Organization
Graduate Faculty of Interdisciplinary Research Faculty of Education Human Science (Science Education) Associate Professor
Title
Associate Professor
Contact information
Nagashima Ayato
Research History
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山梨大学 教育人間科学部 准教授
2007.4
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山梨大学 教育人間科学部 助教授
2004.4
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東京工業大学 大学院 理工学研究科 物性物理学専攻 助手
1995.10
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早稲田大学 理工学部 応用物理学科 助手
1995.4
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日本学術振興会 特別研究員(DC)
1993.4
Education
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Waseda University
- 1995.3
Country： Japan
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Waseda University
- 1990.3
Country： Japan
Degree
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博士（理学） ( 1995.3 早稲田大学 )
Research Areas
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Nanotechnology/Materials / Thin film/surface and interfacial physical properties / Surface Science
Research Interests
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photoelectron spectroscopy, scanning tunneling microscope, high energy electron diffraction, low energy electron diffraction, magnetic nano-structure
Subject of research
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Exploration of curious electronic properties at solid surfaces.
Analysis on static and dynamic surface structures by means of electron diffraction.
Fabrication of magnetic nano-structures and control of their mictoscopic magnetization.
Research Projects
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超高密度磁気記録を室温・大気環境で実現するための新規な記録方式の開発
Grant number：17760022 2005 - 2006
日本学術振興会 科学研究費助成事業 若手研究(B)
長島 礼人
磁性金属薄膜の表面に反強磁性の薄い酸化膜を形成,更にこの酸化膜にピンホール(記録セル)を高面密度に導入する.走査トンネル顕微鐘の探針を用いて記録セルとの間にポィントコンタクトを形成し,このコンタクト領域に高密度の電流をパルス的に注入することで,所望のセルのみ磁化方向を反転させること,即ち記録の書込みを達成する.概略以上のような新規な方式の開発を本研究は目的としている.これに向けて本年度は,以下の事を行った.
(I)試料作製のための環境・設備あ整備:Ni及びFeめ薄膜作製のための電子ビーム衝撃加熱型セル本体とコントロール電源の自作,および蒸着レートめ決定.試料の作製と測定を行う真空槽内部の真空度を,超高真空に到達させるためのべーキングシステムの用意,試料及び探針を真空槽内に,その真空は破ることなく,導入するためのロードロックシステムの構築.
(II)磁気輸送特性計測のための設備の整備:ポイントコンタクトへのパルス電流注入用ファンクシヨンジェネレータ,電磁石駆動用電源,数台の計測用マルチメータ,以上の機器をコンピュータで連携制御するためのプログラムを自作,通常の用途で走査トンネル顕微鏡を使用する場合には,探針を試料表面に適正に接近させるための指標としてトンネル電流を用いる.ポイントコンタクトの輸送特性測定においては,大きな抵抗を直列に介在させ,試料バイアス電源を定電流モードで使用せざるを得ない.つまり,コンタクトに流れる電流値を探針接近の際の指標として用いることが出来ない.解決のため,ポイントコンタクトのコンダクタンスに指数関数的に依存した電圧を発生させるアンプを自作し,これをコンタクト形成の際の指標としてフィードバック回路に入力する方式を開発した.
(III)試料作製・輸送特性評価の予備実験:自然酸化膜付のSi基板上へ,Cu, Au, Niを各々数十nmの厚みで堆積させた試料を作製,安定したポイントコンタクト形成のために解決すべき課題の洗い出しを行う.周期性のないSiの自然酸化膜上に堆積した上記薄膜試料が,法線方向については<111>配行していることを確認した.NiOが(111)分子層毎に磁化方向を反転させていることと考え合わせれば,上記の結果は,磁化のピン止め層としてNiOを機能せしめようとする本研究の意図にとって望ましい結果である. -
Extremely high-density doping of magnetic impurity in magnetic semiconductors and surface nano-structure preparation by controlling fundamental surface process during MBE growth
Grant number：14076211 2002 - 2005
Japan Society for the Promotion of Science Tokyo Institute of technology Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
YOSHINO Junji, FUJIO Minami, OGAWA Yoshihiro, NAGASHIMA Ayato
We have explored preparation process and materials properties of nanostructures consisted of semiconductors and magnetic materials in order to develop novel spin-electronics materials and devices. Major results obtained are as follows.
(1)We have investigated reentrant behavior of RHEED intensity oscillation during low temperature MBE growth of GaAs on GaAs (001) c (4×4) surface,s and found that the origin is due to anomalous surface roughening, which takes place at very early stage of the growth at a substiate temperature of 400℃.
(2)We have explored GaAs (001) c (4×4) α and c (4×4) β reconstructions by using scanning tunneling microscopy and I FED-IV technique, and determined their detailed atomic arrangement, and observed mutual reversible phase transition under As _4 flux.
(3)We have investigated initial growth process of MnAs on GaAs (001) c (4×4) a, and found that phase transition from c (4×4) α to c (4×4) β took place very early stage of MnAs growth, which lead to apparent anomalous surface coverage.
(4)We have investigated ballistic electron motion in Fe-layers grown on GaAs (001) by using ballistic electron emission spectroscopy (BEES), and found that penetration depth of ballistic electrons having energy ranging from 1.1 to 1.6 eV is decreasing with their energy and to be 2.7-1.5 nm.
(5) We have observed magnetization orie ntation reversal induced by current injection at lowest threshold current density as low as 3x10^4A/cm^2 in GaMnAs/GaAs/GaMnAs double barrier magnetic tunneling junctions, so far. -
磁性ナノ構造の形成と新機能創出
Grant number：14750021 2002 - 2003
日本学術振興会 科学研究費助成事業 若手研究(B)
長島 礼人
本研究では、自己組織的手法によって磁性ナノドットを数十nmの間隔で高密度に形成する適切な材料および作製条件を探索すると共に、10nm程度のドットの磁化を、隣接ドットの磁化は乱すことなく、検出・制御する手法の確立を目指している。具体的には、走査トンネル顕微鏡(STM)を利用し、スピン偏極電子を探針から磁性ドットへトンネル注入することでドットの磁化制御を試みる。スピン偏極電子をトンネル注入するには、STM探針が磁性材料から構成される必要がある。その一方で、探針から生ずる巨視的磁場がドットの磁化方向を乱すことは避けなければならない。以上2つの要請を両立するため、非磁性のタングステン探針に磁性物質を数-十数原子層だけ蒸着した探針を用いる方式を採ることとした。昨年度は、探針先端を2300K以上に加熱できる加熱機構を作製/導入した。更に、蒸着材料としてFe、Co、及びCrを備えた蒸着装置を作製し、蒸着中の真空度の劣化を5×10-10 Torr以下に抑制できることを確認した。以上を踏まえて平成15年度は次のことを行った。(1)磁化探針の性能評価の標準試料として、Cr(001)の薄膜をMgO基板上に作製した。清浄なCr(001)表面は単原子層ステップを跨ぐごとにテラスの磁化方向が反転する層状反強磁性表面であることが知られている。作製した薄膜に清浄Cr(001)表面に特徴的な表面準位が観察されることを確認した。ただし現状では、蒸着中に取り込まれる微量の不純物炭素のため、所望の1x1ではない複雑な長周期構造を表面の一部が呈している。尚一層の清浄化を図るため、蒸着装置の脱ガスを徹底するとともにイオン衝撃加熱設備の導入を予定している。(2)GaA(001)を磁性微細構造作製の基板として利用するには、通常よりも低い成長温度に設定する必要がある。こうした特殊な成長条件化における表面のラフニングが成長開始前の表面構造に強く依存していることを明らかにした。(3)スピン偏極率が100%であると理論計算から予言されている閃亜鉛鉱型MnAsをGaAs(001)基板上に作製することを目指して、初期成長過程の観察を行い、その構造モデルを提示した。
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Study on magneto-transport properties of semiconductor/magnetic-material heterostructures by ballistic electron emission microscopy
Grant number：13450009 2001 - 2003
Japan Society for the Promotion of Science Tokyo Institute of Technology Grants-in-Aid for Scientific Research Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
YOSHINO Junji, NAGASHIMA Ayato
The aim of this study is to explore the spin-dependent electron tunneling in semiconductor/magnetic-material nano-structures by using ballistic electron emission microscopy and spectroscopy (BEEM/BEES). The major results obtained are as follows.
1.We have developed low temperature BEEM/BEES measurement systems, which make it possible that the whole the measurement procedures from sample preparation to LT-MEEM/BEES measurements under ultrahigh vacuum.
2.On preparation of novel surface semiconductor/magnetic materials nano-structures
(1)We have investigated Fe deposition on GaAs(001) surface with various surface reconstructions, and find that 4x6 reconstructed surfaces give most reliable Shottky contact.
(2)In order to clarify the properties of MnAs and CrAs crystallized in zincblende structures, which is expected to have half-metallic band structures based on first principle calculation, surface structure model of GaAs(001) covered with sub-monolayer MnAs was presented based on STM observations and LEED IV analysis.
(3)In order to prepare iron silicide related semiconductor/magnetic materials surface nanostructures, Fe deposition on Si surface was investigated. It was found that Ag-terminated Si(111)√<3>x√<3>-Ag surface allow us to prepare Fe_3Si nano-dot having 10-20 nm in diameter.
3.BEES observations of GaAs(001)/Fe Schottky contacts with different Fe layer thickness reveal that electron attenuation length in Fe layers is to be ranging from 1.52 to 2.74 nm depending on electron energy, which is fairly longer than previous reports.
4.Careful examination of GaAs(001)c(4x4) surfaces by RHEED rocking curve and LEED IV analysis reveals that GaAs(00l)c(4x4) is not single structure, and have at least two similar but different structures. Furthermore it was demonstrated that phase transition between them can be taken place even at substrate temperatures as low as 300℃ and that confusing behaviors of low temperature MBE growth on GaAs(001)c(4x4) surfaces seems to be well accounted base on its multi-structure nature of c(4x4) surfaces.
Papers
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Growth and atomic structure of twisted bilayer graphene formed on Ni(111) by segregation Reviewed Major achievement
A. Nagashima, M. Ozeki, Y. Kamiyama, G. Odahara
Surface Science 736 ( 1 ) 122351-1 - 122351-6 2023.7( ISSN：0039-6028 )
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発光ダイオードの高効率性を理解させる実験教材及び学習プログラムの開発 Reviewed Major achievement
長島 礼人，大塚 健太
物理教育 66 ( 1 ) 19 - 23 2018.3
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Detection of sliding friction effect during two-dimensional collision and reproduction by model calculations Reviewed Major achievement
62 ( 2 ) 75 - 78 2014.6
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Construction and Improvement of a Variable-Temperature Manipulator Suitable for UHV Condition II
15 285 - 291 2014.3
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Construction and Improvement of a Variable-Temperature Manipulator Suitable for UHV Condition
14 32 - 42 2013.3
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Analyzing Physics Concepts which Preservice Elementary and Lower Secondary School Teachers Apply to Solve the Problem on Water Rescue
14 19 - 25 2013.3
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物理分野の評価問題に関する一考察 - The Physics Teacher誌のコラム “Figuring Physics” を事例にして -
松森靖夫,長島礼人,佐久間理志
山梨大学教育人間科学部紀要 12 35 - 49 2011.3
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Surface structure of GaAs(001)-c(4x4) studied by LEED intensity analysis Reviewed Major achievement
A. Nagashima,A. Nishimura,T. Kawakami,J. Yoshino
Surface Science 564 ( 1 ) 218 - 224 2004.8
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Anomalous roughening of GaAs(001) during low temperature growth
A. Nagashima,T. Kawakami,A. Nishimura,J. Yoshino
Extended abstracts of The 22nd Electronic Materials Symposium 153 - 156 2003.7
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Study on initial growth process of MnAs on GaAs(001)-c4x4 by LEED IV and STM
A. Nagashima,A. Nishimura,J. Yoshino
Extended abstracts of The 9th Symposium on the Physics and Application of Spin-Related Phenomena in Semiconductors 121 - 122 2003.6
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TMC(100) surface relaxation studied with low-energy-electron-diffraction intensity analysis Reviewed
M. Tagawa,T. Kawasaki,C. Oshima,S. Otani,K. Edamoto,A. Nagashima
Surface Science 517 ( 1 ) 59 - 64 2002.10
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Study on mechanism of re-entrant RHEED oscillation observed during LT-MBE growth of GaAs Reviewed
A. Nagashima,M. Tazima,J. Yoshino
Proceedings of the 28th International Symposium on Compound Semiconductors 653 - 658 2002.9
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Formation of iron silicide nanodots on Si(111)-√3x√3Ag Reviewed Major achievement
Y. Takagi,A. Nishimura,A. Nagashima,J. Yoshino
Surface Science 514 ( 1 ) 167 - 171 2002.8
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STM and RHEED studies on low-temperature growth of GaAs(001) Reviewed Major achievement
A. Nagashima,M. Tazima,A. Nishimura,Y. Takagi,J. Yoshino
Surface Science 514 ( 1 ) 350 - 355 2002.8
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Structural analysis of GaAs(001)-c(4×4) with LEED IV technique Reviewed
A. Nagashima,M. Tazima,A. Nishimura,Y. Takagi,J. Yoshino
Surface Science 493 ( 1 ) 227 - 231 2001.11
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Carrier concentration dependence of electronic and magnetic properties of Sn-doped GaMnAs Reviewed
Y. Satoh,D. Okazawa,A. Nagashima,J. Yoshino
Physica E 10 ( 1 ) 196 - 200 2001.5
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Effect of Mn on the low temperature growth of GaAs and GaMnAs Reviewed
M. Tazima,K. Yamamoto,D. Okazawa,A. Nagashima,J. Yoshino
Phisica E 10 ( 1 ) 186 - 191 2001.5
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MBE growth and properties of 3d transition metal-doped GaAs Reviewed
D. Okazawa,K. Yamamoto,A. Nagashima,J. Yoshino
Physica E 10 ( 1 ) 229 - 232 2001.5
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TiC(100) surface relaxation studied with low-energy electron diffraction intensity analysis Reviewed
M. Tagawa,M. Okuzawa,T. Kawasaki,C. Oshima,S. Otani,A. Nagashima
Physical Review B 63 ( 7 ) 34071 - 34073 2001.2
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Comparative studies on the surface structures of NiSi2 and CoSi2 epitaxially formed on Si(111) Reviewed
A. Nagashima,T. Kimura,A. Nishimura,J. Yoshino
Surface Science 441 ( 1 ) 158 - 166 1999.10
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Initial nitridation of the CoSi2(111)/Si(111) surface Reviewed
A. Nagashima,T. Kimura,A. Nishimura,J. Yoshino
Surface Science 433-435 529 - 533 1999.8
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Formation of an ordered surface compound consisting of Ag Reviewed
A. Nagashima,T. Kimura,J. Yoshino
Applied Surface Science 130-132 248 - 253 1998.6
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Phono dispersio of an epitaxial monolayer film of hexagonal boron nitride on Ni(111) Reviewed
E. Rokuta,Y. Hasegawa,K. Suzuki,Y. Gamou,C. Oshima,A. Nagashima
Physical Review Letters 79 ( 23 ) 4609 - 4612 1997.12
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単原子層六方晶系窒化ホウ素のフォノン
大島忠平,六田英冶,長島礼人
日本物理学会誌 52 ( 8 ) 610 - 613 1997.8
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Atomic structure of monolayer graphite formed on Ni(111) Reviewed
Y. Gamou,A. Nagashima,M. Wakabayashi,M. Terai,C. Oshima
Surface Science 374 ( 1 ) 61 - 64 1997.3
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Atomic structural analysis of a monolayer epitaxial film of hexagonal boron nitride/Ni(111) studied by LEED intensity analysis
Y. Gamou,M. Terai,A. Nagashima,C. Oshima
Tohoku Univ. Science Reports of the Research Institutes Tohoku University Series A-Physics Chemistry & Metallurgy 44 ( 2 ) 211 - 214 1997.3
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Ultra-thin epitaxial films of graphite and hexagonal boron nitride on solid surfaces Reviewed Major achievement
C. Oshima,A. Nagashima
Journal of Physics-Condensed Matter 9 ( 1 ) 1 - 20 1997.1
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Electronic states of the heteroepitaxial double-layer system: Graphite/monolayer hexagonal boron nitride/Ni(111) Reviewed
A. Nagashima,Y. Gamou,M. Terai,M. Wakabayashi,C. Oshima
Physical Review B 54 ( 19 ) 13491 - 13494 1996.11
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Electron spectroscopic studies of monolayer hexagonal boron nitride physisorbed on metal surfaces Reviewed
A. Nagashima,N. Tejima,Y. Gamou,T. Kawai,M. Terai,M. Wakabayashi,C. Oshima
International Journal of Modern Physics B 10 ( 26 ) 3517 - 3537 1996.11
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Electronic states of monolayer hexagonal boron nitride formed on the metal surfaces Reviewed
A. Nagashima,N. Tejima,Y. Gamou,T. Kawai,C. Oshima
Surface Science 357-358 307 - 311 1996.6
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Electronic structure of monolayer hexagonal boron nitride physisorbed on metal surfaces Reviewed Major achievement
A. Nagashima,N. Tejima,Y. Gamou,T. Kawai,C. Oshima
Physical Review Letters 75 ( 21 ) 3918 - 3921 1995.11
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六方晶系窒化ホウ素の単原子層エピタキシャル膜
長島礼人,大島忠平
固体物理 30 ( 8 ) 739 - 745 1995.8
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Electronic dispersion relations of monolayer hexagonal boron nitride formed on the Ni(111) surface Reviewed
A. Nagashima,N. Tejima,Y. Gamou,T. Kawai,C. Oshima
Physical Review B 51 ( 7 ) 4606 - 4613 1995.2
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Electronic states of the pristine and alkali-metal-intercalated monolayer graphite/Ni(111) systems Reviewed
A. Nagashima,N. Tejima,C. Oshima
Physical Review B 50 ( 23 ) 17487 - 17495 1994.12
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Change in electronic states of graphite overlayer depending on the thickness Reviewed
A. Nagashima,H. Itoh,T. Ichinokawa,S. Otani,C. Oshima
Physical Review B 50 ( 7 ) 4756 - 4763 1994.8
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Electronic states of monolayer graphite formed on TiC(111) surface Reviewed
A. Nagashima,K. Nuka,H. Itoh,T. Ichinokawa,S. Otani,C. Oshima
Surface Science 291 ( 1 ) 93 - 98 1993.7
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Electronic structure of monolayer graphite on some transition metal carbide surfaces Reviewed
A. Nagashima,K. Nuka,K. Satoh,H. Itoh,T. Ichinokawa,S. Otani,C. Oshima
Surface Science 287-288 609 - 613 1993.5
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TaC(100)面上の単原子層グラファイトからの光電子放出強度 Reviewed
奴賀謙治,長島礼人,大島忠平
表面科学 14 ( 3 ) 175 - 176 1993.3
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電荷移動によらない低次元炭素系の物性
長島礼人,大島忠平
表面科学 14 ( 8 ) 486 - 492 1993.3
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Two-dimensional plasmons in monolayer graphite Reviewed
A. Nagashima,K. Nuka,H. Itoh,T. Ichinokawa,S. Otani,Y. Ishizawa,C. Oshima
Solid State Communications 83 ( 8 ) 581 - 585 1992.8
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角度分解型光電子分光法によるTiC(111)面上の単原子層グラファイトの研究 Reviewed
長島礼人,奴賀謙治,井藤浩志,市ノ川竹男,大谷茂樹,石沢芳夫,笠村秀明,工藤正博,大島忠平
表面科学 13 ( 3 ) 163 - 168 1992.3
Books and Other Publications
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傑作！物理パズル50
P.G. Hewitt（1720-）
講談社 2011.3
Presentations
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Ni(111)表面に形成した多層グラフェンの電子構造と原子構造
長島礼人
日本物理学会 秋季大会 2019.9 日本物理学会
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Ni(111)表面に形成した多層グラフェンの電子構造と原子構造
長島礼人
日本物理学会 秋季大会 2019.9 日本物理学会
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発光ダイオードの高効率性を理解させる実験教材の開発
長島礼人,大塚健太
2016.3 応用物理学会
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デジタル機器を活用した運動量と力積に関わる実験教材の開発
長島礼人,松森靖夫,千野友博
2013.9 日本物理学会
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グラフェン膜の低速電子透過回折強度
長島礼人
2011.9 早大 先進理工学部 大島研究室
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Ag(001) 初期成長表面のRHEEDロッキング曲線： 400×1 スーパーセルモデルによるシミュレーション
長島礼人
2010.9 日本物理学会
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アイランド端の効果を取り入れたスーパーセルモデルによるRHEEDロッキング曲線の計算
長島礼人
2010.9 応用物理学会学
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Ag(001)表面上ホモエピタキシーのその場観察：ロッキング曲線の成長速度依存性
長島礼人
日本物理学会 第65回年次大会 2010.3 日本物理学会
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RHEEDロッキング曲線連続計測による，Ag(001)表面上のホモエピタキシー過程のその場観察
長島礼人
日本物理学会 2009年秋季大会 2009.9 日本物理学会
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RHEED ロッキング計測によるAg(001)ホモエピタキシー表面のその場観察
長島礼人
第70回応用物理学会学術講演会 2009.9 応用物理学会
Awards
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井上研究奨励賞 (第12回)
1996.2 井上科学振興財団
長島礼人
Teaching Experience (On-campus)
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Thermodynamics Major achievement
2023Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Essence and Ggoals / Content Structure of Science
2023Year
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Physics Seminar I Major achievement
2023Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Experiments of Physics II Major achievement
2023Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
担当教員２名（長島，山下）が毎回出動．
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Experiments of Physics I Major achievement
2023Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
担当教員２名（長島，山下）が毎回出動．
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Experiments for Elementary School Teachers
2023Year
受講生を5班に分け，物理，化学，生物，地学，理科教育学分野の実験を各３回ずつ受講する．物理分野では，2名の教員（長島，山下）が15回の授業に全出動．
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Relay Seminars for Introduction to Each Discipline of the Faculty
2023Year
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Figuring Physics: GettingCloser to Natural Science Major achievement
2016Year
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Seminar in Advanced Physics I Major achievement
2016Year Type of subject：Master's (Graduate School)
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Thermodynamics Major achievement
2016Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Physical Mathematics Major achievement
2016Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Experiments of Physics II Major achievement
2016Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Physics Seminar II Major achievement
2016Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Understanding of Matters andPhenomena in Nature
2016Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Relay Seminars forIntroduction to EachDiscipline of the Faculty
2016Year
「エネルギー」というテーマで1回分の講義を行った．
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Advanced Physics I Major achievement
2016Year Type of subject：Master's (Graduate School)
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Experiments for ElementarySchool Teachers
2016Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
初年度生全員を5班に分ける．各班は，物理学，化学，生物学，地学，理科教育学，以上5分野を各3回ずつローテーション的に受講してもらう形態を採っている．物理分野に関して言えば，2名の教員（ナガシマ，山下）は全15回全出動している．なので，「担当教員数」を1と記しておきました．
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Experiments of Physics I Major achievement
2016Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Physics Seminar I Major achievement
2016Year
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Figuring Physics Major achievement
2015Year Type of subject：Common education (undergraduate)
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物理学特論演習Ⅰ Major achievement
2015Year Type of subject：Master's (Graduate School)
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物理学特論Ⅰ Major achievement
2015Year Type of subject：Master's (Graduate School)
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thermodynamics Major achievement
2015Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Physical Experiments II Major achievement
2015Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学セミナリーII Major achievement
2015Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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理科内容論 Major achievement
2015Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Physical Mathematics Major achievement
2015Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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学部入門ゼミ
2015Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Experiments for Elementary Teacher Major achievement
2015Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Physical Experiments I Major achievement
2015Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学セミナリーI Major achievement
2015Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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Mathematics for Natural Science I
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学特論演習Ⅰ
2014Year Type of subject：Master's (Graduate School)
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物理学特論Ⅰ
2014Year Type of subject：Master's (Graduate School)
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thermodynamics
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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応用物理学実験 (コンピュ－タ活用を含む)
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Physical Experiments II
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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数理情報セミナリーII
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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物理学セミナリーII
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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理科内容論
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Physical Mathematics
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Mathematics for Natural Science II
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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学部入門ゼミ
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Experiments for Elementary Teacher
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Basic Experiments on Physics
2014Year Type of subject：Common education (undergraduate)
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Physical Experiments I
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学セミナリーI
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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数理情報セミナリーI
2014Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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Figuring Physics
2014Year Type of subject：Common education (undergraduate)
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Mathematics for Natural Science
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学特論演習Ⅰ
2013Year Type of subject：Master's (Graduate School)
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物理学特論Ⅰ
2013Year Type of subject：Master's (Graduate School)
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応用物理学実験 (コンピュ－タ活用を含む)
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学実験II (コンピュ－タ活用を含む)
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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数理情報セミナリーII
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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物理学セミナリーII
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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理科内容論
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Physical Mathematics
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Mathematics for Natural Science II
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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学部入門ゼミ
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Experiments for Elementary Teacher
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Basic Experiments on Physics
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Physical Experiments I
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学セミナリーI
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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数理情報セミナリーI
2013Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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Figuring Physics
2013Year Type of subject：Common education (undergraduate)
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Mathematics for Natural Science
2012Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Physical Mathematics
2012Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
-
Mathematics for Natural Science II
2012Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
-
総合演習
2012Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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学部入門ゼミ
2012Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
-
Experiments for Elementary Teacher
2012Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
-
Basic Experiments on Physics
2012Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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Physical Experiments I
2012Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学セミナリーI
2012Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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数理情報セミナリーI
2012Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
-
Figuring Physics
2012Year Type of subject：Common education (undergraduate)
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理科内容論
2012Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学特論演習Ⅰ
2012Year Type of subject：Master's (Graduate School)
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物理学特論Ⅰ
2012Year Type of subject：Master's (Graduate School)
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数理情報セミナリーII
2012Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
-
物理学セミナリーII
2012Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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物理学セミナリーⅠ
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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数理情報セミナリーⅡ
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
-
数理情報セミナリーⅠ
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
-
物理学セミナリーⅡ
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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応用物理学実験 (コンピュ－タ活用を含む)
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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基礎物理学実験 (コンピュ－タ活用を含む)
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学実験II (コンピュ－タ活用を含む)
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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総合演習
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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自然科学の数理Ⅱ
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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学部入門ゼミ
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学実験Ⅰ(コンピュ－タ活用を含む。)
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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理科内容論
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理パズルで親しむ身近な自然現象
2011Year Type of subject：Common education (undergraduate)
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物理学一般
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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自然科学の数理Ⅰ
2011Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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応用物理学実験(コンピュ－タ活用を含む。)
2010Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学実験II(コンピュ－タ活用を含む。)
2010Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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自然科学の数理II
2010Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学セミナリーII
2010Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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数理情報セミナリーII
2010Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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総合演習
2010Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
理科教育専修所属の3年生を主な対象とする
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物理学一般
2010Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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学部入門ゼミ
2010Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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基礎物理学実験(コンピュ－タ活用を含む。)
2010Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学実験Ⅰ(コンピュ－タ活用を含む。)
2010Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学セミナリーI
2010Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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数理情報セミナリーI
2010Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
山下研究室と合同．
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自然科学の数理Ⅰ
2010Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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基礎科目I（物理）
2010Year Type of subject：Common education (undergraduate)
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自然科学の数理II
2009Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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基礎科目I（物理）
2009Year Type of subject：Common education (undergraduate)
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物理学実験II(コンピュ－タ活用を含む。)
2009Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学セミナリーII
2009Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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学部入門ゼミ
2009Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学一般
2009Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
川村教授から今年度，引き継ぐ．
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物理学実験Ⅰ(コンピュ－タ活用を含む。)
2009Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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物理学セミナリーI
2009Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
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総合演習
2009Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
理科教育専修所属の3年生を主な対象とする
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自然科学の数理Ⅰ
2009Year Type of subject：Professional education (undergraduate)
環境科学コースの初年度生20名中12名が教員の指導に従って，高校数学の補習目的で，本来は数理情報コースの専門科目である本科目を受講した．結果は12名全員が不合格であった．
Teaching achievements
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第4回教育学域FD研修会
講師：幼小発達教育講座 高橋 英児 先生
題目：「初年次学校体験活動について」2024.01.31
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第3回教育学域FD研修会
講師：幼小発達教育講座 鴨川 明子 先生
題目：「教員養成学部で学ぶSDGS」2023.11.15
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第2回教育学域FD研修会
講師：附属教育実践総合センター 中込 司 先生
題目：附属４校園との連携による教員養成、教育実践研究協議会の取り組み2023.09.06
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第1回教育学域FD研修会
講師：学生サポートセンター 正木 啓子先生
題目：合理的配慮の必要な学生への支援のあり方について－精神障がい学生への合理的配慮－2023.07.05
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全学教育FD研修会 (第1回)
「大学教育とAI対話サービスの共存にむけて」2023.04.06
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教育F D フォーラムに参加
2021.12.23
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教育学部FD研修会 (第4回) に参加
2021.12.08
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教育学部FD研修会 (第3回) に参加
2021.11.24
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教育学部FD研修会 (第2回) に参加
2021.08.04
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教育学部FD研修会 (第１回) に参加
2021.07.07
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教育学部のFD活動を周知する冊子「FDインビテーション」の編集．
2021.06.23 - 2022.02.24
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第5回教育学部FD研修会に参加
2020.01.22
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第6回山梨大学全学教育FD研修会に参加
2019.12.19
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第3回教育学部FD研修会に参加
2019.06.12
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第2回教育学部FD研修会に参加
2019.05.30
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第1回教育学部FD研修会に参加
2019.05.15
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第4回教育学部FD研修会に参加
2019.02.20
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第3回教育学部FD研修会に参加
2018.11.21
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第2回教育学部FD研修会に参加
2018.10.24
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第１回教育学部FD研修会に参加
2018.06.27
Other educational achievements
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教員採用２次試験対策講座 (集団討議) に1回参加．20240727
2023
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「ぶつりオープンじっけん室」の継続； 「理数系充実」や「コアサイエンスティーチャー」の予算で購入した小中高等学校の物理関連の実験教材をLB-145に集め，これを教員志望の本学の学生であれば誰でも実際に手にとって使用できるように毎週水曜日に「ぶつりオープンじっけん室」と称して開放している．学部ホームページでは，「ぶつりオープンじっけん室」を「特色ある取り組み」の一つに位置付けている． http://www.edu.yamanashi.ac.jp/modules/tokushoku/index.php?content_id=5
2021
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教員採用２次試験対策講座 (ブラッシュアップ講座) に2回参加．
2021
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「ぶつりオープンじっけん室」の継続； 「理数系充実」や「コアサイエンスティーチャー」の予算で購入した小中高等学校の物理関連の実験教材をLB-145に集め，これを教員志望の本学の学生であれば誰でも実際に手にとって使用できるように毎週水曜日に「ぶつりオープンじっけん室」と称して開放している．学部ホームページでは，「ぶつりオープンじっけん室」を「特色ある取り組み」の一つに位置付けている． http://www.edu.yamanashi.ac.jp/modules/tokushoku/index.php?content_id=5
2020
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「物理学実験Ⅰ，Ⅱ」に関連した，事前・その場・事後指導の道具として，ネットワーク環境を利用した支援システムを運用している．そのコンテンツの電子版テキストに9項目の中/小規模の改訂を加えた．サーバーの機材とOSを更新した．これに伴い，各種スクリプトに不具合が発生したので，開発言語 (PHP) のバージョンアップに対応したコマンド構文の書き換えを行った．
2020
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新型コロナウイルスの感染拡大防止対策として，初等理科実験における教室内の学生数を従来の半分に抑制した．具体的には，受講学生を半数ずつに分け，本来ならば２コマ連続の授業なのだが，１コマごとに総入替えする方式に改めた．これを実現するため，授業の中のレクチャーの部分を録画し，Office365 の「Stream」にアップロードした．このビデオを実験に先立ち必ず視聴するように指導した．
2020
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「ぶつりオープンじっけん室」の継続； 「理数系充実」や「コアサイエンスティーチャー」の予算で購入した小中高等学校の物理関連の実験教材をLB-145に集め，これを教員志望の本学の学生であれば誰でも実際に手にとって使用できるように毎週水曜日に「ぶつりオープンじっけん室」と称して開放している．学部ホームページでは，「ぶつりオープンじっけん室」を「特色ある取り組み」の一つに位置付けている． http://www.edu.yamanashi.ac.jp/modules/tokushoku/index.php?content_id=5
2019
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「物理学実験Ⅰ，Ⅱ」に関連した，事前・その場・事後指導の道具として，情報ネットワーク環境を利用した支援システムを運用している．そのコンテンツの電子版テキストに11項目の中/小規模の改訂を加えた．
2019
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教員採用試験2次試験対策講座「ウォーミングアップ講座」を全9回，学部教員有志が協同で開催した．この講座に7回参加し，のべ77名を指導した．
2018
Social Activities
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担当科目「物理数学」の講義を日川高校体の生徒に公開
Role(s)： Lecturer
日川高校，山梨大学（連携事業） 山梨大学 Y-12教室 2019.12
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担当科目「物理数学」の講義を日川高校体の生徒に公開
Role(s)： Lecturer
日川高校，山梨大学（連携事業） 山梨大学 Y-12教室 2019.12
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高校生への公開授業
Role(s)： Lecturer
本学 教育学部 高校生への公開授業 山梨大学 Y-15教室 2019.8
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高校生への公開授業
Role(s)： Lecturer
本学 教育学部 高校生への公開授業 山梨大学 Y-15教室 2019.8
Professional Memberships
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The Physics Education Society of Japan
2013.3
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The Magnetics Society of Japan
2006.3
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The American Physical Society
2006.3
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The Surface Science Society of Japan
2001.4
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The Japan Society of Applied Physics
1995.4
-
The Physical Society of Japan
1991.6
Committee Memberships
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巨摩高校 ＳＳＨ運営指導委員
2018.4 - 2019.3
Committee type：Others
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巨摩高校 ＳＳＨ運営指導委員
2018.4 - 2019.3
Committee type：Others
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巨摩高校 ＳＳＨ運営指導委員
2017.4 - 2018.3
Committee type：Others