経歴
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山梨大学 教育人間科学部 准教授
2007年4月 - 現在
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山梨大学 教育人間科学部 助教授
2004年4月 - 現在
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東京工業大学 大学院 理工学研究科 物性物理学専攻 助手
1995年10月 - 現在
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早稲田大学 理工学部 応用物理学科 助手
1995年4月 - 現在
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日本学術振興会 特別研究員(DC)
1993年4月 - 現在
学歴
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早稲田大学
- 1995年3月
国名： 日本国
備考： (事項) 早稲田大学 大学院 理工学研究科 物理及び応用物理学専攻 博士課程 修了
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早稲田大学
- 1990年3月
国名： 日本国
備考： (事項) 早稲田大学 理工学部 応用物理学科 卒業
学位
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博士（理学） （ 1995年3月 早稲田大学 ）
研究分野
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ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 / 表面物理
研究キーワード
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光電子分光、走査トンネル顕微鏡、反射高速電子線回折、低速電子線回折、グラフェン
研究テーマ
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固体表面を舞台とした新奇な物性発現の探索。
電子線回折を用いた結晶表面の静的及び動的構造の解析。
磁性ナノ構造の作製及びその微視的磁化の制御。
共同研究・競争的資金等の研究
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超高密度磁気記録を室温・大気環境で実現するための新規な記録方式の開発
研究課題/領域番号：17760022 2005年 - 2006年
日本学術振興会 山梨大学 科学研究費助成事業 若手研究(B)
長島 礼人
磁性金属薄膜の表面に反強磁性の薄い酸化膜を形成,更にこの酸化膜にピンホール(記録セル)を高面密度に導入する.走査トンネル顕微鐘の探針を用いて記録セルとの間にポィントコンタクトを形成し,このコンタクト領域に高密度の電流をパルス的に注入することで,所望のセルのみ磁化方向を反転させること,即ち記録の書込みを達成する.概略以上のような新規な方式の開発を本研究は目的としている.これに向けて本年度は,以下の事を行った.
(I)試料作製のための環境・設備あ整備:Ni及びFeめ薄膜作製のための電子ビーム衝撃加熱型セル本体とコントロール電源の自作,および蒸着レートめ決定.試料の作製と測定を行う真空槽内部の真空度を,超高真空に到達させるためのべーキングシステムの用意,試料及び探針を真空槽内に,その真空は破ることなく,導入するためのロードロックシステムの構築.
(II)磁気輸送特性計測のための設備の整備:ポイントコンタクトへのパルス電流注入用ファンクシヨンジェネレータ,電磁石駆動用電源,数台の計測用マルチメータ,以上の機器をコンピュータで連携制御するためのプログラムを自作,通常の用途で走査トンネル顕微鏡を使用する場合には,探針を試料表面に適正に接近させるための指標としてトンネル電流を用いる.ポイントコンタクトの輸送特性測定においては,大きな抵抗を直列に介在させ,試料バイアス電源を定電流モードで使用せざるを得ない.つまり,コンタクトに流れる電流値を探針接近の際の指標として用いることが出来ない.解決のため,ポイントコンタクトのコンダクタンスに指数関数的に依存した電圧を発生させるアンプを自作し,これをコンタクト形成の際の指標としてフィードバック回路に入力する方式を開発した.
(III)試料作製・輸送特性評価の予備実験:自然酸化膜付のSi基板上へ,Cu, Au, Niを各々数十nmの厚みで堆積させた試料を作製,安定したポイントコンタクト形成のために解決すべき課題の洗い出しを行う.周期性のないSiの自然酸化膜上に堆積した上記薄膜試料が,法線方向については<111>配行していることを確認した.NiOが(111)分子層毎に磁化方向を反転させていることと考え合わせれば,上記の結果は,磁化のピン止め層としてNiOを機能せしめようとする本研究の意図にとって望ましい結果である. -
表面成長基礎過程制御による磁性半導体への不純物の超高濃度ドープと表面ナノ構造形成
研究課題/領域番号：14076211 2002年 - 2005年
日本学術振興会 東京工業大学 科学研究費助成事業 特定領域研究
吉野 淳二, 南 不二雄, 小川 佳宏, 長島 礼人
走査型プローブ技術およびその関連技術を用いて半導体と磁性体から構成されるナノ構造の形成,それによる新物性・新機能の創出,半導体表面上に形成されるナノ構造の形成過程の解明,ナノ構造形成制御技術の開発を目指して研究を進め,以下に示す成果を得た.
(1)GaAs(001)表面の低温,As過剰領域の安定表面構造であるc(4x4)に関して,(1)GaAs(001)表面上のGaAsの低温MBE成長において観測されるリエントラントなRHEEDの起源が,400℃近傍で観測される第1層目の形成中に起こる異常なラフニングに原因があることを示した.
(2)同じGaAs(001)c(4x4)構造を有する2種の異なる構造であるAsホモダイマーで終端されるているc(4x4)βおよびGa-Asヘテロダイマーで終端されているc(4x4)α再構成の原子配列を明らかにし,さらに,As_4フラックス下でのそれらの相互の相転移を調べ,2つの構造の制御条件を明らかにした.
(3)GaAs(001)c(4x4)α表面上におけるMnAsの初期成長過程を調べ,極めて成長初期にMnフラックスの照射によりc(4x4)αからc(4x4)βへの相転移が促進されること,その結果,表面のGa-AsヘテロダイマーからのGa放出のため,見かけ上,被覆率の異常が観測され,第2層目からは,NiAs型クラスターが形成されることを明らかにした.
(4)弾道電子放出顕微分光法(BEES)を用いてGaAs(001)表面上に作製したFe薄膜中の電子の弾道的運動を調べ,1.1-1.6eVのエネルギー領域で弾道運動の減衰長は,エネルギーと共に減少し,従来の報告より長く,2.7-1.5nmであること明らかにした.
(5)GaMnAs/GaAs/GaMnAs/GaAs/GaMnAs二重障壁構造における電流注入により3×10^4 A/cm^2という最も低い電流密度における電流による磁化反転を観測した. -
磁性ナノ構造の形成と新機能創出
研究課題/領域番号：14750021 2002年 - 2003年
日本学術振興会 東京工業大学 科学研究費助成事業 若手研究(B)
長島 礼人
本研究では、自己組織的手法によって磁性ナノドットを数十nmの間隔で高密度に形成する適切な材料および作製条件を探索すると共に、10nm程度のドットの磁化を、隣接ドットの磁化は乱すことなく、検出・制御する手法の確立を目指している。具体的には、走査トンネル顕微鏡(STM)を利用し、スピン偏極電子を探針から磁性ドットへトンネル注入することでドットの磁化制御を試みる。スピン偏極電子をトンネル注入するには、STM探針が磁性材料から構成される必要がある。その一方で、探針から生ずる巨視的磁場がドットの磁化方向を乱すことは避けなければならない。以上2つの要請を両立するため、非磁性のタングステン探針に磁性物質を数-十数原子層だけ蒸着した探針を用いる方式を採ることとした。昨年度は、探針先端を2300K以上に加熱できる加熱機構を作製/導入した。更に、蒸着材料としてFe、Co、及びCrを備えた蒸着装置を作製し、蒸着中の真空度の劣化を5×10-10 Torr以下に抑制できることを確認した。以上を踏まえて平成15年度は次のことを行った。(1)磁化探針の性能評価の標準試料として、Cr(001)の薄膜をMgO基板上に作製した。清浄なCr(001)表面は単原子層ステップを跨ぐごとにテラスの磁化方向が反転する層状反強磁性表面であることが知られている。作製した薄膜に清浄Cr(001)表面に特徴的な表面準位が観察されることを確認した。ただし現状では、蒸着中に取り込まれる微量の不純物炭素のため、所望の1x1ではない複雑な長周期構造を表面の一部が呈している。尚一層の清浄化を図るため、蒸着装置の脱ガスを徹底するとともにイオン衝撃加熱設備の導入を予定している。(2)GaA(001)を磁性微細構造作製の基板として利用するには、通常よりも低い成長温度に設定する必要がある。こうした特殊な成長条件化における表面のラフニングが成長開始前の表面構造に強く依存していることを明らかにした。(3)スピン偏極率が100%であると理論計算から予言されている閃亜鉛鉱型MnAsをGaAs(001)基板上に作製することを目指して、初期成長過程の観察を行い、その構造モデルを提示した。
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弾道電子放出顕微鏡による半導体/磁性体ヘテロ構造における磁気輸送機構の解明
研究課題/領域番号：13450009 2001年 - 2003年
日本学術振興会 東京工業大学 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
吉野 淳二, 長島 礼人
本研究では,弾道電子放出顕微鏡及び分光法(BEEM/BEES法)を用いて半導体/磁性体表面ナノ構造におけるスピン依存のトンネル現象を微視的に解明することを目的とした.具体的な成果は次の通り.
1.半導体層の形成からBEEM電極の形成,低温でのBEEM/BEES観測までを真空一貫で実現できる装置を開発した.
2.半導体/磁性体表面ナノ構造の形成に関して
(1)各種のGaAs(001)再構成表面上へのFe蒸着について調べた結果,4x6再構成表面上に於いて信頼性の高いショットキー障壁が得られることを見いだした。
(2)閃亜鉛鉱型構造を有するMnAsとCrAsの形成と輸送特性の解明を目指して,GaAs(001)c(4x4)表面上での初期成長過程を検討し,特にMnAsに関しては,LEEDIV解析から表面構造モデルを提案した.
(3)Fe_xSi_<1-x>磁性体表面ナノ構造の形成を目指して,Agにより終端して不活性化したSi(111)√<3>×√<3>-Ag表面を用いることにより,SiとFeとの反応性を制御することにより,サイズが10-20nmのFe_3Si磁性体ナノドットを形成できることを見いだし,さらに微傾斜基盤を用いることによりステップエッジに磁性体ドット列を形成することに成功した.
3. GaAs(001)表面上に作成したFe磁性体層の厚さの異なるGaAs/Feショットキー障壁のBEES測定を行い,Fe層中でのエネルギーに依存する非弾性減衰長を観測し,その値が,1.52-2.74nmと従来の報告より長いことを見いだした.
4. GaAs(001)c(4x4)表面が,単一の構造ではなく少なくとも2種類以上の異なる構造から構成されており,300℃近傍でも相転移することを見いだした.さらに,GaAsの低温成長やMnAs等の初期成長の挙動が,その影響を考慮することにより良く理解できることを明らかにした.
論文
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Growth and atomic structure of twisted bilayer graphene formed on Ni(111) by segregation 査読 重要な業績
A. Nagashima, M. Ozeki, Y. Kamiyama, G. Odahara
Surface Science 736 ( 1 ) 122351-1 - 122351-6 2023年7月( ISSN：0039-6028 )
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発光ダイオードの高効率性を理解させる実験教材及び学習プログラムの開発 査読 重要な業績
長島 礼人，大塚 健太
物理教育 66 ( 1 ) 19 - 23 2018年3月
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2次元衝突実験におけるすべり摩擦効果の確認とモデル計算による再現 査読 重要な業績
長島 礼人,松森 靖夫,千野 友博
物理教育 62 ( 2 ) 75 - 78 2014年6月
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超高真空対応温度可変型マニピュレータの作製と改良 その２
長島礼人
山梨大学教育人間科学部紀要 15 285 - 291 2014年3月
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超高真空対応温度可変型マニピュレータの作製と改良
長島礼人
山梨大学教育人間科学部紀要 14 32 - 42 2013年3月
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水難救助を題材とした問題に適用される物理概念の分析 －小・中学校教員志望学生を調査対象とした一考察－
松森靖夫,長島礼人,佐久間理志
山梨大学教育人間科学部紀要 14 19 - 25 2013年3月
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物理分野の評価問題に関する一考察 - The Physics Teacher誌のコラム “Figuring Physics” を事例にして -
松森靖夫,長島礼人,佐久間理志
山梨大学教育人間科学部紀要 12 35 - 49 2011年3月
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Surface structure of GaAs(001)-c(4x4) studied by LEED intensity analysis 査読 重要な業績
A. Nagashima,A. Nishimura,T. Kawakami,J. Yoshino
Surface Science 564 ( 1 ) 218 - 224 2004年8月
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Anomalous roughening of GaAs(001) during low temperature growth
A. Nagashima,T. Kawakami,A. Nishimura,J. Yoshino
Extended abstracts of The 22nd Electronic Materials Symposium 153 - 156 2003年7月
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Study on initial growth process of MnAs on GaAs(001)-c4x4 by LEED IV and STM
A. Nagashima,A. Nishimura,J. Yoshino
Extended abstracts of The 9th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors 121 - 122 2003年6月
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TMC(100) surface relaxation studied with low-energy-electron-diffraction intensity analysis 査読
M. Tagawa,T. Kawasaki,C. Oshima,S. Otani,K. Edamoto,A. Nagashima
Surface Science 517 ( 1 ) 59 - 64 2002年10月
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Study on mechanism of re-entrant RHEED oscillation observed during LT-MBE growth of GaAs 査読
A. Nagashima,M. Tazima,J. Yoshino
Proceedings of the 28th International Symposium on Compound Semiconductors 653 - 658 2002年9月
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Formation of iron silicide nanodots on Si(111)-√3x√3Ag 査読 重要な業績
Y. Takagi,A. Nishimura,A. Nagashima,J. Yoshino
Surface Science 514 ( 1 ) 167 - 171 2002年8月
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STM and RHEED studies on low-temperature growth of GaAs(001) 査読 重要な業績
A. Nagashima,M. Tazima,A. Nishimura,Y. Takagi,J. Yoshino
Surface Science 514 ( 1 ) 350 - 355 2002年8月
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Structural analysis of GaAs(001)-c(4×4) with LEED IV technique 査読
A. Nagashima,M. Tazima,A. Nishimura,Y. Takagi,J. Yoshino
Surface Science 493 ( 1 ) 227 - 231 2001年11月
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Carrier concentration dependence of electronic and magnetic properties of Sn-doped GaMnAs 査読
Y. Satoh,D. Okazawa,A. Nagashima,J. Yoshino
Physica E 10 ( 1 ) 196 - 200 2001年5月
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Effect of Mn on the low temperature growth of GaAs and GaMnAs 査読
M. Tazima,K. Yamamoto,D. Okazawa,A. Nagashima,J. Yoshino
Phisica E 10 ( 1 ) 186 - 191 2001年5月
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MBE growth and properties of 3d transition metal-doped GaAs 査読
D. Okazawa,K. Yamamoto,A. Nagashima,J. Yoshino
Physica E 10 ( 1 ) 229 - 232 2001年5月
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TiC(100) surface relaxation studied with low-energy electron diffraction intensity analysis 査読
M. Tagawa,M. Okuzawa,T. Kawasaki,C. Oshima,S. Otani,A. Nagashima
Physical Review B 63 ( 7 ) 34071 - 34073 2001年2月
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Comparative studies on the surface structures of NiSi2 and CoSi2 epitaxially formed on Si(111) 査読
A. Nagashima,T. Kimura,A. Nishimura,J. Yoshino
Surface Science 441 ( 1 ) 158 - 166 1999年10月
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Initial nitridation of the CoSi2(111)/Si(111) surface 査読
A. Nagashima,T. Kimura,A. Nishimura,J. Yoshino
Surface Science 433-435 529 - 533 1999年8月
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Formation of an ordered surface compound consisting of Ag 査読
A. Nagashima,T. Kimura,J. Yoshino
Applied Surface Science 130-132 248 - 253 1998年6月
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Phono dispersio of an epitaxial monolayer film of hexagonal boron nitride on Ni(111) 査読
E. Rokuta,Y. Hasegawa,K. Suzuki,Y. Gamou,C. Oshima,A. Nagashima
Physical Review Letters 79 ( 23 ) 4609 - 4612 1997年12月
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単原子層六方晶系窒化ホウ素のフォノン
大島忠平,六田英冶,長島礼人
日本物理学会誌 52 ( 8 ) 610 - 613 1997年8月
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Atomic structure of monolayer graphite formed on Ni(111) 査読
Y. Gamou,A. Nagashima,M. Wakabayashi,M. Terai,C. Oshima
Surface Science 374 ( 1 ) 61 - 64 1997年3月
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Atomic structural analysis of a monolayer epitaxial film of hexagonal boron nitride/Ni(111) studied by LEED intensity analysis
Y. Gamou,M. Terai,A. Nagashima,C. Oshima
Tohoku Univ. Science Reports of the Research Institutes Tohoku University Series A-Physics Chemistry & Metallurgy 44 ( 2 ) 211 - 214 1997年3月
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Ultra-thin epitaxial films of graphite and hexagonal boron nitride on solid surfaces 査読 重要な業績
C. Oshima,A. Nagashima
Journal of Physics-Condensed Matter 9 ( 1 ) 1 - 20 1997年1月
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Electronic states of the heteroepitaxial double-layer system: Graphite/monolayer hexagonal boron nitride/Ni(111) 査読
A. Nagashima,Y. Gamou,M. Terai,M. Wakabayashi,C. Oshima
Physical Review B 54 ( 19 ) 13491 - 13494 1996年11月
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Electron spectroscopic studies of monolayer hexagonal boron nitride physisorbed on metal surfaces 査読
A. Nagashima,N. Tejima,Y. Gamou,T. Kawai,M. Terai,M. Wakabayashi,C. Oshima
International Journal of Modern Physics B 10 ( 26 ) 3517 - 3537 1996年11月
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Electronic states of monolayer hexagonal boron nitride formed on the metal surfaces 査読
A. Nagashima,N. Tejima,Y. Gamou,T. Kawai,C. Oshima
Surface Science 357-358 307 - 311 1996年6月
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Electronic structure of monolayer hexagonal boron nitride physisorbed on metal surfaces 査読 重要な業績
A. Nagashima,N. Tejima,Y. Gamou,T. Kawai,C. Oshima
Physical Review Letters 75 ( 21 ) 3918 - 3921 1995年11月
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六方晶系窒化ホウ素の単原子層エピタキシャル膜
長島礼人,大島忠平
固体物理 30 ( 8 ) 739 - 745 1995年8月
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Electronic dispersion relations of monolayer hexagonal boron nitride formed on the Ni(111) surface 査読
A. Nagashima,N. Tejima,Y. Gamou,T. Kawai,C. Oshima
Physical Review B 51 ( 7 ) 4606 - 4613 1995年2月
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Electronic states of the pristine and alkali-metal-intercalated monolayer graphite/Ni(111) systems 査読
A. Nagashima,N. Tejima,C. Oshima
Physical Review B 50 ( 23 ) 17487 - 17495 1994年12月
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Change in electronic states of graphite overlayer depending on the thickness 査読
A. Nagashima,H. Itoh,T. Ichinokawa,S. Otani,C. Oshima
Physical Review B 50 ( 7 ) 4756 - 4763 1994年8月
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Electronic states of monolayer graphite formed on TiC(111) surface 査読
A. Nagashima,K. Nuka,H. Itoh,T. Ichinokawa,S. Otani,C. Oshima
Surface Science 291 ( 1 ) 93 - 98 1993年7月
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Electronic structure of monolayer graphite on some transition metal carbide surfaces 査読
A. Nagashima,K. Nuka,K. Satoh,H. Itoh,T. Ichinokawa,S. Otani,C. Oshima
Surface Science 287-288 609 - 613 1993年5月
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TaC(100)面上の単原子層グラファイトからの光電子放出強度 査読
奴賀謙治,長島礼人,大島忠平
表面科学 14 ( 3 ) 175 - 176 1993年3月
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電荷移動によらない低次元炭素系の物性
長島礼人,大島忠平
表面科学 14 ( 8 ) 486 - 492 1993年3月
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Two-dimensional plasmons in monolayer graphite 査読
A. Nagashima,K. Nuka,H. Itoh,T. Ichinokawa,S. Otani,Y. Ishizawa,C. Oshima
Solid State Communications 83 ( 8 ) 581 - 585 1992年8月
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角度分解型光電子分光法によるTiC(111)面上の単原子層グラファイトの研究 査読
長島礼人,奴賀謙治,井藤浩志,市ノ川竹男,大谷茂樹,石沢芳夫,笠村秀明,工藤正博,大島忠平
表面科学 13 ( 3 ) 163 - 168 1992年3月
書籍等出版物
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傑作！物理パズル50
P.G. Hewitt（ 範囲: 1720-）
講談社 2011年3月
講演・口頭発表等
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Ni(111)表面に形成した多層グラフェンの電子構造と原子構造
長島礼人
日本物理学会 秋季大会 2019年9月 日本物理学会
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Ni(111)表面に形成した多層グラフェンの電子構造と原子構造
長島礼人
日本物理学会 秋季大会 2019年9月 日本物理学会
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発光ダイオードの高効率性を理解させる実験教材の開発
長島礼人,大塚健太
2016年3月 応用物理学会
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デジタル機器を活用した運動量と力積に関わる実験教材の開発
長島礼人,松森靖夫,千野友博
2013年9月 日本物理学会
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グラフェン膜の低速電子透過回折強度
長島礼人
2011年9月 早大 先進理工学部 大島研究室
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Ag(001) 初期成長表面のRHEEDロッキング曲線： 400×1 スーパーセルモデルによるシミュレーション
長島礼人
2010年9月 日本物理学会
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アイランド端の効果を取り入れたスーパーセルモデルによるRHEEDロッキング曲線の計算
長島礼人
2010年9月 応用物理学会学
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Ag(001)表面上ホモエピタキシーのその場観察：ロッキング曲線の成長速度依存性
長島礼人
日本物理学会 第65回年次大会 2010年3月 日本物理学会
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RHEEDロッキング曲線連続計測による，Ag(001)表面上のホモエピタキシー過程のその場観察
長島礼人
日本物理学会 2009年秋季大会 2009年9月 日本物理学会
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RHEED ロッキング計測によるAg(001)ホモエピタキシー表面のその場観察
長島礼人
第70回応用物理学会学術講演会 2009年9月 応用物理学会
受賞
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井上研究奨励賞 (第12回)
1996年2月 井上科学振興財団
長島礼人
担当授業科目（学内）
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熱力学 重要な業績
2023年度 科目区分：専門教育（学部）
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理科の本質と目標・内容構成
2023年度
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物理学セミナリーI 重要な業績
2023年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学実験II(コンピュ－タ活用を含む。) 重要な業績
2023年度 科目区分：専門教育（学部）
担当教員２名（長島，山下）が毎回出動．
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物理学実験I(コンピュ－タ活用を含む。) 重要な業績
2023年度 科目区分：専門教育（学部）
担当教員２名（長島，山下）が毎回出動．
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初等理科実験
2023年度
受講生を5班に分け，物理，化学，生物，地学，理科教育学分野の実験を各３回ずつ受講する．物理分野では，2名の教員（長島，山下）が15回の授業に全出動．
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学部入門ゼミ
2023年度
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物理パズルで親しむ身近な自然現象 重要な業績
2016年度
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物理学特論演習I 重要な業績
2016年度 科目区分：修士（大学院）
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熱力学 重要な業績
2016年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理数学 重要な業績
2016年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学実験II(コンピュ－タ活用を含む。) 重要な業績
2016年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学セミナリーII 重要な業績
2016年度 科目区分：専門教育（学部）
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理科内容論
2016年度 科目区分：専門教育（学部）
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学部入門ゼミ
2016年度
「エネルギー」というテーマで1回分の講義を行った．
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物理学特論I 重要な業績
2016年度 科目区分：修士（大学院）
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初等理科実験
2016年度 科目区分：専門教育（学部）
初年度生全員を5班に分ける．各班は，物理学，化学，生物学，地学，理科教育学，以上5分野を各3回ずつローテーション的に受講してもらう形態を採っている．物理分野に関して言えば，2名の教員（ナガシマ，山下）は全15回全出動している．なので，「担当教員数」を1と記しておきました．
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物理学実験I(コンピュ－タ活用を含む。) 重要な業績
2016年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学セミナリーI 重要な業績
2016年度
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物理パズルで親しむ身近な自然現象 重要な業績
2015年度 科目区分：共通教育（学部）
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物理学特論演習Ⅰ 重要な業績
2015年度 科目区分：修士（大学院）
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物理学特論Ⅰ 重要な業績
2015年度 科目区分：修士（大学院）
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熱力学 重要な業績
2015年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学実験II (コンピュ－タ活用を含む) 重要な業績
2015年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学セミナリーII 重要な業績
2015年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
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理科内容論 重要な業績
2015年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理数学 重要な業績
2015年度 科目区分：専門教育（学部）
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学部入門ゼミ
2015年度 科目区分：専門教育（学部）
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初等理科実験 重要な業績
2015年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学実験Ⅰ(コンピュ－タ活用を含む。) 重要な業績
2015年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学セミナリーI 重要な業績
2015年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
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学部入門ゼミ
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
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初等理科実験
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
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基礎物理学実験 (コンピュ－タ活用を含む)
2014年度 科目区分：共通教育（学部）
-
物理学実験Ⅰ(コンピュ－タ活用を含む。)
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理学セミナリーI
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
数理情報セミナリーI
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
物理パズルで親しむ身近な自然現象
2014年度 科目区分：共通教育（学部）
-
自然科学の数理Ⅰ
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
-
自然科学の数理II
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理学特論演習Ⅰ
2014年度 科目区分：修士（大学院）
-
物理学特論Ⅰ
2014年度 科目区分：修士（大学院）
-
熱力学
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
-
応用物理学実験 (コンピュ－タ活用を含む)
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理学実験II (コンピュ－タ活用を含む)
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
-
数理情報セミナリーII
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
物理学セミナリーII
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
理科内容論
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理数学
2014年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理学特論演習Ⅰ
2013年度 科目区分：修士（大学院）
-
物理学特論Ⅰ
2013年度 科目区分：修士（大学院）
-
応用物理学実験 (コンピュ－タ活用を含む)
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理学実験II (コンピュ－タ活用を含む)
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
-
数理情報セミナリーII
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
物理学セミナリーII
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
理科内容論
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理数学
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
-
自然科学の数理II
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
-
学部入門ゼミ
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
-
初等理科実験
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
-
基礎物理学実験 (コンピュ－タ活用を含む)
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理学実験Ⅰ(コンピュ－タ活用を含む。)
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理学セミナリーI
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
数理情報セミナリーI
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
物理パズルで親しむ身近な自然現象
2013年度 科目区分：共通教育（学部）
-
自然科学の数理Ⅰ
2013年度 科目区分：専門教育（学部）
-
自然科学の数理Ⅰ
2012年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理学特論演習Ⅰ
2012年度 科目区分：修士（大学院）
-
物理学特論Ⅰ
2012年度 科目区分：修士（大学院）
-
数理情報セミナリーII
2012年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
物理学セミナリーII
2012年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
理科内容論
2012年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理数学
2012年度 科目区分：専門教育（学部）
-
自然科学の数理II
2012年度 科目区分：専門教育（学部）
-
総合演習
2012年度 科目区分：専門教育（学部）
-
学部入門ゼミ
2012年度 科目区分：専門教育（学部）
-
初等理科実験
2012年度 科目区分：専門教育（学部）
-
基礎物理学実験 (コンピュ－タ活用を含む)
2012年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理学実験Ⅰ(コンピュ－タ活用を含む。)
2012年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理学セミナリーI
2012年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
数理情報セミナリーI
2012年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
物理パズルで親しむ身近な自然現象
2012年度 科目区分：共通教育（学部）
-
物理学セミナリーⅠ
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
数理情報セミナリーⅡ
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
数理情報セミナリーⅠ
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
物理学セミナリーⅡ
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
-
応用物理学実験 (コンピュ－タ活用を含む)
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
-
基礎物理学実験 (コンピュ－タ活用を含む)
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理学実験II (コンピュ－タ活用を含む)
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
-
総合演習
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
-
自然科学の数理Ⅱ
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
-
学部入門ゼミ
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
-
物理学実験Ⅰ(コンピュ－タ活用を含む。)
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
-
理科内容論
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理パズルで親しむ身近な自然現象
2011年度 科目区分：共通教育（学部）
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物理学一般
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
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自然科学の数理Ⅰ
2011年度 科目区分：専門教育（学部）
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応用物理学実験(コンピュ－タ活用を含む。)
2010年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学実験II(コンピュ－タ活用を含む。)
2010年度 科目区分：専門教育（学部）
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自然科学の数理II
2010年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学セミナリーII
2010年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
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数理情報セミナリーII
2010年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
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総合演習
2010年度 科目区分：専門教育（学部）
理科教育専修所属の3年生を主な対象とする
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物理学一般
2010年度 科目区分：専門教育（学部）
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学部入門ゼミ
2010年度 科目区分：専門教育（学部）
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基礎物理学実験(コンピュ－タ活用を含む。)
2010年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学実験Ⅰ(コンピュ－タ活用を含む。)
2010年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学セミナリーI
2010年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
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数理情報セミナリーI
2010年度 科目区分：専門教育（学部）
山下研究室と合同．
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自然科学の数理Ⅰ
2010年度 科目区分：専門教育（学部）
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基礎科目I（物理）
2010年度 科目区分：共通教育（学部）
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自然科学の数理II
2009年度 科目区分：専門教育（学部）
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基礎科目I（物理）
2009年度 科目区分：共通教育（学部）
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物理学実験II(コンピュ－タ活用を含む。)
2009年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学セミナリーII
2009年度 科目区分：専門教育（学部）
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学部入門ゼミ
2009年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学一般
2009年度 科目区分：専門教育（学部）
川村教授から今年度，引き継ぐ．
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物理学実験Ⅰ(コンピュ－タ活用を含む。)
2009年度 科目区分：専門教育（学部）
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物理学セミナリーI
2009年度 科目区分：専門教育（学部）
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総合演習
2009年度 科目区分：専門教育（学部）
理科教育専修所属の3年生を主な対象とする
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自然科学の数理Ⅰ
2009年度 科目区分：専門教育（学部）
環境科学コースの初年度生20名中12名が教員の指導に従って，高校数学の補習目的で，本来は数理情報コースの専門科目である本科目を受講した．結果は12名全員が不合格であった．
教育実績
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第4回教育学域FD研修会
講師：幼小発達教育講座 高橋 英児 先生
題目：「初年次学校体験活動について」2024年01月31日
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第3回教育学域FD研修会
講師：幼小発達教育講座 鴨川 明子 先生
題目：「教員養成学部で学ぶSDGS」2023年11月15日
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第2回教育学域FD研修会
講師：附属教育実践総合センター 中込 司 先生
題目：附属４校園との連携による教員養成、教育実践研究協議会の取り組み2023年09月06日
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第1回教育学域FD研修会
講師：学生サポートセンター 正木 啓子先生
題目：合理的配慮の必要な学生への支援のあり方について－精神障がい学生への合理的配慮－2023年07月05日
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全学教育FD研修会 (第1回)
「大学教育とAI対話サービスの共存にむけて」2023年04月06日
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教育F D フォーラムに参加
2021年12月23日
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教育学部FD研修会 (第4回) に参加
2021年12月08日
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教育学部FD研修会 (第3回) に参加
2021年11月24日
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教育学部FD研修会 (第2回) に参加
2021年08月04日
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教育学部FD研修会 (第１回) に参加
2021年07月07日
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教育学部のFD活動を周知する冊子「FDインビテーション」の編集．
2021年06月23日 - 2022年02月24日
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第5回教育学部FD研修会に参加
2020年01月22日
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第6回山梨大学全学教育FD研修会に参加
2019年12月19日
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第3回教育学部FD研修会に参加
2019年06月12日
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第2回教育学部FD研修会に参加
2019年05月30日
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第1回教育学部FD研修会に参加
2019年05月15日
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第4回教育学部FD研修会に参加
2019年02月20日
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第3回教育学部FD研修会に参加
2018年11月21日
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第2回教育学部FD研修会に参加
2018年10月24日
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第１回教育学部FD研修会に参加
2018年06月27日
その他の教育実績
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教員採用２次試験対策講座 (集団討議) に1回参加．20240727
2023年度
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「ぶつりオープンじっけん室」の継続； 「理数系充実」や「コアサイエンスティーチャー」の予算で購入した小中高等学校の物理関連の実験教材をLB-145に集め，これを教員志望の本学の学生であれば誰でも実際に手にとって使用できるように毎週水曜日に「ぶつりオープンじっけん室」と称して開放している．学部ホームページでは，「ぶつりオープンじっけん室」を「特色ある取り組み」の一つに位置付けている． http://www.edu.yamanashi.ac.jp/modules/tokushoku/index.php?content_id=5
2021年度
-
教員採用２次試験対策講座 (ブラッシュアップ講座) に2回参加．
2021年度
-
「ぶつりオープンじっけん室」の継続； 「理数系充実」や「コアサイエンスティーチャー」の予算で購入した小中高等学校の物理関連の実験教材をLB-145に集め，これを教員志望の本学の学生であれば誰でも実際に手にとって使用できるように毎週水曜日に「ぶつりオープンじっけん室」と称して開放している．学部ホームページでは，「ぶつりオープンじっけん室」を「特色ある取り組み」の一つに位置付けている． http://www.edu.yamanashi.ac.jp/modules/tokushoku/index.php?content_id=5
2020年度
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「物理学実験Ⅰ，Ⅱ」に関連した，事前・その場・事後指導の道具として，ネットワーク環境を利用した支援システムを運用している．そのコンテンツの電子版テキストに9項目の中/小規模の改訂を加えた．サーバーの機材とOSを更新した．これに伴い，各種スクリプトに不具合が発生したので，開発言語 (PHP) のバージョンアップに対応したコマンド構文の書き換えを行った．
2020年度
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新型コロナウイルスの感染拡大防止対策として，初等理科実験における教室内の学生数を従来の半分に抑制した．具体的には，受講学生を半数ずつに分け，本来ならば２コマ連続の授業なのだが，１コマごとに総入替えする方式に改めた．これを実現するため，授業の中のレクチャーの部分を録画し，Office365 の「Stream」にアップロードした．このビデオを実験に先立ち必ず視聴するように指導した．
2020年度
-
「ぶつりオープンじっけん室」の継続； 「理数系充実」や「コアサイエンスティーチャー」の予算で購入した小中高等学校の物理関連の実験教材をLB-145に集め，これを教員志望の本学の学生であれば誰でも実際に手にとって使用できるように毎週水曜日に「ぶつりオープンじっけん室」と称して開放している．学部ホームページでは，「ぶつりオープンじっけん室」を「特色ある取り組み」の一つに位置付けている． http://www.edu.yamanashi.ac.jp/modules/tokushoku/index.php?content_id=5
2019年度
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「物理学実験Ⅰ，Ⅱ」に関連した，事前・その場・事後指導の道具として，情報ネットワーク環境を利用した支援システムを運用している．そのコンテンツの電子版テキストに11項目の中/小規模の改訂を加えた．
2019年度
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教員採用試験2次試験対策講座「ウォーミングアップ講座」を全9回，学部教員有志が協同で開催した．この講座に7回参加し，のべ77名を指導した．
2018年度
社会貢献活動
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担当科目「物理数学」の講義を日川高校体の生徒に公開
役割：講師
日川高校，山梨大学（連携事業） 山梨大学 Y-12教室 2019年12月
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担当科目「物理数学」の講義を日川高校体の生徒に公開
役割：講師
日川高校，山梨大学（連携事業） 山梨大学 Y-12教室 2019年12月
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高校生への公開授業
役割：講師
本学 教育学部 高校生への公開授業 山梨大学 Y-15教室 2019年8月
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高校生への公開授業
役割：講師
本学 教育学部 高校生への公開授業 山梨大学 Y-15教室 2019年8月
所属学協会
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日本物理教育学会
2013年3月 - 現在
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日本応用磁気学会
2006年3月 - 現在
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The American Physical Society
2006年3月 - 現在
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日本表面科学会
2001年4月 - 現在
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応用物理学会
1995年4月 - 現在
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日本物理学会
1991年6月 - 現在
委員歴
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巨摩高校 ＳＳＨ運営指導委員
2018年4月 - 2019年3月
団体区分：その他
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巨摩高校 ＳＳＨ運営指導委員
2018年4月 - 2019年3月
団体区分：その他
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巨摩高校 ＳＳＨ運営指導委員
2017年4月 - 2018年3月
団体区分：その他