電子工学実験 Major achievement
2017Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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電気回路II Major achievement
2017Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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半導体デバイス工学特論 Major achievement
2017Year Type of subject：Dr. (Graduate School)
集中講義形式で実施している
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電子デバイス工学特論 Major achievement
2017Year Type of subject：Master's (Graduate School)
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パワーエレクトロニクス Major achievement
2017Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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家庭の中のエレクトロニクス Major achievement
2017Year Type of subject：Common education (undergraduate)
Guidance results
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2017
Type：Undergraduate （Major A course）graduation thesis guidance
Number of people receiving guidance ：4people (Overseas students)：0people
Number of teachers：1people
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2017
Type：Master's （Major B course）dissertations guidance
Number of people receiving guidance ：3people
Number of teachers：1people
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2017
Type：Ph.D. dissertations guidance
Number of people receiving guidance ：1people
Professional Memberships
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IEEE
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応用物理学会
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電気学会