2024/05/01 更新

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ハラ コウスケ
原 康祐
Hara Kosuke
所属
大学院 総合研究部 工学域 物質科学系(クリスタル科学研究センター) 准教授
職名
准教授
連絡先
メールアドレス

経歴

  • 山梨大学   大学院総合研究部工学域、山梨大学   准教授

    2022年4月 - 現在

  • 山梨大学   大学院総合研究部工学域、山梨大学   助教

    2019年11月 - 2022年3月

  • 山梨大学大学院総合研究部工学域 特任助教

    2014年11月 - 2019年10月

  • 名古屋大学大学院工学研究科 特任助教

    2013年4月 - 現在

  • 東北大学金属材料研究所 産学官連携研究員

    2011年4月 - 現在

学歴

  • 京都大学   エネルギー科学研究科

    - 2011年3月

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    国名: 日本国

    課程: 博士後期

  • 京都大学   エネルギー科学研究科

    - 2008年3月

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    国名: 日本国

    課程: 修士

  • 京都大学   工学部   物理工学科

    - 2006年3月

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    国名: 日本国

    課程: その他

学位

  • 京都大学博士(エネルギー科学) ( 2011年3月 )

研究分野

  • ナノテク・材料 / 材料加工、組織制御

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学

  • ナノテク・材料 / 応用物性

研究キーワード

  • 材料スクリーニング

  • 薄膜

  • 太陽電池

  • シリサイド半導体

研究テーマ

  • 半導体新材料の成膜技術開発、太陽電池応用に関する研究

共同研究・競争的資金等の研究

  • 近接蒸着法を用いた層状物質シリカンの成膜と電気特性の解明

    2024年4月 - 2025年3月

    プロテリアル材料科学財団  材料科学研究助成

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    担当区分:研究代表者  資金種別:競争的資金  資金の種類:奨学寄附金

  • 電子・正孔輸送層の導入によるBaSi2太陽電池の効率改善

    2022年10月 - 2023年9月

    研究助成 

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:奨学寄附金

  • 電子・正孔輸送層を用いた高効率BaSi2太陽電池の開発

    2022年4月 - 2023年3月

    岩谷科学技術研究助成 

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:奨学寄附金

  • 水素製造のための高効率BaSi2太陽電池の開発

    2021年6月 - 2022年3月

    地域振興研究プロジェクト 

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:他の外部資金

  • 近接蒸着法による巨大ドメインBaSi2薄膜の結晶成長メカニズム

    2021年4月 - 2024年3月

    基盤研究(C)

    原 康祐

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:科学研究費補助金

  • 第一原理計算によるBaSi2太陽電池の接合パートナー探索

    2020年10月 - 2021年3月

    京都大学  スーパーコンピュータ共同研究制度  若手・女性研究者奨励枠

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:共同研究

  • シリコンウェハの新たな品質評価法の開発

    2020年6月 - 2021年3月

    株式会社パンソリューションテクノロジーズ 

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:共同研究

  • 太陽電池用シリコンウェハの新たな品質評価法の開発

    2019年8月 - 2020年3月

    株式会社パンソリューションテクノロジーズ 

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:共同研究

  • 低温連続成膜プロセスを用いたSnS/BaSi2太陽電池の開発

    2018年4月 - 2019年3月

    八洲環境技術振興財団  研究開発・調査助成 

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:奨学寄附金

  • 高速熱蒸着法で形成したBaSi2/Siヘテロ接合の電気特性評価

    2017年4月 - 2020年3月

    日本学術振興会  若手研究(B)

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:科学研究費補助金

  • 発光イメージングによる欠陥特性の定量

    2016年4月 - 2019年3月

    日本学術振興会  基盤研究(B)

    沓掛健太朗

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    担当区分:研究分担者  資金の種類:科学研究費補助金

  • 大規模展開可能な新規SnS/BaSi2ヘテロ接合太陽電池の創製

    2015年6月 - 2016年5月

    村田学術振興財団  研究助成

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:奨学寄附金

  • イオン性BaSi2半導体による高効率薄膜太陽電池の創製

    2015年4月 - 2017年3月

    日本学術振興会  若手研究(B)

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:科学研究費補助金

  • 高効率SnS/BaSi2太陽電池の実現に向けたヘテロ界面評価

    2015年4月 - 2016年3月

    池谷科学技術振興財団  単年度研究助成

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    担当区分:研究代表者  資金の種類:奨学寄附金

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論文

  • Microstructural, electrical, and optoelectronic properties of BaSi2 epitaxial films grown on Si substrates by close-spaced evaporation 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Ryota Takagaki, Keisuke Arimoto, and Noritaka Usami

    Journal of Alloys and Compounds   966   171588   2023年7月( ISSN:1873-4669 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using Two Condenser-lens TEM, Experimental Study about the Effect of Convergence Angle 査読

    Junji Yamanaka, Joji Furuya, Kosuke O. Hara, and Keisuke Arimoto

    Microscopy and Microanalysis   29   325 - 327   2023年7月( ISSN:1435-8115 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: doi.org/10.1093/micmic/ozad067.152

    DOI: doi.org/10.1093/micmic/ozad067.152

  • Tellurium nanosheets with structural anisotropy formed from defective MoTe2 multilayers 査読

    Shuto Muranaka, Satoshi Nogamida, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, and Yusuke Hoshi

    AIP Advances   13   075219   2023年7月( ISSN:2158-3226 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1063/5.0155417

    DOI: https://doi.org/10.1063/5.0155417

  • 新規太陽電池材料BaSi2の近接蒸着による成膜技術開発 査読

    原 康祐、山中 淳二、有元 圭介

    表面と真空   2433-5835   388 - 392   2023年7月( ISSN:2433-5835 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:日本語   掲載種別:(MISC)総説・解説(学術雑誌)  

    DOI: https://doi.org/10.1380/vss.66.388

  • Influences of lattice strain and SiGe buffer layer thickness on electrical characteristics of strained Si/SiGe/Si(110) heterostructures 査読

    Taisuke Fujisawa, Atsushi Onogawa, Miki Horiuchi, Yuichi Sano, Chihiro Sakata, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa, Keisuke Arimoto

    Materials Science in Semiconductor Processing   161   107476 - 107476   2023年7月( ISSN:1369-8001 )

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier BV  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2023.107476

  • Crystalline Morphology of SiGe Films Grown on Si(110) Substrates 査読

    Keisuke Arimoto, Chihiro Sakata, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka

    Journal of Electronic Materials   52   5121 - 5127   2023年4月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1007/s11664-023-10425-7

  • Semiconducting BaSi2 film synthesis by close-spaced evaporation benefiting from mechanical activation of source powder by ball milling 査読

    Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, and Keisuke Arimoto

    JJAP Conference Proceedings   10   011101   2023年4月( ISSN:2758-2450 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.56646/jjapcp.10.0_011101

    DOI: 10.56646/jjapcp.10.0_011101

  • Constructing the composition ratio prediction model using machine learning for BaSi2 thin films deposited by thermal evaporation 査読 重要な業績

    Ryuto Ueda, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kosuke O. Hara

    Japanese Journal of Applied Physics   62   SK1011   2023年4月( ISSN:1347-4065 )

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.35848/1347-4065/acc7b0

    DOI: 10.35848/1347-4065/acc7b0

  • Designing limiting-efficiency BaSi2 solar cells by device simulation and computational material screening 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara

    Solar Energy   245   136 - 145   2022年9月( ISSN:0038-092X )

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    担当区分:筆頭著者, 最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.solener.2022.08.044

  • Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using Two-condenser-lens TEM 査読

    Junji Yamanaka, Takuya Oguni, Yuichi Sano, Yusuke Ohshima, Atsushi Onogawa, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto

    Microscopy and Microanalysis   28   2812 - 2813   2022年7月( ISSN:1431-9276 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1017/S1431927622010601

  • Silicon meets group-II metals in energy and electronic applications—How to handle reactive sources for high-quality films and bulk crystals 招待 査読 重要な業績

    T. Suemasu, K. O. Hara, H. Udono, and M. Imai

    Journal of Applied Physics   131   2022年5月( ISSN:0021-8979 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Discovering Low-Electron Affinity Semiconductors for Junction Partners of Photovoltaic BaSi2 by Database Screening and First Principles Calculations 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara

    The Journal of Physical Chemistry C   125   24310 - 24317   2021年10月( ISSN:1932-7447 )

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    担当区分:筆頭著者, 最終著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Fabrication of heterojunction crystalline Si solar cells with BaSi2 thin films prepared by a two-step evaporation method 査読

    Yoshihiko Nakagawa, Kazuma Takahashi, Michinobu Fujiwara, Kosuke O. Hara, Kazuhiro Gotoh, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Itoh, Takashi Suemasu, and Noritaka Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   60   2021年9月( ISSN:0021-4922 )

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    記述言語:日本語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Low temperature synthesis of photoconductive BaSi2 films by mechanochemically assisted close-spaced evaporation 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, and Keisuke Arimoto

    Materials Advances   2   6713 - 6721   2021年9月( ISSN:2633-5409 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Dependences of the hole mobility in the strained Si pMOSFET and gated Hall bars formed on SiGe/Si(110) on the channel direction and the strained Si thickness 査読

    Keisuke Arimoto, Taisuke Fujisawa, Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, and Kiyokazu Nakagawa

    Journal of Crystal Growth   571   2021年7月( ISSN:0022-0248 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Investigations on Ba diffusion and SiO evaporation during BaSi2 film formation on Si substrates by thermal evaporation 査読 重要な業績

    Daisuke Yazawa, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka, and Keisuke Arimoto

    Journal of Vacuum Science & Technology A   39   2021年5月( ISSN:0734-2101 )

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    担当区分:責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Close-spaced evaporation of CaGe2 films for scalable GeH film formation 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Shin Kunieda, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Mai Itoh, and Masashi Kurosawa

    Materials Science in Semiconductor Processing   132   2021年5月( ISSN:1369-8001 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • HREM Observation and Identification of the Causality of Twins in SiGe/Si (110) 査読

    Junji Yamanaka, Yuichi Sano, Shingo Saito, Atsushi Onogawa, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa, and Keisuke Arimoto

    Microscopy and Microanalysis   26 ( S2 )   286 - 288   2020年7月( ISSN:1431-9276 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)   出版者・発行元:Cambridge University Press  

  • Interface reaction of the SnS/BaSi2 heterojunction fabricated for solar cell applications 査読 重要な業績

    Kosuke O Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa

    Thin Solid Films   706   2020年4月( ISSN:0040-6090 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.tsf.2020.138064

  • Hole mobility in Strained Si/Relaxed SiGe/Si(110) hetero structures studied by gated Hall measurements 査読

    Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Taisuke Fujisawa, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O.Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa, and Keisuke Arimoto

    Materials Science in Semiconductor Processing   113   2020年3月( ISSN:1369-8001 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105052

  • Strain relaxation process and evolution of crystalline morphologies during the growths of SiGe on Si(110) by solid-source molecular beam epitaxy 査読

    Shingo Saito, Yuichi Sano, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, and Keisuke Arimoto

    Materials Science in Semiconductor Processing   113   2020年3月( ISSN:1369-8001 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105042

  • Reactive deposition growth of highly (001)-oriented BaSi2 films by close-spaced evaporation 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Shuhei Takizawa, Junji Yamanaka, Noritaka Usami, and Keisuke Arimoto

    Materials Science in Semiconductor Processing   113   2020年3月( ISSN:1369-8001 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:Elsevier  

    DOI: 10.1016/j.mssp.2020.105044

  • Hole mobility enhancement observed in (110)-oriented strained Si 査読

    Keisuke Arimoto, Naoto Utsuyama, Shohei Mitsui, Kei Satoh, Takane Yamada, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou SAWANO, and Kiyokazu Nakagawa

    Japanese Journal of Applied Physics   59   2020年2月( ISSN:0021-4922 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab6591

  • Thermodynamic analyses of thermal evaporation of BaSi2 査読 重要な業績

    Hara, Kosuke O and Arimoto, Keisuke and Yamanaka, Junji and Nakagawa, Kiyokazu

    Japanese Journal of Applied Physics   59   2020年1月( ISSN:0021-4922 )

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

    DOI: 10.7567/1347-4065/ab5b64

  • Relaxation of Strain in Si Layers Formed on (110)-Oriented SiGe/Si Heterostructures 査読

    Keisuke Arimoto, Atsushi Onogawa, Shingo Saito, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, and Kiyokazu Nakagawa

    ECS Transactions   93 ( 1 )   79 - 80   2019年11月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

    DOI: 10.1149/09301.0079ecst

  • Fabrication of SnS/BaSi2 heterojunction by thermal evaporation for solar cell applications 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara and Keisuke Arimoto and Junji Yamanaka and Kiyokazu Nakagawa

    Japanese Journal of Applied Physics   58   2019年1月( ISSN:0021-4922 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures 査読

    Keisuke Arimoto, Atsushi Onogawa, Shingo Saito, Takane Yamada, Kei Sato, Naoto Utsuyama, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, K Sawano, and Kiyokazu Nakagawa

    Semiconductor Science and Technology   33   2018年11月( ISSN:0268-1242 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Feasibility Study to Evaluate Lattice-Space Changing of a Step-Graded {S}i{G}e/{S}i ($110$) Using {STEM} Moir{\'e} 査読

    Yamanaka, Junji and Shirakura, Mai and Yamamoto, Chiaya and Sato, Kei and Yamada, Takane and Hara, Kosuke O and Arimoto, Keisuke and Nakagawa, Kiyokazu and Ishizuka, Akimitsu and Ishizuka, Kazuo

    Journal of Materials Science and Chemical Engineering   6   8 - 15   2018年7月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Diffusion process in BaSi2 film formation by thermal evaporation and its relation to electrical propertie 招待 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka and Kiyokazu Nakagawa

    Journal of Materials Research   33   2297 - 2305   2018年6月( ISSN:0884-2914 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Alternative simple method to realize p-type BaSi2 thin films for Si heterojunction solar cell applications 査読

    Kazuma Takahashi, Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Isao Takahashi, Yasuyoshi Kurokawa, and Noritaka Usami

    MRS Advances   1 - 8   2018年2月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Suppression of Near-interface Oxidation in Thermally-evaporated BaSi2 Films and Its Effects on Preferred Orientation and the Rectification Behavior of n-BaSi2/p -Si Diodes 査読

    Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami

    MRS Advances   1 - 6   2018年1月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Surface Roughness of SiGe/Si(110) Formed by Stress-Induced Twins and the Solution to Produce Smooth Surface 査読

    Junji Yamanaka, Mai Shirakura, Chiaya Yamamoto, Naoto Utsuyama, Kei Sato, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa

    Journal of Materials Science and Chemical Engineering   6   25 - 31   2018年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Simple method for significant improvement of minority-carrier lifetime of evaporated BaSi2 thin film by sputtered-AlOx passivation 査読

    N. M. Shaalan, K. O. Hara, C. T. Trinh, Y. Nakagawa, and N. Usami

    Materials Science in Semiconductor Processing   76   27 - 41   2017年12月( ISSN:1369-8001 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • BaSi2 formation mechanism in thermally-evaporated films and its application to reducing oxygen impurity concentration 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, and Noritaka Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   57   2017年12月( ISSN:0021-4922 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Investigation on the origin of preferred a-axis orientation of BaSi2 films deposited on Si(100) by thermal evaporation 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   72   93 - 98   2017年10月( ISSN:1369-8001 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Growth of strained Si/relaxed SiGe heterostructures on Si (110) substrates using solid-source molecular beam epitaxy 査読

    Keisuke Arimoto, Hiroki Nakazawa, Shohei Mitsui, Naoto Utsuyama, Junji Yamanaka, Kosuke O Hara, Noritaka Usami and Kiyokazu Nakagawa

    Semiconductor Science and Technology   32   2017年9月( ISSN:0268-1242 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Formation of metastable cubic phase in SnS thin films fabricated by thermal evaporation 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Shintaro Suzuki, and Noritaka Usami

    Thin Solid Films   639   7 - 11   2017年8月( ISSN:0040-6090 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Fabrication of BaSi2 thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, and Noritaka Usami

    Thin Solid Films   636   546 - 551   2017年6月( ISSN:0040-6090 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Preferred orientation of BaSi2 thin films fabricated by thermal evaporation 査読

    Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami

    JJAP Conference Proceedings   5   2017年5月

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Realization of crystalline BaSi2 thin films by vacuum evaporation on (111)-oriented Si layers fabricated by aluminum induced crystallization 査読

    Jefferson A. Wibowo, Isao Takahashi, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami

    JJAP Conference Proceedings   5   2017年5月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(国際会議プロシーディングス)  

  • Growth of BaSi2 film on Ge(100) by vacuum evaporation and its photoresponse properties 査読 重要な業績

    Cham Thi Trinh, Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Yasuyoshi Kurokawa, Ryota Takabe, Takashi Suemasu, and Noritaka Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   56   2017年4月( ISSN:0021-4922 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Postannealing effects on undoped BaSi2 evaporated films grown on Si substrates 査読

    Takamichi Suhara, Koichi Murata, Aryan Navabi, Kosuke O. Hara, Yoshihiko Nakagawa, Cham Thi Trinh, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Suemasu, Kang L. Wang, and Noritaka Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   56   2017年4月( ISSN:0021-4922 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Investigation of p-type emitter layer materials for heterojunction barium disilicide thin film solar cells 査読

    Kazuma Takahashi, Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Yasuyoshi Kurokawa, and Noritaka Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   56   2017年4月( ISSN:0021-4922 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Post-annealing effects on the surface structure and carrier lifetime of evaporated BaSi2 films 査読 重要な業績

    Kosuke O Hara,Cham Thi Trinh,Yasuyoshi Kurokawa,Keisuke Arimoto,Junji Yamanaka,Kiyokazu Nakagawa,Noritaka Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   56   2017年3月( ISSN:0021-4922 )

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    担当区分:筆頭著者, 責任著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • STEM Moir\'e Observation of Lattice-Relaxed Germanium Grown on Silicon 査読

    Junji Yamanaka,Chiaya Yamamoto,Hiroki Nakaie,Tetsuji Arai,Keisuke Arimoto,Kosuke O Hara,Kiyokazu Nakagawa

    Journal of Materials Science and Chemical Engineering   5 ( 1 )   102 - 108   2017年1月

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si (110) grown by gas source MBE 査読

    Keisuke Arimoto, Sosuke Yagi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Noritaka Usami, and Kiyokazu Nakagawa

    Journal of Crystal Growth   468   625 - 629   2016年12月( ISSN:0022-0248 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Effects of deposition rate on the structure and electron density of evaporated BaSi2 films 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara,Cham Thi Trinh ,Keisuke Arimoto ,Junji Yamanaka ,Kiyokazu Nakagawa ,Yasuyoshi Kurokawa ,Takashi Suemasu ,Noritaka Usami

    Journal of Applied Physics   120   2016年7月( ISSN:0021-8979 )

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)   出版者・発行元:AIP Publishing  

  • Photoresponse properties of BaSi2 film grown on Si(100) by vacuum evaporation 査読

    Cham Thi Trinh ,Yoshihiko Nakagawa,Kosuke O Hara,Ryota Takabe,Takashi Suemasu,Noritaka Usami

    Materials Research Express   3   2016年7月( ISSN:2053-1591 )

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    記述言語:英語   掲載種別:研究論文(学術雑誌)  

  • Simple vacuum evaporation route to BaSi2 thin films for solar cell applications 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Yoshihiko Nakagawa, Takashi Suemasu, Noritaka Usami

    Procedia Engineering   141   27 - 31   2016年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Control of electrical properties of BaSi2 thin films by alkali-metal doping using alkali-metal fluorides 査読 重要な業績

    Kosuke O Hara, Weijie Du , Keisuke Arimoto , Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kaoru Toko, Takashi Suemasu, Noritaka Usami

    Thin Solid Films   603   218 - 223   2016年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • On the mechanism of BaSi2 thin film formation on Si substrate by vacuum evaporation 査読

    Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Takashi Suemasu, Noritaka Usami

    Procedia Engineering   141   23 - 26   2016年3月

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    記述言語:英語  

  • Formation of BaSi2 heterojunction solar cells using transparent MoOx hole transport layers 査読

    W. Du, R. Takabe, M. Baba, H. Takeuchi, K.O. Hara, K. Toko, N. Usami, T. Suemasu

    Applied Physics Letters   106   2015年3月

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    記述言語:英語  

  • Realization of single-phase BaSi2 films by vacuum evaporation with suitable optical properties and carrier lifetime for solar cell applications 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Yoshihiko Nakagawa, Takashi Suemasu, and Noritaka Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   54   2015年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Cross-sectional potential profile across a BaSi2 pn junction by Kelvin probe force microscopy 査読

    Daichi Tsukahara, Masakazu Baba, Kentaro Watanabe, Takashi Kimura, ,Kosuke O. Hara, 他5名

    Japanese Journal of Applied Physics   54   2015年3月

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    記述言語:英語  

  • Fabrication of single-phase polycrystalline BaSi2 thin films on silicon substrates by vacuum evaporation for solar cell applications 査読 重要な業績

    Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Takashi Suemasu, Noritaka Usami

    Japanese Journal of Applied Physics   54   2015年3月

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    記述言語:英語  

  • Structural and electrical characterizations of crack-free BaSi2 thin films fabricated by thermal evaporation 査読 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Takashi Suemasu, Noritaka Usami

    Thin Solid Films   595A   68 - 72   2015年3月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Fabrication and characterization of BaSi2 epitaxial films over 1 um in thickness on Si(111) 査読

    R. Takabe, K. Nakamura, M. Baba, W. Du, M.A. Khan, K. Toko, M. Sasase, ,K.O. Hara, N. Usami, T. Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   53   2014年11月

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    記述言語:英語  

  • Potential variations around grain boundaries in impurity-doped BaSi2 epitaxial films evaluated by Kelvin probe force microscopy 査読

    D. Tsukahara,M. Baba,S. Honda,Y. Imai,K. O. Hara,N. Usami,K. Toko,J. H. Werner,T. Suemasu

    Journal of Applied Physics   116   2014年11月

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    記述言語:英語  

  • Evaluation of minority carrier diffusion length of undoped n-BaSi2 epitaxial thin films on Si(001) substrates by electron-beam-induced-current technique 査読

    M. Baba, K. Watanabe, K.O. Hara, K. Toko, T. Sekiguchi, N. Usami, T. Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   53   2014年11月

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    記述言語:英語  

  • Analysis of the electrical properties of Cr/n-BaSi2 Schottky junction and n-BaSi2/p-Si heterojunction diodes for solar cell applications 査読

    W. Du, M. Baba, K. Toko, K.O. Hara, K. Watanabe, T. Sekiguchi, N. Usami, ,T. Suemasu

    Journal of Applied Physics   115   2014年11月

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    記述言語:英語  

  • Influence of grain size and surface condition on minority-carrier lifetime in undoped n-BaSi2 on Si(111) 査読

    R. Takabe, K.O. Hara, M. Baba, W. Du, N. Shimada, K. Toko, N. Usami, ,and T. Suemasu

    Journal of Applied Physics   115   2014年11月

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    記述言語:英語  

  • N-Type Doping of BaSi2 Epitaxial Films by Phosphorus Ion Implantation and Thermal Annealing 査読 重要な業績

    K.O. Hara, Y. Hoshi, N. Usami, Y. Shiraki, K. Nakamura, K. Toko, and T. Suemasu

    Thin Solid Films   557   90 - 93   2014年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • N-type doping of BaSi2 epitaxial films by arsenic ion implantation through a dose-dependent carrier generation mechanism 査読 重要な業績

    K.O. Hara, N. Usami, M. Baba, K. Toko, and T. Suemasu

    Thin Solid Films   567   105 - 108   2014年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Theory of open-circuit voltage and the driving force of charge separation in pn-junction solar cells 査読 重要な業績

    K.O. Hara and N. Usami

    Journal of Applied Physics   103   2013年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Lattice and grain-boundary diffusions of boron atoms in BaSi2 epitaxial films on Si(111 査読

    K. Nakamura, M. Baba, M. Ajmal Khan, W. Du, M. Sasase, K.O. Hara, その他3名

    Journal of Applied Physics   113   2013年11月

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    記述言語:英語  

  • Large photoresponsivity in semiconducting BaSi2 epitaxial films grown on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy 査読

    S. Koike, K. Toh, M. Baba, K. Toko, K.O. Hara,その他4名

    Journal of Crystal Growth   378   198 - 200   2013年11月

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    記述言語:英語  

  • Fabrication and characterizations of phosphorus-doped n-type BaSi2 epitaxial films grown by molecular beam epitaxy 査読

    R. Takabe, M. Baba, K. Nakamura, W. Du, M.A. Khan, S. Koike, その他4名

    Physica Status Solidi (c)   10   1753 - 1755   2013年11月

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    記述言語:英語  

  • Evaluation of potential variations around grain boundaries in BaSi2 epitaxial films by Kelvin probe force microscopy 査読

    M. Baba, S. Tsurekawa, K. Watanabe, W. Du, K. Toko, K.O. Hara, ,N. Usami, T. Sekiguchi, and T. Suemasu

    Applied Physics Letters   103   2013年11月

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    記述言語:英語  

  • Formation of large-grain-sized BaSi2 epitaxial layers grown on Si(111) by molecular beam epitaxy 査読

    M. Baba, K. Toh, K. Toko, K.O. Hara, N. Usami, N. Saito, N. Yoshizawa, ,and T. Suemasu

    Journal of Crystal Growth   378   193 - 197   2013年11月

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    記述言語:英語  

  • Epitaxial growth of BaSi2 films with large grains using vicinal Si (111) substrates 査読

    M. Baba, K.O. Hara, K. Toko, N. Saito, N. Yoshizawa, N. Usami, and T. Suemasu

    Physica Status Solidi (c)   10   1756 - 1758   2013年11月

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    記述言語:英語  

  • Molecular beam epitaxy of boron doped p-type BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates for thin-film solar cells 査読

    M. Ajmal Khan, K.O. Hara, K. Nakamura, W. Du, M. Baba, K. Toh, M. Suzuno, ,K. Toko, N. Usami, and T. Suemasu

    Journal of Crystal Growth   378   201 - 204   2013年11月

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    記述言語:英語  

  • In-situ heavily p-type doping of over 1020 cm-3 in semiconducting BaSi2 thin films for solar cells 査読

    M. Ajmal Khan, K.O. Hara, W. Du, M. Baba, K. Nakamura, M. Suzuno, K. Toko, ,N. Usami, and T. Suemasu

    Applied Physics Letters   102   2013年11月

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    記述言語:英語  

  • Phase Stability of b-MoSi2-x Prepared by the Na Flux Method against Thermal, Oxidative, and Mechanical treatments 査読 重要な業績

    K.O. Hara, T. Fujii, E. Yamasue, H. Okumura, and K.N. Ishihara

    Journal of Materials Science   48   3121 - 3127   2013年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Structural Study on Phosphorus Doping of BaSi2 Epitaxial Films by Ion Implantation 査読 重要な業績

    K.O. Hara, Y. Hoshi, N. Usami, Y. Shiraki, K. Nakamura, K. Toko, and T. Suemasu

    Thin Solid Films   534   470 - 473   2013年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Mechanism of strain relaxation in BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates during post-growth annealing and application for film exfoliation 査読 重要な業績

    K.O. Hara, N. Usami, K. Nakamura, R. Takabe, M. Baba, K. Toko, and T. Suemasu

    Physica Status Solidi (c)   10   1677 - 1680   2013年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Determination of bulk minority-carrier lifetime in BaSi2 earth-abundant absorber films by utilizing a drastic enhancement of carrier lifetime by post-growth annealing 査読 重要な業績

    K.O. Hara, N. Usami, K. Nakamura, R. Takabe, M. Baba, K. Toko, and T. Suemasu

    Applied Physics Express   6   2013年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Investigation of the Recombination Mechanism of Excess Carriers in Undoped BaSi2 Films on Silicon 査読 重要な業績

    K.O. Hara, N. Usami, K. Toh, M. Baba, K. Toko, and T. Suemasu

    Journal of Applied Physics   112   2012年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Molecular Beam Epitaxy of BaSi2 Thin Films on Si(001) Substrates 査読

    K. Toh, K.O. Hara, N. Usami, N. Saito, N. Yoshizawa, K. Toko, and T. Suemasu

    Journal of Crystal Growth   34   16 - 21   2012年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  • Molecular Dynamics Study of the Milling-Induced Allotropic Transformation in Cobalt 査読 重要な業績

    K.O. Hara, E. Yamasue, H. Okumura, and K.N. Ishihara

    Philosophical Magazine   92   2117 - 2129   2012年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Investigation of Grain Boundaries in BaSi2 Epitaxial Films on Si(111) Substrates Using Transmission Electron Microscopy and Electron-Beam-Induced Current Technique 査読

    M. Baba, K. Toh, K. Toko, N. Saito, N. Yoshizawa, その他5名

    Journal of Crystal Growth   348   75 - 79   2012年11月

     詳細を見る

    記述言語:英語  

  • Dependence of Crystal Orientation in Al-Induced Crystallized Poly-Si Layers on SiO2 Insertion Layer Thickness 査読

    A. Okada, K. Toko, K.O. Hara, N. Usami, and T. Suemasu

    Journal of Crystal Growth   356   65 - 69   2012年11月

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    記述言語:英語  

  • Epitaxy of Orthorhombic BaSi2 with Preferential In-Plane Crystal Orientation on Si(001): Effects of Vicinal Substrate and Annealing Temperature 査読

    K. Toh, K.O. Hara, N. Usami, N. Saito, N. Yoshizawa, K. Toko, and T. Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   51   2012年11月

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    記述言語:英語  

  • Milling Induced Polymorphic Transformation in MoSi2 査読 重要な業績

    K.N. Ishihara, E. Yamasue, H. Okumura, and K.O. Hara

    International Journal of Materials Research   103   1130 - 1136   2012年11月

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    担当区分:最終著者, 責任著者   記述言語:英語  

  • Realization of Large-Domain Barium Disilicide Epitaxial Thin Film by Introduction of Miscut to Si(111) Substrate 査読 重要な業績

    K.O. Hara, N. Usami, K. Toh, K. Toko, and T. Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics Special Issue   51   2012年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Structural Study of BF2 Ion Implantation and Post Annealing of BaSi2 Epitaxial Films 査読 重要な業績

    K.O. Hara, N. Usami, Y. Hoshi, Y. Shiraki, M. Suzuno, K. Toko, and T. Suemasu

    Japanese Journal of Applied Physics   50   2011年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Dynamic Equilibrium of MoSi2 Polymorphs during Mechanical Milling 査読 重要な業績

    K.O. Hara, E. Yamasue, H. Okumura, and K.N. Ishihara

    Journal of Alloys and Compounds   509S   S243 - S246   2011年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • Formation of Metastable Phases by High-Energy Ball Milling in the Ti-O System 査読 重要な業績

    K.O. Hara, E. Yamasue, H. Okumura and K.N. Ishihara

    Journal of Physics: Conference Series   144   2009年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:英語  

  • メカニカルアロイングによるTiOの合成における吸着水の影響 査読

    原 康祐,山末 英嗣,奥村 英之,石原 慶一

    粉体および粉末冶金   55   26 - 32   2008年11月

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    担当区分:筆頭著者   記述言語:日本語  

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講演・口頭発表等

  • スパッタリング法による酸化サマリウム薄膜の作製 重要な業績

    國枝 慎、矢崎 智昌、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京  

  • Si/Ge/SiO2の低温成長とその構造及び電気特性評価

    有元 圭介、近藤 弘人、河村 剛登、中川 清和、原 康祐、山中 淳二

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:東京  

  • ダブルヘテロ接合BaSi2太陽電池における裏面電極の為の計算材料スクリーニング 重要な業績

    矢崎 智昌、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:東京  

  • 近接蒸着法による傾斜Si基板上への単一結晶方位BaSi2薄膜の形成 重要な業績

    原 康祐、牧 祐孝、類家 哉子、山中 淳二、有元 圭介

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:東京  

  • SiGe / Ge / Si (111)に発生するクラックの方位

    田島 滉太、山中 淳二、有元 圭介、原 康祐、我妻 勇哉、澤野 憲太郎

    日本金属学会2024年春期(第174回)講演大会  2024年3月 

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    開催年月日: 2024年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京  

  • Arイオン注入した多層MoTe2の熱処理によるテルルナノシート形成

    村中 柊都、野上田 聖、原 康祐、澤野 憲太郎、星 裕介

    第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会(EDIT29)  2024年2月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2024年2月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:静岡県三島市  

  • Small Negative Effect of Domain Boundary on Carrier Lifetime of BaSi2 Absorber Films 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Ryota Takagaki, Keisuke Arimoto, and Noritaka Usami

    The 34th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-34)  2023年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Shenzhen, China  

  • ダブルヘテロ接合BaSi2太陽電池の電極材料の候補選定 重要な業績

    矢崎 智昌、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:熊本  

  • NBD 回折円盤を用いたNi-Al-Ti 合金中の析出物と母相の面間隔評価

    古屋丞司、山中淳二、有元圭介、原康祐、土井稔

    日本金属学会2023年秋期(第173回)講演大会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:富山  

  • 歪み Si/SiGe/Si(110)ヘテロ構造への in-situ Sb ドーピングプロセスの検討

    河村 剛登、原 康祐、山中 淳二、中川 清和、有元 圭介

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:熊本  

  • 歪みSi/SiGe/Si(110)MOS構造の界面準位密度の評価

    青沼 雄基、藤澤 泰輔、堀内 未希、吉川 満希、山中 淳二、原 康祐、中川 清和、有元 圭介

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:熊本  

  • 近接蒸着法により成膜したCaSi2のSiHへの変換 重要な業績

    高垣 僚太、有元 圭介、山中 淳二、黒澤 昌志、原 康祐

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:熊本  

  • BaSi2ダブルヘテロ接合における接合界面の化学的安定性の検証 重要な業績

    原 康祐、有元 圭介

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:熊本  

  • Feasibility study for the evaluation of SiGe/Si (110) domain tilt using X-ray diffraction reciprocal space mapping and conventional HR-TEM method 国際会議

    Junji Yamanaka, Chihiro Sakata, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto

    The 20th International Microscopy Congress (IMC20)  2023年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Busan, Korea  

  • Growth of Epitaxial BaSi2 Films with Carrier Lifetime over 2 μs by Close-Spaced Evaporation 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Ryota Takagaki, Keisuke Arimoto, and Noritaka Usami

    2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Nagoya, Japan  

  • Formation of a tellurium nanosheet with structural anisotropy by annealing defective MoTe2 multilayers 国際会議

    Shuto Muranaka, Satoshi Nogamida, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Yusuke Hoshi

    The 65th Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium  2023年9月 

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    開催年月日: 2023年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Fukuoka, Japan  

  • Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using Two Condenser-lens TEM, Experimental Study about the Effect of Convergence Angle 国際会議

    Junji Yamanaka, Joji Furuya, Kosuke O. Hara, and Keisuke Arimoto

    Microscopy & Microanalysis 2023 Meeting  2023年7月 

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    開催年月日: 2023年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Minneapolis, USA  

  • Heterojunction design by computational material screening for solar cells with BaSi2 absorber 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara

    11th International Conference on Materials for Advanced Technologies  2023年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Singapore  

  • 低温成長したSi/Ge/SiO2のTEM, SEM, AFM観察

    近藤弘人、有元圭介、原康祐、山中淳二

    日本顕微鏡学会第79回学術講演会  2023年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年6月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:松江  

  • 近接蒸着法により作製したCaSi2薄膜の結晶配向性 重要な業績

    高垣 僚太、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:ハイブリッド(東京+オンライン)  

  • BaSi2薄膜の結晶粒界とキャリア寿命の関係 重要な業績

    原 康祐、有元 圭介、宇佐美 徳隆

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:ハイブリッド(東京+オンライン)  

  • Heterojunction Design Using Computational Material Screening for Solar Cells: Application to BaSi2 Absorber 招待 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara

    2nd Indo-Japan Joint Workshop on Photovoltaics (IJWP-2023)  2023年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2023年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(招待・特別)  

    開催地:Chennai, India  

  • 近接蒸着法を用いたCaSi₂薄膜の作製 重要な業績

    高垣 僚太、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐

    第16 回日本フラックス成長研究発表会  2022年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:甲府  

  • Ni 固相フラックスを用いたSiC 薄膜作製の試み 重要な業績

    國枝 慎、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐

    第16 回日本フラックス成長研究発表会  2022年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年12月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:甲府  

  • Synthesis of multilayer two-dimensional group-IV flakes and nanosheets 国際会議 重要な業績

    Masashi Kurosawa, Mai Itoh, Yoshitsune Ito, Kazuya Okada, Akio Ohta, Masaaki Araidai, Kosuke O. Hara, Yuichiro Ando, Shigeru Yamada, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka

    The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)  2022年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya, Japan & virtual  

  • Computational material screening for charge transport layers of BaSi2 solar cells 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara

    The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)  2022年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya, Japan & virtual  

  • Constructing the composition ratio prediction model using machine learning for BaSi2 thin films deposited by thermal evaporation 国際会議 重要な業績

    Ryuto Ueda, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara

    The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33)  2022年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya, Japan & virtual  

  • NBD回折円盤からのSiGe面間隔測定における収束レンズ条件の影響

    古屋 丞司、有元 圭介、小國 琢弥、原 康祐、山中 淳二

    日本顕微鏡学会第65回シンポジウム  2022年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:倉敷  

  • Ge/SiO2及びSi/Ge/SiO2の低温成長とそのTEM観察

    近藤 弘人、有元 圭介、原 康祐、山中 淳二

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:ハイブリッド(仙台+オンライン)  

  • 歪みSiGe/Ge(111)に発生したクラックのTEM観察

    田島 滉太、山中 淳二、有元 圭介、原 康祐、我妻 勇哉、澤野 憲太郎

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:ハイブリッド(仙台+オンライン)  

  • Synthesis of photoconductive BaSi2 films by close-spaced evaporation 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto

    The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22)  2022年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Sapporo, Japan & virtual  

  • Evaluation of Lattice-Spacing of Si and SiGe by NBD using conventional TEM 国際会議

    Junji Yamanaka, Takuya Oguni, Joji Furuya, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto

    19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XIX)  2022年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Virtual  

  • Crystalline Morphology of SiGe Films Grown on Si(110) Substrates 国際会議

    Keisuke Arimoto, Chihiro Sakata, Kosuke O. Hara, Junji Yamanaka

    19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XIX)  2022年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Virtual  

  • BaSi2の成膜技術開発と太陽電池応用 招待

    原 康祐

    山梨大学新技術情報クラブ令和4年度第一回交流会  2022年8月 

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    開催年月日: 2022年8月

    記述言語:日本語   会議種別:その他  

    開催地:オンライン  

  • Evaluation of Lattice-Spacing of SiGe/Si by NBD using two-condenser-lens TEM 国際会議

    J. Yamanaka, T. Oguni, Y. Sano, Y. Ohshima, A. Onogawa, K. O. Hara, and K. Arimoto

    Microscopy & Microanalysis 2022 Meeting  2022年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年7月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Portland, USA  

  • Mechanochemically Assisted Close-Spaced Evaporation of BaSi2 Films 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, and Keisuke Arimoto

    The 6th Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials, 2022  2022年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Virtual  

  • BaSi2太陽電池の電荷輸送層に対する材料探索プロセスの改良 重要な業績

    原 康祐

    第19回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム(第2回日本太陽光発電学会学術講演会)  2022年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年6月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:ハイブリッド(金沢+オンライン)  

  • 2段集束レンズTEMを用いたNBDによるSiGeと歪Siの面間隔評価

    山中淳二、小國琢弥、佐野雄一、大島佑介、各川敦史、原康祐、有元圭介

    日本顕微鏡学会第78回学術講演会  2022年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年5月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:ハイブリッド(郡山+オンライン)  

  • 歪みSi/緩和 SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETの高正孔移動度化とリーク電流の低減

    藤澤 泰輔、各川 敦史、堀内 未希、坂田 千尋、山中 淳二、原 康祐、澤野 憲太郎、中川 清和、有元 圭介

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:ハイブリッド(神奈川+オンライン)  

  • BaSi2太陽電池の限界発電効率の再検討 重要な業績

    原 康祐

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:ハイブリッド(神奈川+オンライン)  

  • Si基板上BaSi2近接蒸着膜の実効キャリア寿命 重要な業績

    原 康祐、高垣 僚太、有元 圭介、宇佐美 徳隆

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:ハイブリッド(神奈川+オンライン)  

  • 機械学習を用いたBaSi2蒸着膜の組成比予測モデルの予測精度改善 重要な業績

    上田 龍斗、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2022年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:ハイブリッド(神奈川+オンライン)  

  • Database-Driven Design of BaSi2-Based Solar Cells with Theoretical Limit Efficiency 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara

    Materials Research Meeting 2021  2021年12月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年12月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Yokohama  

  • Si/SiGe/Si(110) 内双晶分布の X 線回折と TEM による評価

    坂田 千尋、有元 圭介、各川 敦史、原 康祐、山中 淳二

    日本顕微鏡学会第64回シンポジウム  2021年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡  

  • 2段集束レンズ TEM を用いた NBD による SiGe 面間隔評価の試行

    小國 琢弥、佐野 雄一、大島 佑介、原 康祐、有元 圭介、山中 淳二

    日本顕微鏡学会第64回シンポジウム  2021年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡  

  • STEM-Moiré Applications to Crystalline Specimens without using High-End Microscopes 国際会議

    Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto

    "Japan-Canada Joint Seminar on Advanced Electron Microscopy and its Application ―2nd Canada – Japan Microscopy Societies Symposium 2021―"  2021年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Virtual  

  • 高効率ヘテロ接合太陽電池のデバイス設計:BaSi2 を光吸収層として 重要な業績

    原 康祐

    第18回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム(第1回日本太陽光発電学会学術講演会)  2021年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:オンライン  

  • Strain and Defect Engineering for the (110)-Oriented Si pMOSFETs 招待 国際会議

    Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano and Kiyokazu Nakagawa

    2021 International Conference on Materials Science and Engineering  2021年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(招待・特別)  

    開催地:Virtual  

  • BaSi2太陽電池に適した電子・正孔輸送層のデータベース駆動型材料探索 重要な業績

    原 康祐

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:オンライン  

  • 機械学習を用いたBaSi2蒸着膜の組成比予測モデルの作成

    上田 龍斗、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐

    第19回シリサイド系半導体・夏の学校  2021年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年8月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン  

  • Discrimination between Coherent and Incoherent Interfaces using STEM Moiré 国際会議

    Junji Yamanaka, Daisuke Izumi, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto

    Microscopy & Microanalysis 2021 Meeting  2021年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年8月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Virtual  

  • 第一原理計算によるBaSi2太陽電池の接合パートナー探索 重要な業績

    原 康祐

    学際大規模情報基盤共同利用・共同研究拠点 第13回シンポジウム  2021年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン  

  • 2段集束レンズTEMを用いたNBDによるSi面間隔評価の試行

    小國琢弥、佐野雄一、原康祐、有元圭介、山中淳二

    日本顕微鏡学会第77回学術講演会  2021年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年6月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン  

  • Investigation of a defect-assisted-metal formed by annealing MoTe2 crystals with Ar ion implantation 国際会議

    Satoshi Nogamida, Shunya Hayashida, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, and Yusuke Hoshi

    European Materials Research Society (E-MRS) Spring meeting 2021  2021年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Virtual  

  • Si(110)基板上への組成傾斜SiGe層形成法に関する研究

    堀内 未希、斎藤 慎吾、原 康介、山中 淳二、有元 圭介

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:オンライン  

  • メカノケミカル効果を活用した近接蒸着法によるBaSi2成膜 重要な業績

    原 康祐、山本 千綾、山中 淳二、有元 圭介

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:オンライン  

  • 近接蒸着法によるCaGe2成膜とゲルマナンへの変換 重要な業績

    原 康祐、國枝 慎、山中 淳二、有元 圭介、伊藤 麻維、黒澤 昌志

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:オンライン  

  • 電流変調抵抗率測定におけるSiウェーハ表面ダメージの影響 重要な業績

    原 康祐、塚越 由花、牧瀬 啓人、有元 圭介、星 裕介、松島 悟

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:オンライン  

  • 歪みSi/ SiGe/Si(110)ヘテロ構造へのin situ Sbドーピングに関する研究

    吉川 満希、浪内 大地、陳 北辰、堀内 未希、藤澤 泰輔、山中 淳二、原 康祐、中川 清和、有元 圭介

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:オンライン  

  • Dependences of the hole mobility in the strained Si pMOSFET formed on SiGe/Si(110) on strained Si Thickness and the channel direction 国際会議

    Keisuke Arimoto, Taisuke Fujisawa, Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, and Kiyokazu Nakagawa

    The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology  2021年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2021年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Virtual  

  • Simulation of BaSi2 heterojunction solar cells for high efficiency device design 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara

    The 30th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-30)  2020年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Jeju, Korea & virtual  

  • 電子・正孔輸送層を用いるBaSi2太陽電池のデバイスシミュレーション 重要な業績

    原 康祐

    第17回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2020年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン  

  • Engineering Strain, Defects and Electronic Properties of (110)-Oriented Strained Si 招待 国際会議

    K. Arimoto, J. Yamanaka, K. O. Hara, and K. Nakagawa

    PRiME 2020, the Electro-Chemical Society Fall Meeting  2020年10月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年10月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(招待・特別)  

    開催地:オンライン  

  • 理論限界効率を示すBaSi2太陽電池のデバイスシミュレーション 重要な業績

    原 康祐

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:オンライン  

  • 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける正孔移動度のチャネル方向依存性

    藤澤 泰輔、各川 敦史、浪内 大地、佐野 雄一、泉 大輔、山中 淳二、原 康祐、澤野 憲太郎、中川 清和、有元 圭介

    第81回応用物理学会秋季学術講演会  2020年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:オンライン  

  • HREM Observation and Identification of the Causality of Twins in SiGe/Si (110) 国際会議

    J. Yamanaka, Y. Sano, S. Saito, A. Onogawa, K. O. Hara, K. Nakagawa, K. Arimoto,

    Microscopy & Microanalysis 2020 Meeting  2020年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:オンライン  

  • 近接蒸着法によるCaSi2とCaGe2の成膜 重要な業績

    原 康祐、瀧澤 周平、山中 淳二、黒澤 昌志、有元 圭介

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:東京  

  • 真空蒸着法によるSrSi2の薄膜作製 重要な業績

    瀧澤 周平、原 康祐、山中 淳二、有元 圭介

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京  

  • 第一原理計算を活用したn 型BaSi2との接合ペア材料の探索 重要な業績

    原 康祐

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2020年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:東京  

  • Critical Thickness of SiGe on Si(110) Substrate 国際会議

    Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Keisuke Arimoto, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces  2019年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:仙台  

  • Practical Growth Processes of Silicide and Germanide Thin Films for Photovoltaic and Electronic Applications 招待 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Shuhei Takizawa, Noritaka Usami, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces  2019年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(招待・特別)  

    開催地:仙台  

  • Hole Mobility in Strained Si/Relaxed SiGe/Si(110) Hetero Structures Studied by Gated Hall Measurements 国際会議

    Daichi Namiuchi, Atsushi Onogawa, Keisuke Arimoto, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa

    8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces  2019年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:仙台  

  • Close-spaced Evaporation: Scalable Technique for BaSi2 Film Deposition 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Shuhei Takizawa, Noritaka Usami, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto

    29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-29)  2019年11月 

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    開催年月日: 2019年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Xi'an, China  

  • Zintl 相シリサイド、ジャーマナイドの高速成膜技術 招待 重要な業績

    原 康祐

    第4回 新奇二次元デバイス・物質科学ワークショップ  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(招待・特別)  

    開催地:名古屋  

  • 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造p-MOSFETにおける電界効果移動度の歪みSi膜厚依存性

    藤澤 泰輔、各川 敦史、浪内 大地、斎藤 慎吾、佐野 雄一、泉 大輔、山中 淳二、原 康祐、澤野 憲太郎、中川 清和、有元 圭介

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:札幌  

  • BaSi2融液から発生する蒸気組成の理論解析 重要な業績

    原 康祐、山中 淳二、有元 圭介

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:札幌  

  • Si(110)基板上のSiGeの臨界膜厚に関する研究

    斎藤 慎吾、佐野 雄一、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、中川 清和

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:札幌  

  • 真空蒸着でのBaSi2成膜における基板加熱条件の影響 重要な業績

    矢澤 大典、原 康祐、山中 淳二、有元 圭介

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:札幌  

  • 歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の反転キャリアのHall移動度評価

    浪内 大地、澤野 憲太郎、各川 敦史、佐野 雄一、泉 大輔、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、中川 清和

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:札幌  

  • Hole Mobility Enhancement Observed in (110)-Oriented Strained Si 国際会議

    Keisuke Arimoto, Naoto Utsuyama, Shohei Mitsui, Kei Satoh, Takane Yamada, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Kiyokazu Nakagawa

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)  2019年9月 

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    開催年月日: 2019年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Nagoya, Japan  

  • Evaluation of Crystal Lattice Rotation around a Stress-Induced Twin in a Step-Graded SiGe / Si (110) Using STEM Moiré Observation and its Image Analysis 国際会議

    Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, and Kazuo Ishizuka

    Microscopy & Microanalysis 2019 Meeting  2019年8月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年8月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Portland, USA  

  • Physicochemical study of BaSi2 evaporation for composition-controlled film deposition 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa

    The 5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials 2019 (APAC-Silicide 2019)  2019年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Miyazaki, Japan  

  • Elucidating the SnS/BaSi2 Interface Reaction for SnS/BaSi2 Heterojunction Solar Cells 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa

    10th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2019)  2019年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Singapore  

  • SiGe のSTEM モアレ観察-収差補正有無での比較

    泉大輔、波多聰、白倉麻依、佐藤圭、原康祐、有元圭介、中川清和、山中淳二

    日本顕微鏡学会第75回学術講演会  2019年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋  

  • Relaxation of strain in Si layers formed on (110)-oriented SiGe/Si heterostructures 国際会議

    Kiesuke Arimoto, Atsushi Onogawa, Shingo Saito, Yuichi Sano, Daisuke Izumi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, and Kiyokazu Nakagawa

    2nd Joint ISTDM / ICSI Conference (ISTDM&ICSI2019)  2019年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2019年6月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Wisconsin, USA  

  • Si(110) 基板上に成長したSiGe混晶半導体の高分解能TEM観察

    佐野雄一、有元圭介、斎藤慎吾、各川敦史、原康祐、中川清和、山中淳二

    日本顕微鏡学会 第43回関東支部講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京  

  • 水素ラジカル加熱を用いたガラス基板上Poly-Si形成技術開発

    中家 大希、斎藤 慎吾、荒井 哲司、上村 和貴、有元 圭介、原 康祐、山中 淳二、中川 清和、高松 利行、澤野 憲太郎

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京  

  • 近接蒸着によるBaSi2薄膜作製 重要な業績

    原 康祐、瀧澤 周平、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:東京  

  • (110)面歪みSi薄膜のラマン分光法による歪み評価

    有元 圭介、各川 敦史、斎藤 慎吾、原 康祐、山中 淳二、中川 清和

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月 

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    開催年月日: 2019年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:東京  

  • 高速熱蒸着によるBaSi2薄膜作製技術の進展 招待

    原 康祐、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和

    第32回シリサイド系半導体研究会  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(招待・特別)  

    開催地:名古屋  

  • 水素ラジカル加熱を用いたSi-ULSI用NiSi電極形成技術開発

    中家 大希、荒井 哲司、上村 和貴、有元 圭介、原 康祐、白倉 麻衣、山本 千綾、山中 淳二、中川 清和、高松 利行

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

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    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋  

  • 連続蒸着とポストアニールによるSnS/BaSi2ヘテロ接合の作製 重要な業績

    原 康祐、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:名古屋  

  • Si(110)上に形成されたSiGeの格子歪みの熱的安定性

    大島 佑介、山田 崇峰、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、中川 清和

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋  

  • SiGe/Si(110)構造の表面形状形成過程に関する研究

    斎藤 慎吾、佐野 雄一、山田 崇峰、原 康祐、山中 淳二、有元 圭介、中川 清和

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋  

  • 伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のゲート電圧印加Hall測定による移動度評価

    浪内 大地、佐藤 圭、澤野 憲太郎、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、中川 清和

    第79回応用物理学会秋季学術講演会  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:名古屋  

  • Formation of SnS/BaSi2 Heterojunction by Sequential Thermal Evaporation toward Solar Cell Applications 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa

    2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018)  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Tokyo, Japan  

  • STEM Moiré Observation of the Compositionally Step-Graded SiGe Thin Film and its Image Analysis 国際会議

    Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Mai Shirakura, Kei Sato, Takane Yamada, Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Akimitsu Ishizuka, and Kazuo Ishizuka

    19th International Microscopy Congress (IMC19)  2018年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年9月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Sydney, Australia  

  • Composition control of semiconducting BaSi2 films fabricated by thermal evaporation 招待 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, and Kiyokazu Nakagawa

    Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2018  2018年6月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(招待・特別)  

    開催地:Incheon, South Korea  

  • 階段状組成傾斜SiGe/Si(110)のSTEM モアレ観察と面間隔評価

    山中淳二、山本千綾、白倉麻依、佐藤圭、山田祟峰、原康祐、有元圭介、中川清和、石塚顕在、石塚和夫

    日本顕微鏡学会第74回学術講演会  2018年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年5月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:福岡  

  • Stability of strain in Si layers formed on SiGe/Si(110) heterostructures 国際会議

    Keisuke Arimoto, Takane Yamada, Kei Sato, Naoto Utsuyama, Atsushi Onogawa, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa

    1st Joint ISTDM / ICSI 2018 Conference  2018年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2018年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Potsdam, Germany  

  • (110)面歪みSi薄膜の臨界膜厚

    有元 圭介、各川 敦史、山田 祟峰、原 康祐、山中 淳二、中川 清和

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • BaSi2蒸着における蒸気組成と成膜過程解析 重要な業績

    原 康祐、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日: 2018年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • Alternative Simple Method to Realize P-Type BaSi2 Thin Films for Si Heterojunction Solar Cells Application 国際会議

    Kazuma Takahashi, Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Isao Takahashi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    2017 MRS Fall Meetings & Exhibit  2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Boston, USA  

  • Simple Thermal Evaporation Route to Single-Phase and Highly-Oriented BaSi2 Thin Films 招待 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami

    2017 MRS Fall Meetings & Exhibit  2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(招待・特別)  

    開催地:Boston, USA  

  • Development of preferred orientation in evaporated BaSi2 films on Si(100) by controlling the near-interface structure 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, and Noritaka Usami

    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-27)  2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Shiga, Japan  

  • FABRICATION OF SILICON HETEROJUNCTION SOLAR CELLS WITH BARIUM DISILICIDE THIN FILMS PREPARATED BY THERMAL EVAPORATION 国際会議

    Kazuma Takahashi , Yoshihiko Nakagawa, Kazuhiro Goto, Kosuke O. Hara, Isao Takahashi, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-27)  2017年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Shiga, Japan  

  • Microstructural Characteristics of BaSi2 Epitaxial Films Fabricated by Thermal Evaporation 国際会議 重要な業績

    K. O. Hara, C. Yamamoto, J. Yamanaka, K. Arimoto, K. Nakagawa, N. Usami

    2017 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2017)  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Sendai, Japan  

  • BaSi2蒸着膜中の酸素濃度低減と結晶配向への影響 重要な業績

    原 康祐、山中 淳二、有元 圭介、中川 清和、宇佐美 徳隆

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • p型BaSi2薄膜を用いたヘテロ接合型Si太陽電池の作製

    高橋 一真, 中川 慶彦 , 原 康祐, 高橋 勲, 黒川 康良, 宇佐美 徳隆

    第14 回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2017年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • BaSi2蒸着膜のa-Si被覆による表面酸化抑制

    原 康祐,Cham Thi Trinh,黒川 康良,有元 圭介,山中 淳二,中川 清和,宇佐美 徳隆

    第14 回 「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム  2017年7月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • 階段状組成傾斜SiGe/Si(110)のSTEMモアレ観察

    山中 淳二,山本 千綾,白倉 麻依,佐藤 圭,山田 崇峰,原 康祐,有元 圭介,中川 清和

    第73回日本顕微鏡学会学術講演会  2017年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • AlOx passivation for improving the minority-carrier lifetime of BaSi2 film for solar cell application 国際会議

    N. M. Shaalan, K. O. Hara, C. T. Trinh, Y. Nakagawa, N. Usami

    The 2017 E-MRS Spring Meeting and Exhibit  2017年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Strasbourg, France  

  • Growth of strained Si/SiGe heterostructures on Si(110) substrates using solid-source molecular beam epitaxy 国際会議

    Keisuke Arimoto, Hiroki Nakazawa, Shohei Mitsui, Naoto Utsuyama, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa

    The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures  2017年5月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年5月

    記述言語:英語   会議種別:ポスター発表  

    開催地:Conventry, UK  

  • 真空蒸着法により作製したa-Si/BaSi2の接触抵抗低減効果

    須原 貴道、中川 慶彦、原 康祐、黒川 康良、末益 崇、宇佐美 徳隆

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • BaSi2蒸着膜中の酸素不純物に関する調査

    原 康祐、山本 千綾、山中 淳二、有元 圭介、中川 清和、黒川 康良、宇佐美 徳隆

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • Siヘテロ接合太陽電池応用に向けたp型BaSi2の作製技術開発

    高橋 一真、中川 慶彦、原 康祐、黒川 康良、宇佐美 徳隆

    第64回応用物理学会春季学術講演会  2017年3月 

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    開催年月日: 2017年3月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • STEM Moire Observation of Lattice-Relaxed Germanium Grown on Silicon 国際会議

    Junji Yamanaka, Chiaya Yamamoto, Hiroki Nakaie, Tetsuji Arai, Keisuke Arimoto, Kosuke O. Hara, Kiyokazu Nakagawa

    The 3rd Int'l Conference on Thin Film Technology and Applications (TFTA2017)  2017年1月 

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    開催年月日: 2017年1月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Bangkok, Thailand  

  • Close relationship between electrical properties and microstructure of semiconducting BaSi2 films 招待 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    2016 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2016)  2016年12月 

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    開催年月日: 2016年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(招待・特別)  

    開催地:Taipei, Taiwan  

  • Improving the quality of evaporated BaSi2 films toward photovoltaic applications 国際会議 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa

    University of Yamanashi International Symposium 2016  2016年11月 

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    開催年月日: 2016年11月

    記述言語:英語   会議種別:その他  

    開催地:Kofu, Japan  

  • Surface Modification of Evaporated BaSi2 Films by In-situ Post-annealing and Amorphous Silicon Capping 国際会議 重要な業績

    K.O. Hara, C.T. Trinh, Y. Kurokawa, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, N. Usami

    2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016)  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Tsukuba, Japan  

  • Growth of Crystalline BaSi2 Thin Films by Vacuum Evaporation on Poly-Crystalline Silicon Fabricated by Aluminum Induced Crystallization

    Jefferson Adrian WIBOWO、Yoshihiko NAKAGAWA、Isao TAKAHASHI、Kosuke O. HARA、Noritaka USAMI

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

  • 単一原料の蒸着によるa-Si/BaSi2積層構造の作製

    原 康祐、Trinh Cham Thi、黒川 康良、有元 圭介、山中 淳二、中川 清和、宇佐美 徳隆

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • 真空蒸着法により作製したBaSi2/SUS304 の断面評価

    須原 貴道、青柳 健太、原 康祐、末益 崇、宇佐美 徳隆

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • Si ヘテロ接合太陽電池におけるホール選択層としてのBaSi2 の検討

    高橋 一真、中川 慶彦、原 康祐、黒川 康良、宇佐美 徳隆

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:口頭(一般)  

  • 伸張歪みSi/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の表面モフォロジーに成長速度が及ぼす影響

    佐藤 圭、宇津山 直人、山田 崇峰、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、澤野 憲太朗、宇佐美 徳隆、中川 清和

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si1-xCx/Si(001)構造の結晶性評価

    村上 太陽、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、山本 千綾、宇佐美 徳隆、星 裕介、有澤 洋、澤野 憲太郎、中川 清和

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • 伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造の結晶成長中における表面形状形成過程に関する研究

    山田 崇峰、宇津山 直人、佐藤 圭、白倉 麻衣、山本 千綾、有元 圭介、山中 淳二、原 康祐、宇佐美 徳隆、澤野 憲太郎、中川 清和

    第77回応用物理学会秋季学術講演会  2016年9月 

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    開催年月日: 2016年9月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • Preferred Orientation of BaSi2 Thin Films Fabricated by Thermal Evaporation 国際会議

    Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Yoshihiko Nakagawa, Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, and Noritaka Usami

    Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016)  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:日本語   会議種別:ポスター発表  

  • Investigation of p-type Emitter Layer Materials for Heterojunction Barium Silicide Thin Film Solar Cells 国際会議

    Kazuma Takahashi, Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Yasuyoshi Kurokawa, Noritaka Usami

    Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016)  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Fukuoka, Japan  

  • The Growth of Polycrystalline Orthorhombic BaSi2 on Ge Substrate by Vacuum Evaporation Method 国際会議

    Cham Thi Trinh, Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Ryota Takabe, Takashi Suemasu, and Noritaka Usami

    Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016)  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Fukuoka, Japan  

  • Proposal of a Method to Realize BaSi2 Thin Films with Uniform Orientation using Reactivity of Excessive Ba in the Film and Si Substrate in Vacuum Evaporation 国際会議

    Yoshihiko Nakagawa, Cham Thi Trinh, Kosuke O. Hara, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Suemasu and Noritaka Usami

    Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016)  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Fukuoka, Japan  

  • Post -Annealing Effects on BaSi2 Evaporated Films Grown on Si Substrates 国際会議

    Takamichi Suhara, Koichi Murata, Aryan Navabi, Kosuke O. Hara, Yoshihiko Nakagawa, Trinh Cham Chi, Yasuyoshi Kurokawa, Takashi Suemasu, Kang L. Wang, and Noritaka Usami

    Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2016)  2016年7月 

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    開催年月日: 2016年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Fukuoka, Japan  

  • Photoresponse properties of BaSi2 film grown on Si (100) by vacuum evaporation 国際会議

    Cham Thi Trinh, Yoshihiko Nakagawa, Kosuke O. Hara, Ryota Takabe, Takashi Suemasu, and Noritaka Usami

    European PV Solar Energy Conference and Exhibition 2016  2016年6月 

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    開催年月日: 2016年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Munich, Germany  

  • Potential of Semiconducting BaSi2 for Thin-Film Solar Cell Applications

    Takashi Suemasu, Noritaka Usami, Weijie Du, Kosuke Hara, Takashi Sekiguchi, Kaoru Toko, Kentaro Watanabe

    2016 MRS Spring Meetings & Exhibit  2016年3月 

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    開催年月日: 2016年3月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(招待・特別)  

    開催地:Phoenix, USA  

  • Growth of strained Si/SiGe on Si(110) substrates for realization of high-mobility devices

    K. Arimoto, J. Yamanaka, K. O. Hara, K. Nakagawa, K. Sawano, N. Usami

    Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2015)  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(招待・特別)  

    開催地:Hong Kong, China  

  • Thin film growth of BaSi2 photovoltaic material by rapid thermal evaporation 招待 重要な業績

    K. O. Hara,Y. Nakagawa,T. C. Thi,J. Yamanaka,K. Arimoto,K. Nakagawa,T. Suemasu,N. Usami

    Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2015)  2015年12月 

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    開催年月日: 2015年12月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(招待・特別)  

    開催地:Hong Kong, China  

  • Growth of High Quality BaSi2 Film on Ge Substrate by Vacuum Evaporation Method

    C. T. Trinh, Y. Nakagawa, K. O. Hara, T. Suemasu, N. Usami

    25th International Photovoltaic Science & Engineering Conference  2015年11月 

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    開催年月日: 2015年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Busan, Korea  

  • Exploring the Potential of Semiconducting BaSi2 for Thin-Film Solar Cell Applications

    T. Suemasu, W. Du, M. Baba, R. Takabe, K. Toko, K. O. Hara, N. Usami, K. Watanabe,T. Sekiguchi

    8th International Conference on Materials for Advanced Technologies of the Materials Research Society of Singapore  2015年6月 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Singapore  

  • Simple Vacuum Evaporation Route to BaSi2 Thin Films for Solar Cell Applications 重要な業績

    K. O. Hara, Y. Nakagawa, T. Suemasu, N. Usami

    8th International Conference on Materials for Advanced Technologies of the Materials Research Society of Singapore  2015年6月 

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    開催年月日: 2015年6月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Singapore  

  • Arsenic doping into BaSi2 semiconductor films by ion implantation and thermal annealing 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Masakazu Baba, Kaoru Toko, Takashi Suemasu

    The 6th IEEE International Nanoelectronics Conference 2014  2014年7月 

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    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Sapporo, Japan  

  • Realization of Single-Phase BaSi2 Films by Vacuum Evaporation with Appropriate Optical Properties for Solar Cell Applications 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Yoshihiko Nakagawa, Takashi Suemasu, Noritaka Usami

    International conference and summer school on advanced silicide technology 2014  2014年7月 

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    開催年月日: 2014年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Tokyo, Japan  

  • On the Origin of Drastic Enhancement of Excess-Carrier Lifetime by Annealing BaSi2 Epitaxial Films 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Kotaro Nakamura, Ryota Takabe, Masakazu Baba, Kaoru Toko, Takashi Suemasu

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Kyoto, Japan  

  • Potential barrier height at grain boundaries in BaSi2 epitaxial thin films studied by Kelvin probe force microscopy

    Masakazu Baba, Sadahiro Tsurekawa, Du Weijie, Kaoru Toko, Kosuke O Hara, Noritaka Usami, Takashi Suemasu

    2013 JSAP-MRS Joint Symposia  2013年9月 

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    開催年月日: 2013年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Kyoto, Japan  

  • Mechanism of Strain Relaxation in BaSi2 Epitaxial Films on Si(111) Substrates during Post-Growth Annealing and Application for Film Exfoliation 重要な業績

    K. O. Hara, N. Usami, K. Nakamura, R. Takabe, M. Baba, K. Toko, T. Suemasu

    Asia-Pacific Conference on Green Technology with Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE 2013)  2013年7月 

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    開催年月日: 2013年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Tsukuba, Japan  

  • Phosphorus doping of BaSi2 by ion implantation 重要な業績

    K. O. Hara, Y. Hoshi, N. Usami, Y. Shiraki, K. Nakamura, K. Toko, T. Suemasu

    The 22nd Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-22)  2012年11月 

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    開催年月日: 2012年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Hanzhou, China  

  • Molecular beam epitaxy of boron doped p-type BaSi2 epitaxial films on Si(111) substrates for thin-film solar cells

    M. Ajmal Khan, Kosuke O. Hara, Kotaro Nakamura, Masakazu Baba, Katsuaki Toh, Mitsushi Suzuno, Kaoru Toko, Noritaka Usami, Takashi Suemasu

    The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)?  2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Nara, Japan  

  • Large photoresponsivity in semiconducting BaSi2 epitaxial films grown on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy

    S. Koike, K. Toh, M. Baba, K. Toko, K. Hara, N. Usami, N. Saito, N. Yoshizawa, T. Suemasu

    The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)?  2012年9月 

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    開催年月日: 2012年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Nara, Japan  

  • BaSi2 as a New Material for Thin Film Solar Cells

    Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Takashi Suemasu

    1st IMR & KMU Joint Workshop under the Korea-Japan Basic Scientific Cooperation Program and the Collaboration Agreement between IMR & KMU  2012年2月 

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    開催年月日: 2012年2月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Busan, Korea  

  • Impact of diffusion barrier layer thickness on preferential orientation of Al-induced crystallized Si layers for BaSi2 solar cell

    Atsushi Okada, Kaoru Toko, Kosuke Hara, Noritaka Usami, Takashi Suemasu

    Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Fukuoka, Japan  

  • Realization of large-domain barium disilicide epitaxial thin film by introduction of miscut to silicon (111) substrate 重要な業績

    Kosuke O. Hara, Noritaka Usami, Katsuaki Toh, Kaoru Toko, Takashi Suemasu

    Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-21)  2011年11月 

     詳細を見る

    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Fukuoka, Japan  

  • Barium Disicilide: A New Material for Thin-Film Solar Cells

    Kosuke O. Hara

    Seminar at INSA  2011年11月 

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    開催年月日: 2011年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Lyon, France  

  • Orientation control of Al-induced crystallized silicon by diffusion barrier layers

    A. Okada, K. Toko, K. Hara, N. Usami, T. Suemasu

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Nagoya, Japan  

  • Annealing of the BaSi2 Epitaxial Films Implanted with BF2 Ions 重要な業績

    K.O. Hara, N. Usami, Y. Hoshi, Y. Shiraki, M. Suzuno, K. Toko, T. Suemasu

    2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2011)  2011年9月 

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    開催年月日: 2011年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Nagoya, Japan  

  • Milling Induced Polymorphic Transformation in MoSi2 重要な業績

    Keiichi N. Ishihara, Eiji Yamasue, Hideyuki Okumura, Kosuke O. Hara

    The 14th International Conference on Rapidly Quenched and Metastable Materials (RQ 14)  2011年8月 

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    開催年月日: 2011年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Salvador, BA, Brazil  

  • Metastable phase formation by mechanical milling

    K.O. Hara, E. Yamasue, H. Okumura, K.N. Ishihara

    University of Science and Technology of China - Kyoto University Joint Doctoral Workshop on CO2 Zero Emission Energy Science and Technology  2010年9月 

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    開催年月日: 2010年9月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Hefei, China  

  • Dynamic equilibrium of MoSi2 polymorphs during mechanical milling 重要な業績

    K.O. Hara,E. Yamasue, H. Okumura, K.N. Ishihara

    International Symposium on Metastable, Amorphous and Nanostructured Materials (ISMANAM 2010)  2010年7月 

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    開催年月日: 2010年7月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Zurich, Switzerland  

  • Phase transformation induced by mechanical milling in MoSi2 重要な業績

    K.O. Hara,E. Yamasue, ,H. Okumura,K.N. Ishihara

    7th Eco-Energy and Material Science and Engineering Symposium  2009年11月 

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    開催年月日: 2009年11月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Chiangmai, Thailand  

  • Indicators for evaluating phase stability during mechanical milling

    K.O. Hara,E. Yamasue,H. Okumura,K.N. Ishihara

    International Summer School Symposium on Energy Science for Young Generations (ISSES-YGN)  2009年8月 

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    開催年月日: 2009年8月

    記述言語:英語   会議種別:口頭(一般)  

    開催地:Kyoto, Japan  

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産業財産権

  • 太陽電池素子

    原康祐

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    出願人:国立大学法人山梨大学

    出願番号:特願2021-109014  出願日:2021年6月

    出願国:国内  

  • 太陽電池

    原康祐、宇佐美徳隆、末益崇、都甲薫

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2014-179776  出願日:2014年9月

  • MSi2(MはMg、Ca、Sr、Ba、Raから選択される少なくとも1種のアルカリ土類金属)膜の製造方法

    原康祐、中川慶彦、宇佐美徳隆

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    出願人:国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2014-128316  出願日:2014年6月

  • 半導体装置およびその製造方法

    末益崇、都甲薫、宇佐美徳隆、原康祐

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    出願人:国立大学法人筑波大学、国立大学法人名古屋大学

    出願番号:特願2014-103670  出願日:2014年5月

    出願国:国内  

  • エピタキシャル膜の分離方法

    原康祐、宇佐美徳隆、末益崇、都甲薫

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    出願人:国立大学法人名古屋大学、国立大学法人筑波大学

    出願番号:特願2013-150884  出願日:2013年7月

受賞

  • IOP Outstanding Reviewer Awards 2023

    2024年2月   IOP Publishing   Outstanding Reviewer for Japanese Journal of Applied Physics

    Kosuke O. Hara

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    受賞区分:学会誌・学術雑誌による顕彰 

  • 山梨大学優秀教員奨励制度 奨励賞

    2022年9月   山梨大学  

学外あるいは所属学部等外の組織との共同研究

  • シリコンウェハの新たな品質評価法の開発

    株式会社パンソリューションテクノロジーズ

    2020年06月01日 - 2021年03月31日  代表

  • 太陽電池用シリコンウェハの新たな品質評価法の開発

    株式会社パンソリューションテクノロジーズ

    2019年08月27日 - 2020年03月31日  代表

担当授業科目(学内)

  • 物理学実験

    2023年度

  • 数学演習II

    2023年度

  • 数学演習I

    2023年度

  • 教職履修カルテ

    2023年度

  • 量子材料科学特論

    2023年度

  • クリスタルサイエンス

    2023年度

  • ワインと宝石

    2023年度

  • 応用工学実験II

    2023年度  科目区分:専門教育(学部)

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指導実績

  • 2023年度

    種別:学部(専攻科Aコース)卒業論文指導

    指導人数 :1人 

    卒業/修了/学位取得人数 :1人 

  • 2023年度

    種別:修士(専攻科Bコース)学位論文指導

    指導人数 :2人 

    卒業/修了/学位取得人数 :1人 

  • 2022年度

    種別:学部(専攻科Aコース)卒業論文指導

    指導人数 :1人 

    卒業/修了/学位取得人数 :1人 

  • 2022年度

    種別:修士(専攻科Bコース)学位論文指導

    指導人数 :2人 

    卒業/修了/学位取得人数 :1人 

  • 2021年度

    種別:学部(専攻科Aコース)卒業論文指導

    指導人数 :1人 

    卒業/修了/学位取得人数 :1人 

  • 2021年度

    種別:修士(専攻科Bコース)学位論文指導

    指導人数 :1人 

    卒業/修了/学位取得人数 :0人 

  • 2020年度

    種別:学部(専攻科Aコース)卒業論文指導

    指導人数 :1人 

    卒業/修了/学位取得人数 :1人 

  • 2020年度

    種別:修士(専攻科Bコース)学位論文指導

    指導人数 :2人 

    卒業/修了/学位取得人数 :2人 

  • 2019年度

    種別:学部(専攻科Aコース)卒業論文指導

    指導人数 :1人 

    卒業/修了/学位取得人数 :1人 

  • 2019年度

    種別:修士(専攻科Bコース)学位論文指導

    指導人数 :3人 

    卒業/修了/学位取得人数 :1人 

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修士・博士論文審査

  • 2023年度

    主査副査分類:副査

    修士 :3人 

  • 2023年度

    主査副査分類:主査

    修士 :1人 

  • 2022年度

    主査副査分類:副査

    修士 :2人 

  • 2022年度

    主査副査分類:主査

    修士 :1人 

  • 2021年度

    主査副査分類:副査

    修士 :2人 

社会貢献活動

  • 薄膜結晶の作製と応用

    役割:講師

    2023年度高専生向け実習プログラム  オンライン  2023年8月

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    対象: 高校生

  • リフレッシュ理科教室

    役割:運営参加・支援

    応用物理学会東海支部  リフレッシュ理科教室  2023年8月

  • 高効率BaSi2太陽電池のデバイス構造設計

    2022年度やまなし産学官連携事業  オンライン  2022年10月

  • 計算材料スクリーニングによる効率的な太陽電池設計法

    役割:情報提供

    イノベーション・ジャパン2022  オンライン  2022年10月

  • 薄膜結晶の作製と応用

    役割:講師

    2022年度高専生向けオンラインセミナー  オンライン  2022年8月

     詳細を見る

    対象: 高校生

  • 太陽電池のしくみ―脱炭素社会へのキーテクノロジー―

    役割:講師

    公開授業  山梨大学  2022年8月

  • 太陽電池の高効率化を支える材料研究

    役割:講師

    山梨県立甲府昭和高等学校  出前講義  山梨県立甲府昭和高等学校  2020年8月 - 現在

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    対象: 高校生

    種別:出前授業

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所属学協会

  • 日本太陽光発電学会

    2020年10月 - 現在

  • 粉体粉末冶金協会

    1900年 - 2018年3月

  • 日本金属学会

  • Materials Research Society

  • 応用物理学会

委員歴

  • SSDM2024   論文委員  

    2024年1月 - 2024年12月   

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    団体区分:学協会

  • 第35回太陽光発電国際会議組織委員会   運営委員会委員、渉外委員会委員  

    2023年5月 - 2025年3月   

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    団体区分:学協会

  • SSDM2023   論文委員  

    2023年1月 - 2023年12月   

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    団体区分:学協会

  • シリサイド系半導体と関連物質研究会   会計担当幹事  

    2022年1月 - 現在   

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    団体区分:その他

  • 第33回太陽光発電国際会議組織委員会   総務委員会 委員  

    2021年4月 - 2023年3月   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会東海地区若手チャプター   コアメンバー  

    2021年1月 - 現在   

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    団体区分:学協会

  • 応用物理学会東海地区若手チャプター   副代表  

    2018年3月 - 2020年12月   

  • シリサイド系半導体と関連物質研究会   企画担当幹事  

    2016年3月 - 現在   

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    団体区分:その他

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