2024/06/30 更新

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オノジマ　ノリオ
小野島　紀夫
Onojima Norio
所属
大学院　総合研究部　工学域 電気電子情報工学系（電気電子工学） 准教授
職名
准教授
連絡先
メールアドレス

経歴

  • 山梨大学 准教授

    2011年11月 - 現在

  • 山梨大学 助教

    2009年4月 - 現在

  • 情報通信研究機構 専攻研究員

    2005年6月 - 現在

  • Virginia Commonwealth University 博士研究員

    2004年6月 - 現在

  • 京都大学 博士研究員

    2004年4月 - 現在

学歴

  • 京都大学

    - 2004年3月

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    国名： 日本国

    備考： (事項) 京都大学大学院 工学研究科 電子物性工学専攻 博士後期課程修了

  • 京都大学

    - 2001年3月

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    国名： 日本国

    備考： (事項) 京都大学大学院 工学研究科 電子物性工学専攻 修士課程修了

  • 京都大学

    - 1999年3月

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    国名： 日本国

    備考： (事項) 京都大学 工学部 電気電子工学科 卒業

学位

  • 博士（工学） （ 2004年3月   京都大学 ）

研究分野

  • ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器

研究キーワード

  • 応用物性・結晶工学　電子デバイス　有機半導体

研究テーマ

  • 有機トランジスタ・有機太陽電池の研究開発

共同研究・競争的資金等の研究

  • 非接触デバイスに向けた有機不揮発性メモリの開発

    2022年4月 - 2024年3月

    日本学術振興会  科学研究費補助金  基盤研究(C)

    小野島　紀夫

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    担当区分：研究代表者  資金の種類：科学研究費補助金

    本研究は、環境にやさしいグリーンプリンテッドエレクトロニクスの構築を目的とする。具体的には、低環境負荷なグリーン溶媒を用いて作製した低分子/ポリマーブレンド溶液を印刷技術の一つである静電スプレー堆積法により堆積し、さらに、親撥処理により低分子半導体結晶のπスタック方向を制御して高性能トランジスタの作製を行う。さらに本課題では、特性評価を行うための研究室レベルの素子作製ではなく、グリーンプリンテッドエレクトロニクスの実用化を見据えた素子作製プロセスを開発する。そのために、ポリマーの化学的性質を利用して革新的な有機半導体技術を開拓する。

  • ポリマーを用いた環境調和型プリンテッドエレクトロニクスの構築

    2019年4月 - 2022年3月

    日本学術振興会  科学研究費補助金  基盤研究(C)

    小野島　紀夫

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    担当区分：研究代表者  資金の種類：科学研究費補助金

    本研究は、環境にやさしいグリーンプリンテッドエレクトロニクスの構築を目的とする。具体的には、低環境負荷なグリーン溶媒を用いて作製した低分子/ポリマーブレンド溶液を印刷技術の一つである静電スプレー堆積法により堆積し、さらに、親撥処理により低分子半導体結晶のπスタック方向を制御して高性能トランジスタの作製を行う。さらに本課題では、特性評価を行うための研究室レベルの素子作製ではなく、グリーンプリンテッドエレクトロニクスの実用化を見据えた素子作製プロセスを開発する。そのために、ポリマーの化学的性質を利用して革新的な有機半導体技術を開拓する。

  • 低環境負荷溶媒を用いた大面積有機結晶の形成と 高性能有機トランジスタへの応用

    2018年10月 - 2019年9月

    公益財団法人マツダ財団  マツダ研究助成  マツダ研究助成

    小野島　紀夫

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    担当区分：研究代表者  資金の種類：奨学寄附金

    本研究では，様々なアプリケーションの有機電子回路やIoTセンサデバイスの印刷製造に重要な，低環境負荷溶媒を用いて，高速(ハイスループット)に有機トランジスタを作製できることを明白にする．これにより，プリンテッド有機エレクトロニクスの発展に大きく寄与することが期待される．

  • 有機エピタキシーによりπスタック方向を制御した高移動度トランジスタ

    2016年4月 - 2019年3月

    日本学術振興会  科学研究費補助金  基盤研究(C)

    小野島　紀夫

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    担当区分：研究代表者  資金の種類：科学研究費補助金

  • 表面制御したテンプレート上への静電スプレー堆積法による有機エピタキシー

    2014年7月 - 2015年6月

    村田学術振興財団  研究助成  研究助成

    小野島　紀夫

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    担当区分：研究代表者  資金の種類：奨学寄附金

  • 高結晶性有機薄膜の静電スプレー成膜と高速動作可能な有機トランジスタの作製

    2012年4月 - 2014年3月

    日本学術振興会  科学研究費補助金  若手研究(B)

    小野島　紀夫

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    担当区分：研究代表者  資金の種類：科学研究費補助金

▼全件表示

論文

  • Preparation of wettability-controlled surface by electrostatic spray deposition to improve performance uniformity of small molecule/polymer blend organic field-effect transistors 査読 重要な業績

    Norio Onojima, Masaki Kobayashi, Naoki Koremura, Kairi Shigemori, Ryousei Matumoto, Xu Jin, Rei Mizoguchi

    ORGANIC ELECTRONICS   122   106899-1 - 106899-7   2023年8月( ISSN：1566-1199 )

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Anisotropic etching by electrospray for reduction in parasitic resistance of organic field-effect transistors 査読 重要な業績

    ORGANIC ELECTRONICS   112   106673-1 - 106673-8   2022年11月( ISSN：1566-1199 )

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.1016/j.orgel.2022.106673

  • Influence of ambient condition on off-state current of polymer-blend transistors based on 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene with deposition of molybdenum trioxide 査読 重要な業績

    Rei Mizoguchi, Naoki Akiyama, Sayaka Hiruta, Masaki Kobayashi, Masahiro Kashiwazaki, and Norio Onojima

    Japanese Journal of Applied Physics   61   SE1015-1 - SE1015-6   2022年4月( ISSN：1347-4065 )

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

    DOI： 10.35848/1347-4065/ac5fba

  • Flexible organic field-effect transistors based on 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene/polystyrene blend film prepared by electrostatic spray deposition 査読 重要な業績

    Norio Onojima, Yuki Mori, Takumi Ozawa, Takuya Sugai, Naoki Akiyama, and Shunsuke Obata

    Japanese Journal of Applied Physics   59 ( SDDA13 )   SDDA13-1 - SDDA13-6   2020年1月

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Small molecule/polymer blends prepared by environmentally-friendly process for mechanically-stable flexible organic field-effect transistors 査読 重要な業績

    Norio Onojima, Naoki Akiyama, Yuki Mori, Takuya Sugai, Shunsuke Obata

    ORGANIC ELECTRONICS   78 ( 105597 )   1 - 8   2019年12月( ISSN：1566-1199 )

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    担当区分：筆頭著者,　責任著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Environmentally-friendly fabrication of organic field-effect transistors based on small molecule/polymer blend prepared by electrostatic spray deposition 査読 重要な業績

    Syunsuke Obata, Yuta Miyazawa, Jyunji Yamanaka, and Norio Onojima

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   58   SBBG02-1 - SBBG02-6   2019年1月( ISSN：0021-4922 )

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Sharp phase-separated interface of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene/polystyrene blend films prepared by electrostatic spray deposition 査読 重要な業績

    Norio Onojima, Takumi Ozawa, Takuya Sugai, Shunsuke Obata, Yuta Miyazawa, Junji Yamanaka

    ORGANIC ELECTRONICS   66   206 - 210   2018年12月( ISSN：1566-1199 )

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Raman study of bulk- heterojunction morphology in photovoltaic layers treated with solvent-vapor annealing 査読 重要な業績

    N. Onojima, Y. Ishima, D. Izumi, and K. Takahashi

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57   03EG01-1 - 03EG01-4   2017年12月( ISSN：0021-4922 )

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Influence of phase- separated morphology on small molecule/polymer blend organic field-effect transistors fabricated using electrostatic spray deposition 査読 重要な業績

    N. Onojima, S. Obata, A. Nakamura, and K. Hara

    THIN SOLID FILMS   640   99 - 103   2017年9月( ISSN：0040-6090 )

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Vertical phase separation of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene/poly(methyl methacrylate) blends prepared by electrostatic spray deposition for organic field-effect transistors 査読 重要な業績

    N. Onojima, K. Hara, and A. Nakamura

    JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   56   05EB03-1 - 05EB03-4   2017年4月( ISSN：0021-4922 )

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effects of solvent-vapor annealing on bulk-heterojunction morphology of photoactive layers prepared by electrostatic spray deposition 査読 重要な業績

    N. Onojima, Y. Ishima, and K. Takahashi

    THIN SOLID FILMS   615   385 - 390   2016年7月( ISSN：0040-6090 )

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Aligned growth of TIPS pentacene crystalline domains adhered to Au stripes formed on SiO2 surfaces 査読 重要な業績

    N. Onojima, A. Nakamura, H. Saito, and N. Daicho

    Journal of Crystal Growth   432   146 - 151   2015年10月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Organic field-effect transistors based on single-crystalline active layer and top-gate insulator consistently fabricated by electrostatic spray deposition 査読 重要な業績

    N. Onojima, S. Takahashi, and H. Saito

    Organic Electronics   24   165 - 169   2015年5月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Angle-Dependent Polarized Raman Spectroscopy of TIPS Pentacene Single-Crystalline Domains Deposited on Au-Striped Substrates 査読

    N. Onojima, A. Nakamura, H. Saito, and N. Daicho

    Material Research Society Symposium Proceedings   1799   1 - 6   2015年

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Pentacene-based organic field-effect transistors with poly(methylmethacrylate)top-gate insulators fabricated by electrostatic spray deposition 査読 重要な業績

    N. Onojima, S. Takahashi, and T. Kato

    Synthetic Metals   177   72 - 76   2013年7月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Bottom-contact organic field-effect transistors based on single-crystalline domains of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl) pentacene prepared by electrostatic spray deposition 査読 重要な業績

    N. Onojima, H. Saito, and T. Kato

    Organic Electronics   14 ( 10 )   2406 - 2410   2013年6月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Fabrication of 6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl) Pentacene Films by Electrostatic Spray Deposition for Bottom-Contact Organic Field-Effect Transistors 査読 重要な業績

    N. Onojima, N. Nishio, and T. Kato

    Japanese Journal of Applied Physics   52 ( 5S1 )   05DB06-1 - 05DB06-4   2013年5月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Electrostatic Spray Deposition of Highly-Crystalline TIPS Pentacene Thin Films for Fabrication of Organic Field-Effect Transistors 査読

    N. Onojima, H. Saito, N. Nishio, and T. Kato

    Material Research Society Symposium Proceedings   1501   p09-34   2013年

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • 55 nm Gate Ion-Implanted GaN HEMTs on Sapphire and Si Substrates 査読

    H. Katayose, M. Ohta, K. Nomoto, N. Onojima, and T. Nakamura

    physica status solidi (c)   8 ( 7-8 )   2410 - 2412   2011年7月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Growth of γ-In2Se3 Thin Films by Electrostatic Spray Pyrolysis Deposition 査読

    T. Kato, T. Hiramatsu, and N. Onojima

    Japanese Journal of Applied Physics   50 ( 5S2 )   05FB11-1 - 05FB11-2   2011年5月

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    担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effect of molecular orientation on carrier transport in organic field-effect transistors based on newly synthesized liquid crystalline compounds 査読 重要な業績

    N. Onojima, I. Shintani, S. Kitahara, T. Takahashi, T. Kato, and Y. Haramoto

    physica status solidi (c)   8 ( 2 )   607 - 609   2010年11月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Organic field-effect transistors using liquid crystalline compound synthesized to enhance carrier-transport ability 査読 重要な業績

    N. Onojima, I. Shintani, S. Kitahara, T. Takahashi, T. Kato, and Y. Haramoto

    Synthetic Metals   160 ( 13-14 )   1474 - 1478   2010年6月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • High Off-state Breakdown Voltage 60-nm-Long-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with AlGaN Back-Barrier 査読 重要な業績

    N. Onojima, N. Hirose, T. Mimura, and T. Matsui

    Japanese Journal of Applied Physics   48 ( 9R )   094502-1 - 094502-3   2009年9月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Enhancement in Electrical Properties of GaN Heterostructure Field-Effect Transistor by Si Atom Deposition on AlGaN Barrier Surface 査読 重要な業績

    N. Onojima, N. Hirose, T. Mimura, and T. Matsui

    physica status solidi (c)   6 ( S2 )   S984 - S987   2009年2月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Ultrathin AlN/GaN heterostructure field-effect transistors with deposition of Si atoms on AlN barrier surface 査読 重要な業績

    N. Onojima,N. Hirose,T. Mimura,T. Matsui

    Applied Physics Letters   93 ( 22 )   223501-1 - 223501-3   2008年12月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • C-V characterization of Schottky- and MIS-gate SiGe/Si HEMT structures 査読 重要な業績

    N. Onojima,A. Kasamatsu,N. Hirose,T. Mimura,T. Matsui

    Applied Surface Science   254   6162 - 6164   2008年7月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Sub-100 nm Gate-Length SiGe/Si MIS-HFET Using Cat-CVD SiN 査読 重要な業績

    N. Onojima,A. Kasamatsu,N. Hirose,T. Mimura,T. Matsui

    physica status solidi (c)   5 ( 9 )   3150 - 3152   2008年7月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effects of Si Deposition on AlGaN Barrier Surface in GaN Heterostructure Field-Effect Transistors 査読 重要な業績

    N. Onojima,N. Hirose,T. Mimura,T. Matsui

    Applied Physics Express   1 ( 7 )   071101-1 - 071101-3   2008年6月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究 査読

    小野島紀夫, 笠松章史, 広瀬信光, 三村高志,松井敏明

    信学技報   107 ( 355 ED2007-187 )   1 - 5   2007年11月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

  • XPS study of surface potential in AlGaN/GaN heterostructure with Cat-CVD SiN passivation 査読 重要な業績

    N. Onojima, M. Higashiwaki, T. Mimura, T. Matsui, J. Suda, and T. Kimoto

    physica status solidi (c)   4 ( 7 )   2354 - 2357   2007年6月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Reduction in potential barrier height of AlGaN/GaN heterostructures by SiN passivation 査読 重要な業績

    N. Onojima, M. Higashiwaki, J. suda, T. Kimoto, T. Mimura, and T. Matsui

    Journal of Applied Physics   101 ( 4 )   043703-1 - 043703-6   2007年2月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価 査読

    小野島紀夫, 東脇正高, 須田淳, 木本恒暢, 三村高志,松井敏明

    信学技報   106 ( 269 ED2006-158 )   35 - 38   2006年10月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）  

  • Effects of SiN passivation by catalytic chemical vapor deposition on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors 査読

    M. Higashiwaki, N. Onojima, T. Matsui, and T. Mimura

    Journal of Applied Physics   100 ( 3 )   033714-1 - 033714-6   2006年8月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effect of hydrostatic pressure on the current-voltage characteristics of GaN/AlGaN/GaN heterostructure devices 査読

    Y. Liu, M. Z. Kauser, D. D. Schroepfer, P. P. Ruden, J. Xie, Y. –T. Moon, N. Onojima, H. Morkoç, and K. –A. Son

    Journal of Applid Physics   99 ( 11 )   113706-1 - 113706-5   2006年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • High fT and fmax AlGaN/GaN HFETs achieved by using thin and high-Al-Composition AlGaN Barrier layers and Cat-CVD SiN passivation 査読

    M. Higashiwaki, N. Onojima, T. Matsui, and T. Mimura

    physica status solidi (a)   203 ( 7 )   1851 - 1855   2006年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Fabrication and current-voltage characterization of a ferroelectric lead-zirconate titanate/AlGaN/GaN field effect transistor 査読

    Y. –S. Kang, Q. Fan, B. Xiao, Y. I. Alivov, J. Xie, N. Onojima, S. –J. Cho, Y. –T. Moon, H. Lee, D. Johnstone, and H. Morkoç

    Applied Physics Letters   88 ( 12 )   123508-1 - 123508-3   2006年3月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • High efficiency n-ZnO/p-SiC heterostructure photodiodes grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 査読

    Y. I. Alivov, Ü. Özgür, S. Doğan, D. Johnstone, V. Avrutin, N. Onojima, C. Liu, J. Xie, Q. Fan, and H. Morkoç

    Superlattices and Microstructures   38 ( 4-6 )   439 - 445   2005年10月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Photoresponse of ZnO/p-SiC hetero-junction diodes grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 査読

    Y. I. Alivov, Ü. Özgür, S. Doğan, D. Johnstone, V. Avrutin, N. Onojima, C. Liu, J. Xie, Q. Fan, and H. Morkoç

    Applied Physics Letters   86 ( 24 )   241108-1 - 241108-3   2005年6月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Molecular-beam epitaxy of AlN on off-oriented SiC and demonstration of MISFET using AlN/SiC interface 査読 重要な業績

    N. Onojima,J. Kaido,J. Suda,T. Kimoto

    physica status solidi (c)   2 ( 7 )   2643 - 2646   2005年5月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Towards High-Quality AlN/SiC Hetero-Interface by Controlling Initial Processes in Molecular-Beam Epitaxy 査読 重要な業績

    N. Onojima,J. Kaido,J. Suda,T. Kimoto,H. Matsunami

    Material Science Forum   457-460   1569 - 1572   2004年6月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Either Step-Flow or Layer-by-Layer Growth for AlN on SiC (0001) Substrates 査読

    J. Suda, N. Onojima, T. Kimoto and H. Matsunami

    Material Research Society Symposium Proceedings   798   Y3.4   2004年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Growth of high-quality non-polar AlN on 4H-SiC (11-20) substrate by molecular-beam epitaxy 査読 重要な業績

    N. Onojima,J. Suda,T. Kimoto,H. Matsunami

    physica status solidi (c)   0 ( 7 )   2502 - 2505   2003年12月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • 4H-polytype AlN grown on 4H-SiC (11-20) substrate by polytype replication 査読 重要な業績

    N. Onojima,J. Suda,T. Kimoto,H. Matsunami

    Applied Physics Letters   83 ( 25 )   5208 - 5210   2003年12月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Impact of SiC surface control on initial growth mode and crystalline quality of AlN grown by molecular-beam epitaxy 査読 重要な業績

    N. Onojima,J. Suda,T. Kimoto,H. Matsunami

    physica status solidi (c)   0 ( 7 )   2529 - 2532   2003年12月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • High-Quality AlN by Initial Layer-by-Layer Growth on Surface-Controlled 4H-SiC (0001) 査読 重要な業績

    N. Onojima,J. Suda,H. Matsunami

    Japanese Journal of Applied Physics   42 ( 5A )   L445 - L447   2003年5月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Lattice Relaxation of AlN Buffer on surface-Treated SiC in Molecular-Beam Epitaxy for Growth of High-Quality GaN 査読

    J. Suda, K. Miura, M. Honaga, Y. Nishi, N. Onojima, and H. Matsunami

    Material Research Society Symposium Proceedings   743   L4.6   2003年

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Epitaxial Growth of AlN on 6H-SiC (11-20) by Molecular-Beam Epitaxy and Effect of Low-Temperature Buffer Layer 査読

    N. Onojima, J. suda, and H. Matsunami

    Material Research Society Symposium Proceedings   743   L3.21   2003年

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Growth of AlN (11-20) on 6H-SiC (11-20) by Molecular-Beam Epitaxy 査読 重要な業績

    N. Onojima,J. Suda,H. Matsunami

    Japanese Journal of Applied Physics   41 ( 12A )   L1348 - L1350   2002年12月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Effect of 6H-SiC surface reconstruction on lattice relaxation of AlN buffer layers in molecular-beam epitaxial growth of GaN 査読

    J. Suda, K. Miura, M. Honaga, Y. Nishi, N. Onojima, and H. Matsunami

    Applied Physics Letters   81 ( 27 )   5141 - 5143   2002年12月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Lattice relaxation process of AlN growth on atomically flat 6H-SiC substrate in molecular beam epitaxy 査読 重要な業績

    N. Onojima,J. Suda,H. Matsunami

    Journal of Crystal Growth   237-239   1012 - 1016   2002年4月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Heteroepitaxial Growth of Insulating AlN on 6H-SiC by MBE 査読 重要な業績

    N. Onojima,J. Suda,H. Matsunami

    Material Science Forum   389-393   1457 - 1460   2002年4月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）  

  • Molecular-beam epitaxial growth of insulating AlN on surface-controlled 6H-SiC substrate by HCl gas etching 査読 重要な業績

    N. Onojima,J. Suda,H. Matsunami

    Applied Physics Letters   80 ( 1 )   76 - 78   2002年1月

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    担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

  • Surface Morphological Structures of 4H-, 6H-, and 15R-SiC(0001) Epitaxial Layers Grown by Chemical Vapor Deposition 査読

    T. Kimoto, Z. Y. Chen, S. Tamura, S. Nakamura, N. Onojima, and H. Matsunami

    Japanese Journal of Applied Physics   40 ( 5A )   3315 - 3319   2001年5月

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    記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

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講演・口頭発表等

  • 静電スプレー法を用いてバルクヘテロ活性層を作製した有機太陽電池の膜構造評価

    遠藤 大貴，守谷 颯人，小野島 紀夫

    第71回応用物理学会春季学術講演会  2024年3月  応用物理学会

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    開催年月日： 2024年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：東京都市大学 世田谷キャンパス＆オンライン   国名：日本国  

  • Ph-BTBT-10/PMMAブレンド堆積における結晶成長制御

    小野島紀夫，小林雅季，惟村直樹，重森海里，松本崚誠，徐晋，親松謙臣，山中淳二

    第52回結晶成長国内会議  2023年12月  日本結晶成長学会

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    開催年月日： 2023年12月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：ウインクあいち   国名：日本国  

  • 静電スプレー堆積を用いた有機太陽電池の活性層成膜における 溶液供給法の影響

    遠藤 大貴，守谷 颯人，小野島 紀夫

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月  応用物理学会

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：熊本城ホールほか3会場   国名：日本国  

  • 非貴金属トップコンタク電極の形成におけるMoO3堆積の効果

    ○惟村 直輝, 溝口 嶺, 徐 晋，小野島 紀夫

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月  応用物理学会

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：熊本城ホールほか3会場   国名：日本国  

  • 低環境負荷溶媒を用いた静電スプレー堆積法による 有機強誘電体トランジスタの作製

    重森 海里，小林 雅季，佐野 哲平, 小野島 紀夫

    第84回応用物理学会秋季学術講演会  2023年9月  応用物理学会

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    開催年月日： 2023年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：熊本城ホールほか3会場   国名：日本国  

  • MoO3の堆積を用いた非貴金属トップコンタクト電極の形成

    溝口 嶺，小林 雅季，惟村 直輝，重森 海里，松本 崚誠，徐 晋，小野島 紀夫

    第70回応用物理学会春季学術講演会  2023年3月  応用物理学会

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    開催年月日： 2023年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：上智大学四谷キャンパス  

  • PMMA保護膜の堆積による有機太陽電池への影響

    北河 大樹，西田 翔，遠藤 大貴，井脇 悠太 ，小野島 紀夫

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月  応用物理学会

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：東北大学川内北キャンパス  

  • 静電スプレー堆積法を用いた親撥パタニングによる有機半導体結晶のオンデマド形成

    小林 雅季，金子 蒼，蛭田 紗佳，溝口 嶺，松本 崚誠，小野島 紀夫

    第83回応用物理学会秋季学術講演会  2022年9月  応用物理学会

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    開催年月日： 2022年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：東北大学川内北キャンパス  

  • 2液供給型静電スプレー堆積法を用いて作製したPMMA/TIPS pentaceneブレンド膜の逆垂直相分離

    石 仕駿，金子 蒼，重森 海里，佐野 哲平，小野島 紀夫

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日： 2022年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：青山学院大学　相模原キャンパス  

  • 三酸化モリブデンの堆積によるOFETのオフ電流増加

    溝口 嶺，秋山 直輝，蛭田 紗佳，小林 雅季，柏崎 正篤，小野島 紀夫

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月 

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    開催年月日： 2022年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：青山学院大学　相模原キャンパス  

  • エレクトロクロミックポリマーを用いた抵抗変化型メモリの作製

    佐野 哲平，金子 蒼，石 仕駿，重森 海里，小野島 紀夫

    第69回応用物理学会春季学術講演会  2022年3月  応用物理学会

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    開催年月日： 2022年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：青山学院大学　相模原キャンパス  

  • MoO3堆積によるTIPS pentacene/PMMAブレンドOFETのオフ電流の増加 国際会議

    溝口 例, 秋山 直輝, 蛭田 紗佳, 小林　雅季, 柏崎　正篤, 小野島 紀夫

    第11回フレキシブルプリンテッドエレクトロニクス国際会議  2021年9月 

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    開催年月日： 2021年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：オンライン  

  • 静電スプレー堆積法を用いたバルクヘテロ型光電変換層の作製における成膜条件の影響

    西田 翔，伊橋 泰誠，北河 大樹，遠藤 大貴，小野島 紀夫

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月  応用物理学会

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    開催年月日： 2021年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：オンライン  

  • 静電スプレー法による有機半導体のエッチングプロセスの検討

    蛭田 紗佳，小林 雅季，溝口 嶺，柏崎 正篤，小野島 紀夫

    第82回応用物理学会秋季学術講演会  2021年9月  応用物理学会

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    開催年月日： 2021年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：オンライン  

  • TIPS pentacene/PMMA ブレンド OFET の両極性動作

    石 仕駿，秋山 直輝，金子 蒼，小野島 紀夫

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月  応用物理学会

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    開催年月日： 2021年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：オンライン(Zoom)  

  • 2 液供給型静電スプレー堆積法を用いた逆型有機太陽電池の作製

    伊橋 泰誠、北河 大樹、西田 翔、小野島 紀夫

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月  応用物理学会

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    開催年月日： 2021年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：オンライン(Zoom)  

  • Ph-BTBT-10 を用いたポリマーブレンド OFET の作製

    金子 蒼，秋山 直輝，石 仕駿，小野島 紀夫

    第68回応用物理学会春季学術講演会  2021年3月  応用物理学会

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    開催年月日： 2021年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：オンライン(Zoom)  

  • 低環境負荷プロセスを用いた低分子/ポリマーブレンドOFETにおける成膜条件の影響 重要な業績

    秋山 直輝、蛭田 紗佳、小野島 紀夫

    第67回応用物理学会春季学術講演会  2020年3月  応用物理学会

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    開催年月日： 2020年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：上智大学、東京都  

  • TIPS pentacene/PMMAブレンド相分離界面の移動度評価 重要な業績

    秋山直輝，小幡俊輔，蛭田紗佳，小野島紀夫

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月  応用物理学会

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    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：北海道大学  

  • ロール・ツー・ロール方式によるGZO透明導電膜のプラズマ支援堆積 (2)

    村中 司，土屋雄平，青木泰雅 ，小野島紀夫，鍋谷暢一，松本 俊，平木 哲，木島一広, 阿部 治, 河野 裕, 萩原 茂

    第80回応用物理学会秋季学術講演会  2019年9月  応用物理学会

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    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：北海道大学  

  • Roll-to-toll Growth of Ga-doped ZnO Transparent Conducting Films by Using Plasma-assisted Molecular Beam Deposition 国際会議

    T. Muranaka1 Y. Tsuchiya, T. Aoki, N. Onojima, T. Matsumoto, S. Hiraki, H. Kono, K. Kijima, S. Hagihara

    2019 International Conference on Solid State Devices and Materials  2019年9月  応用物理学会

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    開催年月日： 2019年9月

    記述言語：英語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：名古屋大学、愛知県  

  • Flexible OFETs based on TIPS pentacene/PS blends prepared by ESD 国際会議 重要な業績

    Norio Onojima, Yuki Mori, Takumi Ozawa, Takuya Sugai, Naoki Akiyama, and Shunsuke Obata

    10th International Conference on Molecular Electronics & BioElectronics  2019年6月  応用物理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会

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    開催年月日： 2019年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：春日野国際フォーラム、奈良県  

  • 静電スプレー堆積法による親撥処理した基板上への低分子/ポリマーブレンドの成膜 重要な業績

    須貝 拓弥、小澤 巧実、小幡 俊輔、秋山 直輝、森 悠記、小野島 紀夫

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月  応用物理学会

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    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：東京都目黒区東京工業大学大岡山キャンパス  

  • 低環境負荷溶媒を用いた静電スプレー堆積法によるポリマーブレンドOFETの作製 重要な業績

    小幡 俊輔、須貝 拓弥、秋山 直輝、森 悠記、小野島 紀夫

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月  応用物理学会

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    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：東京都目黒区東京工業大学大岡山キャンパス  

  • ポリマーブレンド溶液を用いた静電スプレー堆積法によるフレキシブルOFETの作製 重要な業績

    森 悠記、小幡 俊輔、小澤 巧実、須貝 拓弥、小野島 紀夫

    第66回応用物理学会春季学術講演会  2019年3月  応用物理学会

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    開催年月日： 2019年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：東京都目黒区東京工業大学大岡山キャンパス  

  • Environmentally-friendly fabrication of TIPS pentacene/PMMA blend OFET by ESD method 国際会議 重要な業績

    Syunsuke Obata, Yuta Miyazawa, Jyunji Yamanaka and Norio Onojima

    The 50th International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  2018年9月 

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    開催年月日： 2018年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：東京都文京区東京大学本郷キャンパス  

  • Preparation of TIPS pentacene/PS blend films by electrostatic spray deposition for organic field-effect transistors 国際会議 重要な業績

    Norio Onojima, Takumi Ozawa, Takuya Sugai, and Shunsuke Obata

    10th International Symposium on Organic Molecular Electronics  2018年5月  ISOME2018組織委員会

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    開催年月日： 2018年5月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：佐賀県サンメッセ鳥栖  

  • 静電スプレー堆積法を用いた低分子半導体/ポリマーブレンドOFETの作製 重要な業績

    小澤 巧実、小幡 俊輔、小野島 紀夫

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日： 2018年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：早稲田大学  

  • ESD法を用いて作製された平坦な相分離界面を有する低分子/ポリマーブレンドOFET 重要な業績

    小幡 俊輔、原 和寛、小野島 紀夫

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日： 2018年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：早稲田大学  

  • ロール・ツー・ロール方式によるGZO透明導電膜のプラズマ支援堆積

    村中 司、土屋 雄平、榊原 守章、小野島 紀夫、鍋谷 暢一、松本 俊、平木 哲、河野 裕、木島 一広、吉村 千秋、萩原 茂

    第65回応用物理学会春季学術講演会  2018年3月 

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    開催年月日： 2018年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：早稲田大学  

  • ESD法を用いて作製した低分子/ポリマーブレンドOFETにおける相分離界面の影響 重要な業績

    小幡 俊輔、原 和寛、安田 奈央、小野島 紀夫

    第78回応用物理学会秋季学術講演会  2017年9月 

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    開催年月日： 2017年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

    開催地：福岡国際会議場  

  • Study by Raman spectroscopy of P3HT:PCBM bulk-heterojunction morphology 国際会議 重要な業績

    Norio Onojima, Yasuhisa Ishima, and Kazuyuki Takahashi

    9th International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE9)  2017年6月 

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    開催年月日： 2017年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

    開催地：石川音楽堂およびANAクラウンプラザ金沢  

  • ラマン分光によるP3HT:PCBMバルクヘテロ接合のモフォロジー評価

    小野島紀夫，石間康久，高橋和志

    薄膜材料デバイス研究会第13回研究集会  2016年10月 

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    開催年月日： 2016年10月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • Vertical Phase Separation of TIPS Pentacene/PMMA Blends Prepared by Electrostatic Spray Deposition for Organic Field-Effect Transistors 国際会議

    N. Onojima, K. Hara, and A. Nakamura

    International Conference on Flexible and Printed Electronics (ICFPE2016)  2016年9月 

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    開催年月日： 2016年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • TIPS pentacene/PMMAブレンド溶液を用いた静電スプレー堆積法による有機トランジスタの作製

    原和寛，小野島紀夫

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

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    開催年月日： 2016年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • 静電スプレー堆積法で作製したP3HT:PCBMバルクヘテロ接合太陽電池に与える溶媒蒸気アニールの効果

    石間康久，高橋和志，小野島紀夫

    2016年第63回応用物理学会春季学術講演会  2016年3月 

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    開催年月日： 2016年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • Angle-Dependent Polarized Raman Spectroscopy of TIPS Pentacene Single-Crystalline Domains on Au-Striped Substrates 国際会議

    N. Onojima, A. Nakamura, H. Saito, and N. Daicho

    Material Research Society Spring Meeting  2015年4月 

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    開催年月日： 2015年4月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • 静電スプレー堆積法による P3HT/PCBM 相互貫入型構造の作製

    石間康久、高橋和志、小野島紀夫

    2015年第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

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    開催年月日： 2015年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • Au ストライプ構造上 TIPS pentacene 単結晶ドメインの分子配向評価

    大長規浩 、中村綾斗、小野島 紀夫

    2015年第62回応用物理学会春季学術講演会  2015年3月 

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    開催年月日： 2015年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • 静電スプレー堆積法による有機トランジスタの作製 招待

    小野島紀夫

    平成26年度理研シンポジウム「有機エレクトロニクスの実用化に向けた次世代製造技術」  2014年12月 

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    開催年月日： 2014年12月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（招待・特別）  

  • 静電スプレー堆積法を用いた金ストライプ構造上TIPS pentaceneの優先的結晶成長

    大長規浩，中村綾斗，齋藤弘樹，小野島紀夫

    薄膜材料デバイス研究会第11回研究集会  2014年10月 

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    開催年月日： 2014年10月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • 静電スプレー堆積法で作製した有機トランジスタにおける保護膜堆積の影響

    齋藤弘樹，小野島紀夫

    薄膜材料デバイス研究会第11回研究集会  2014年10月 

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    開催年月日： 2014年10月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • 静電スプレー堆積法により作製したP3HT:PCBM構造への溶媒蒸気アニールの効果

    高橋和志，小野島紀夫

    薄膜材料デバイス研究会第11回研究集会  2014年10月 

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    開催年月日： 2014年10月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • 静電スプレー堆積法を用いて作製したトップゲート型有機トランジスタ

    小野島紀夫，齋藤弘樹，原和寛

    2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会  2014年9月 

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    開催年月日： 2014年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • 静電スプレー堆積法によるP3HT/PCBM光電変換層の構造制御

    高橋和志，小野島紀夫

    2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

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    開催年月日： 2013年9月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • Top-Gate/Bottom-Contact Organic Field-Effect Transistors Fabricated by Electrostatic Spray Deposition 国際会議

    N. Onojima, H. Saito, S. Takahashi, and T. Kato

    International Conference on Flexible and Printed Electronics (ICFPE2013)  2013年9月 

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    開催年月日： 2013年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • 静電スプレー堆積法を用いてトップゲート絶縁膜を作製したペンタセン電界効果トランジスタ

    小野島紀夫，高橋俊

    2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

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    開催年月日： 2013年9月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • 静電スプレー堆積法で作製したTIPSペンタセン単結晶ドメインを用いたボトムコンタクト型OFET

    齋藤弘樹，小野島紀夫

    2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

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    開催年月日： 2013年9月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • 静電スプレー堆積法によるTIPSペンタセン単結晶/ZnOハイブリッド光電変換層の作製

    大長規浩，小野島紀夫

    2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会  2013年9月 

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    開催年月日： 2013年9月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • Electrostatic Spray Deposition of Highly-Crystalline TIPS Pentacene Thin Films for Fabrication of Organic Field-Effect Transistors 国際会議

    Norio Onojima, Hiroki Saito, Naomichi Nishio and Takamasa Kato

    Material Research Society Fall Meeting  2012年11月 

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    開催年月日： 2012年11月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Fabrication of TIPS pentacene by electrostatic spray deposition for bottom-contact OFETs 国際会議

    Norio Onojima, Naomichi Nishio and Takamasa Kato

    International Conference on Flexible and Printed Electronics (ICFPE2012)  2012年9月 

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    開催年月日： 2012年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • 静電スプレー堆積法によるボトムコンタクト型TIPSペンタセン電界効果トランジ スタの作製

    小野島 紀夫, 西尾 直倫, 加藤 孝正

    2012年春季第59回応用物理学会学術講演会  2012年3月 

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    開催年月日： 2012年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • 静電スプレー堆積法によるTIPS-ペンタセンOFETの作製

    西尾 直倫, 小野島 紀夫, 加藤 孝正

    2011年薄膜材料デバイス研究会第8回研究集会  2011年11月 

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    開催年月日： 2011年11月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • トップコンタクト型ペンタセン電界効果トランジスタの電気的特性に与える電極形 成後アニールの効果

    小野島 紀夫, 都築 弘樹, 加藤 孝正

    2011年第72回秋季応用物理学会学術講演会  2011年9月 

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    開催年月日： 2011年9月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • 液晶性有機トランジスタの電気的特性に与える分子配向の効果

    小野島紀夫, 新谷依紀, 北原新一, 高橋努, 加藤孝正, 原本雄一郎

    2011年第58回春季応用物理学会学術講演会  2011年3月 

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    開催年月日： 2011年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • Effect of post metallization annealing in vacuum on contact properties of top-contact pentacene field-effect transistors 国際会議

    N. Onojima, K. Tsuzuki, and T. Kato

    Sixth International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE6)  2011年3月 

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    開催年月日： 2011年3月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • 微細T型ゲートイオン注入GaN-HEMTに関する研究

    片寄秀雄, 太田理奈雄, 野本一貴, 葛西武, 小野島紀夫, 中村徹

    2010年第71回秋季応用物理学会学術講演会  2010年9月 

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    開催年月日： 2010年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • 55 nm Gate Ion-Implanted GaN-HEMTs on Sapphire and Si Substrates 国際会議

    H. Katayose, M. Ohta, K. Nomoto, N. Onojima, and T. Nakamura

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)  2010年9月 

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    開催年月日： 2010年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Low-temperature preparation of ZnO films by electrostatic spray pyrolysis deposition for transparent conductive oxide 国際会議

    N. Onojima, S. Fukui, U. Horimoto, and T. Kato

    17th International Conference on Ternary and Multinary Compounds (ICTMC-17)  2010年9月 

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    開催年月日： 2010年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Growth of γ-In2Se3 thin films by electrostatic spray pyrolysis deposition 国際会議

    T. Kato, T. Hiramatsu, and N. Onojima

    17th International Conference on Ternary and Multinary Compounds (ICTMC-17)  2010年9月 

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    開催年月日： 2010年9月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Electrostatic Spray Pyrolysis Deposition of CuInS2 Thin Films 国際会議

    T. Kato, A. Nakanishi, and N. Onojima

    The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)  2010年8月 

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    開催年月日： 2010年8月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Observation of uniformly aligned and highly oriented pentacene grains on periodic grooved polymer surfaces 国際会議

    N. Onojima, S. Kitahara, and T. Kato

    The 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)  2010年8月 

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    開催年月日： 2010年8月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Effect of molecular orientation on carrier transport in organic field-effect transistors based on newly synthesized liquid crystalline compounds 国際会議

    N. Onojima, I. Shintani, S. Kitahara, T. Takahashi, T. Kato, and Y. Haramoto

    The 36th International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2010)  2010年5月 

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    開催年月日： 2010年5月

    記述言語：英語   会議種別：口頭（一般）  

  • 静電スプレー堆積法によるガラス基板上へのγ-In2Se3の成長

    平松寿隆, 中西哲, 小野島紀夫, 加藤孝正

    第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)  2009年11月 

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    開催年月日： 2009年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • SiO2上に作製したペンタセンFETにおけるPMMA界面中間層の影響

    北原新一, 小野島紀夫, 加藤孝正

    2009年薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会  2009年11月 

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    開催年月日： 2009年11月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • CuInS2薄膜の静電スプレー堆積法による成長

    中西哲, 平松寿隆, 小野島紀夫, 加藤孝正

    第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)  2009年11月 

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    開催年月日： 2009年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • Enhancement in Electrical Properties of GaN Heterostructure Field-Effect Transistor by Si Atom Deposition on AlGaN Barrier Surface 国際会議

    N. Onojima, N. Hirose, T. Mimura, and T. Matsui

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)  2008年10月 

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    開催年月日： 2008年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭（一般）  

  • Si表面制御層を有するAlN/GaN HFET

    小野島紀夫, 広瀬信光, 三村高志, 松井敏明

    2008年第69回秋季応用物理学会学術講演会  2008年9月 

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    開催年月日： 2008年9月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • Si堆積によるGaN系HFETの表面ポテンシャル変化

    小野島紀夫, 広瀬信光, 三村高志, 松井敏明

    2008年第69回秋季応用物理学会学術講演会  2008年9月 

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    開催年月日： 2008年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究

    小野島紀夫, 笠松章史, 広瀬信光, 三村高志, 松井敏明

    2007年電子情報通信学会 電子デバイス研究会 (ED)  2007年11月 

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    開催年月日： 2007年11月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • Sub-100 nm Gate-Length SiGe/Si MIS-HFET Using Cat-CVD SiN 国際会議

    N. Onojima, A. Kasamatsu, N. Hirose, T. Mimura, and T. Matsui

    The 34th International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2007)  2007年10月 

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    開催年月日： 2007年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭（一般）  

  • C-V Characterization of Schottky- and MIS-gate SiGe/Si HEMT Structures 国際会議

    N. Onojima, A. Kasamatsu, N. Hirose, T. Mimura, and T. Matsui

    Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interface (ISCSI-V)  2007年10月 

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    開催年月日： 2007年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭（一般）  

  • SchottkyおよびMISゲートSiGe/Si HEMTの高周波デバイス特性

    小野島紀夫, 笠松章史, 広瀬信光, 三村高志, 松井敏明

    2007年第68回秋季応用物理学会学術講演会  2007年9月 

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    開催年月日： 2007年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価

    小野島紀夫, 東脇正高, 須田淳, 木本恒暢, 三村高志, 松井敏明

    2006年電子情報通信学会 電子デバイス研究会 (ED)  2006年10月 

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    開催年月日： 2006年10月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • XPS Study of Surface Potential in AlGaN/GaN Heterostructure with Cat-CVD SiN Passivation 国際会議

    N. Onojima, M. Higashiwaki, T. Matsui, T. Mimura, J. Suda, and T. Kimoto

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006)  2006年10月 

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    開催年月日： 2006年10月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • GaN HFETの2DEG濃度におけるCat-CVDとPECVD SiNパッシベーション効果の比較

    小野島紀夫, 東脇正高, 三村高志, 松井敏明

    2006年第67回秋季応用物理学会学術講演会  2006年9月 

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    開催年月日： 2006年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • Cat-CVD SiN保護膜を有するGaN HFET構造における表面ポテンシャルのXPS測定

    小野島紀夫, 東脇正高, 須田淳, 木本恒暢, 三村高志, 松井敏明

    2006年第67回秋季応用物理学会学術講演会  2006年9月 

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    開催年月日： 2006年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • Substantial Advantages of Cat-CVD SiN Passivation over PECVD in Electrical Properties of AlGaN/GaN Heterostructure 国際会議

    N. Onojima, M. Higashiwaki, T. Matsui, and T. Mimura

    2006 Electronic Material Conference (EMC2006)  2006年6月 

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    開催年月日： 2006年6月

    記述言語：英語   会議種別：口頭（一般）  

  • Molecular-beam epitaxy of AlN on off-oriented SiC and demonstration of MISFET using AlN/SiC interface 国際会議

    N. Onojima, J. Kaido, J. Suda, and T. Kimoto

    International Workshop on Nitride Semiconductors 2004 (IWN2004)  2004年7月 

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    開催年月日： 2004年7月

    記述言語：英語   会議種別：口頭（一般）  

  • AlN/4H-SiC (0001)界面構造と電子物性の相関

    小野島紀夫, 海藤淳司, 須田淳, 木本恒暢

    2004年春季第51回応用物理学会学術講演会  2004年3月 

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    開催年月日： 2004年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • Towards High-Quality AlN/SiC Hetero-Interface by Controlling Initial Processes in Molecular-Beam Epitaxy 国際会議

    N. Onojima, J. Kaido, J. Suda, T. Kimoto, and H. Matsunami

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM2003)  2003年10月 

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    開催年月日： 2003年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭（一般）  

  • ポリタイプ整合による4H-SiC (11-20)基板上の高品質4H-AlN

    小野島紀夫, 須田淳, 木本恒暢, 松波弘之

    2003年秋季第64回応用物理学会学術講演会  2003年9月 

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    開催年月日： 2003年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • rf-MBE法により形成したAlN/4H-SiC (0001)界面の電子物性

    小野島紀夫, 海藤淳司, 須田淳, 木本恒暢, 松波弘之

    2003年秋季第64回応用物理学会学術講演会  2003年9月 

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    開催年月日： 2003年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • Growth of high-quality non-polar AlN on 4H-SiC (11-20) substrate by molecular-beam epitaxy 国際会議

    N. Onojima, J. Suda, T. Kimoto, and H. Matsunami

    The 5th International Conference of Nitride Semiconductors (ICNS5)  2003年5月 

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    開催年月日： 2003年5月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • Impact of SiC surface control on initial growth mode and crystalline quality of AlN grown by molecular-beam epitaxy 国際会議

    N. Onojima, J. Suda, T. Kimoto, and H. Matsunami

    The 5th International Conference of Nitride Semiconductors (ICNS5)  2003年5月 

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    開催年月日： 2003年5月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • 2次元初期成長の実現によるSiC (0001)基板上AlN層の結晶性向上

    小野島紀夫, 須田淳, 松波弘之

    2003年春季第50回応用物理学会学術講演会  2003年3月 

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    開催年月日： 2003年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • Epitaxial Growth of AlN on 6H-SiC (11-20) by Molecular-Beam Epitaxy 国際会議

    N. Onojima, J. Suda, and H. Matsunami

    Material Research Society Fall Meeting  2002年12月 

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    開催年月日： 2002年12月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • AlN MBE成長におけるSiC表面構造と核形成過程の関係

    小野島紀夫, 須田淳, 松波弘之

    2002年秋季第63回応用物理学会学術講演会  2002年9月 

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    開催年月日： 2002年9月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • MBE growth of AlN insulating layers on on-axis and off-axis SiC substrates

    小野島紀夫, 國師渡, 須田淳, 松波弘之

    第21回電子材料シンポジウム (EMS21)  2002年6月 

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    開催年月日： 2002年6月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • SiCオフ基板上へのAlNのMBE成長と評価

    小野島紀夫, 國師渡, 須田淳, 松波弘之

    2002年春季第49回応用物理学会学術講演会  2002年3月 

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    開催年月日： 2002年3月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

  • Heteroepitaxial Growth of Insulating AlN on 6H-SiC by MBE 国際会議

    N. Onojima, J. Suda, and H. Matsunami

    International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2001 (ICSCRM2001)  2001年10月 

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    開催年月日： 2001年10月

    記述言語：英語   会議種別：口頭（一般）  

  • Lattice relaxation process of AlN growth on atomically flat 6H-SiC substrate in molecular beam epitaxy 国際会議

    N. Onojima, J. Suda, and H. Matsunami

    The 13th International Conference on Crystal Growth (ICCG-13)  2001年7月 

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    開催年月日： 2001年7月

    記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

  • HClガスエッチングを行った6H-SiC基板上へのMBE成長AlNの格子緩和過程

    小野島紀夫, 岡庭武男, 西佑介, 三浦広平, 須田淳, 松波弘之

    2001年春季第48回応用物理学会学術講演会  2001年3月 

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    開催年月日： 2001年3月

    記述言語：日本語   会議種別：口頭（一般）  

  • HClエッチングを行ったSiC基板上への六方晶Ⅲ族窒化物半導体のRF- MBE成長

    小野島紀夫, 三浦広平, 須田淳, 松波弘之

    2000年秋季第61回応用物理学会学術講演会  2000年9月 

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    開催年月日： 2000年9月

    記述言語：日本語   会議種別：ポスター発表  

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産業財産権

  • 半導体結晶成長法

    須田淳,松波弘之,小野島紀夫

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    出願番号：PCT/JP2004/003689  出願日：2004年3月

    出願国：外国  

受賞

  • International Conference on Flexible and Printed Electronics 2013 (ICFPE2013) Best Poster Award

    2013年10月   International Conference on Flexible and Printed Electronics 2013 (ICFPE2013)  

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    受賞区分：国際学会・会議・シンポジウム等の賞 

  • 第15回応用物理学会講演奨励賞

    2003年8月   応用物理学会  

    小野島 紀夫

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    ポリタイプ整合による4H-SiC (11-20)基板上の高品質4H-AlN

担当授業科目（学内）

  • 電子デバイス工学I演習 重要な業績

    2023年度

  • 電子デバイス工学I 重要な業績

    2023年度

  • 半導体デバイス工学特論 重要な業績

    2015年度  科目区分：博士（大学院）

  • 通信デバイス工学特論 重要な業績

    2015年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 機能デバイス工学特論 重要な業績

    2015年度  科目区分：修士（大学院）

  • 電子デバイス工学Ⅱ 重要な業績

    2015年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電子応用実験 重要な業績

    2015年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 情報処理及び実習 重要な業績

    2015年度  科目区分：専門教育（学部）

  • プログラミングⅠ及び実習 重要な業績

    2015年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 微分積分学Ⅱ 重要な業績

    2015年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 半導体デバイス工学特論 重要な業績

    2014年度  科目区分：博士（大学院）

  • 機能デバイス工学特論 重要な業績

    2014年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電子デバイス工学Ⅱ 重要な業績

    2014年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電子応用実験 重要な業績

    2014年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 情報処理及び実習 重要な業績

    2014年度  科目区分：専門教育（学部）

  • プログラミングⅠ及び実習 重要な業績

    2014年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 微分積分学Ⅱ 重要な業績

    2014年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 半導体デバイス工学特論 重要な業績

    2013年度  科目区分：博士（大学院）

  • 通信デバイス工学特論 重要な業績

    2013年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 機能デバイス工学特論 重要な業績

    2013年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電子デバイス工学Ⅱ 重要な業績

    2013年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電子応用実験 重要な業績

    2013年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 情報処理及び実習 重要な業績

    2013年度  科目区分：専門教育（学部）

  • プログラミングⅠ及び実習 重要な業績

    2013年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 微分積分学Ⅱ 重要な業績

    2013年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 半導体デバイス工学特論 重要な業績

    2012年度  科目区分：博士（大学院）

  • 機能デバイス工学特論 重要な業績

    2012年度  科目区分：修士（大学院）

  • 微分積分学Ⅱ 重要な業績

    2012年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 情報処理及び実習 重要な業績

    2012年度  科目区分：専門教育（学部）

  • プログラミングⅠ及び実習 重要な業績

    2012年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 微分積分学Ⅱ 重要な業績

    2012年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 情報処理及び実習 重要な業績

    2011年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電子応用実験 重要な業績

    2011年度  科目区分：専門教育（学部）

  • プログラミング序論及び実習 重要な業績

    2011年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 技術者英語 重要な業績

    2011年度  科目区分：専門教育（学部）

  • プログラミング序論及び実習 重要な業績

    2010年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電子応用実験 重要な業績

    2010年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 情報処理及び実習 重要な業績

    2010年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 電子応用実験 重要な業績

    2009年度  科目区分：専門教育（学部）

  • 情報処理及び実習 重要な業績

    2009年度  科目区分：専門教育（学部）

  • プログラミング序論及び実習 重要な業績

    2009年度  科目区分：専門教育（学部）

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指導実績

  • 2023年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導

    指導人数 ：3人  （内　留学生）：0人

    卒業／修了／学位取得人数 ：3人  （内　留学生）：0人

    担当教員数：1人

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    研究指導

  • 2023年度

    種別：修士（専攻科Bコース）学位論文指導

    指導人数 ：3人  （内　留学生）：0人

    卒業／修了／学位取得人数 ：3人  （内　留学生）：0人

    担当教員数：1人

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    研究指導

  • 2022年度

    種別：修士（専攻科Bコース）学位論文指導

    指導人数 ：4人  （内　留学生）：0人

    卒業／修了／学位取得人数 ：4人  （内　留学生）：0人

    担当教員数：1人

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    研究指導

  • 2022年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導

    指導人数 ：2人  （内　留学生）：0人

    卒業／修了／学位取得人数 ：2人  （内　留学生）：0人

    担当教員数：1人

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    研究指導

  • 2021年度

    種別：修士（専攻科Bコース）学位論文指導

    指導人数 ：4人  （内　留学生）：1人

    卒業／修了／学位取得人数 ：4人  （内　留学生）：1人

    担当教員数：1人

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    研究指導

  • 2021年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導

    指導人数 ：3人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：3人 

    担当教員数：1人

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    研究指導

  • 2020年度

    種別：修士（専攻科Bコース）学位論文指導

    指導人数 ：2人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：2人 

    担当教員数：1人

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    研究指導

  • 2020年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導

    指導人数 ：3人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：3人 

    担当教員数：1人

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    研究指導

  • 2019年度

    種別：修士（専攻科Bコース）学位論文指導

    指導人数 ：1人 

  • 2019年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導

    指導人数 ：4人 

  • 2018年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導  期間：12ヶ月

    指導人数 ：4人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：4人 

    担当教員数：1人

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    研究の進め方や論文発表について指導を行った．

  • 2018年度

    種別：修士（専攻科Bコース）学位論文指導  期間：12ヶ月

    指導人数 ：1人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：1人 

    担当教員数：1人

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    研究の進め方や論文発表について指導を行った．

  • 2017年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導  期間：12ヶ月

    指導人数 ：2人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：2人 

    担当教員数：1人

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    研究の進め方や論文発表について指導を行った．

  • 2016年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導

    指導人数 ：4人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：4人 

    担当教員数：1人

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    研究実験の指導，ゼミや日常の研究活動における教育，勉強会での専門能力の養成

  • 2016年度

    種別：修士（専攻科Bコース）学位論文指導

    指導人数 ：1人 

    担当教員数：1人

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    研究実験の指導，ゼミや日常の研究活動における指導

  • 2015年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導

    指導人数 ：3人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：3人 

    担当教員数：1人

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    研究実験の指導，ゼミや日常の研究活動における教育，勉強会での専門能力の養成

  • 2015年度

    種別：修士（専攻科Bコース）学位論文指導

    指導人数 ：3人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：2人 

    担当教員数：1人

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    研究実験の指導，ゼミや日常の研究活動における指導

  • 2014年度

    種別：修士（専攻科Bコース）学位論文指導

    指導人数 ：3人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：3人 

    担当教員数：1人

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    研究実験の指導，ゼミや日常の研究活動における指導

  • 2014年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導

    指導人数 ：3人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：3人 

    担当教員数：1人

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    研究実験の指導，ゼミや日常の研究活動における教育，勉強会での専門能力の養成

  • 2013年度

    種別：修士（専攻科Bコース）学位論文指導

    指導人数 ：4人 

    担当教員数：1人

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    研究実験の指導，ゼミや日常の研究活動における指導

  • 2013年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導

    指導人数 ：2人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：2人 

    担当教員数：1人

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    研究実験の指導，ゼミや日常の研究活動における教育，勉強会での専門能力の養成

  • 2012年度

    種別：修士（専攻科Bコース）学位論文指導

    指導人数 ：1人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：1人 

    担当教員数：1人

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    研究実験の指導，ゼミや日常の研究活動における指導

  • 2012年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導

    指導人数 ：3人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：3人 

    担当教員数：1人

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    研究実験の指導，ゼミや日常の研究活動における教育，勉強会での専門能力の養成

  • 2011年度

    種別：修士（専攻科Bコース）学位論文指導

    指導人数 ：2人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：2人 

    担当教員数：2人

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    研究実験の指導、ゼミや日常の研究活動における指導

  • 2011年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導

    指導人数 ：4人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：4人 

    担当教員数：2人

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    研究実験の指導、ゼミや日常の研究活動における教育，勉強会での専門能力の養成

  • 2010年度

    種別：修士（専攻科Bコース）学位論文指導

    指導人数 ：9人  （内　留学生）：1人

    卒業／修了／学位取得人数 ：5人  （内　留学生）：1人

    担当教員数：2人

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    研究実験の指導、ゼミや日常の研究活動における指導

  • 2010年度

    種別：学部（専攻科Aコース）卒業論文指導

    指導人数 ：3人 

    卒業／修了／学位取得人数 ：3人 

    担当教員数：2人

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    研究実験の指導、ゼミや日常の研究活動における教育、勉強会での専門能力の養成

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その他の学部学生指導

  • 2020年度

    躰道部顧問

修士・博士論文審査

  • 2023年度

    主査副査分類：副査

    課程博士 ：1人 

  • 2023年度

    主査副査分類：副査

    修士 ：3人 

  • 2023年度

    主査副査分類：主査

    修士 ：3人 

  • 2022年度

    主査副査分類：副査

    論文博士 ：2人 

  • 2022年度

    主査副査分類：主査

    修士 ：4人  （内　留学生）：0人

  • 2022年度

    主査副査分類：副査

    修士 ：2人 

  • 2021年度

    主査副査分類：主査

    修士 ：4人  （内　留学生）：1人

  • 2021年度

    主査副査分類：副査

    修士 ：4人 

  • 2021年度

    主査副査分類：副査

    論文博士 ：1人 

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外部発表指導の実績

  • 2023年度

    日本語論文発表指導・口頭発表 （指導人数）：3人 

    英語　論文発表指導・口頭発表 （指導人数）：1人 

  • 2022年度

    日本語論文発表指導・口頭発表 （指導人数）：5人 

    英語　論文発表指導・口頭発表 （指導人数）：1人 

  • 2021年度

    日本語論文発表指導・口頭発表 （指導人数）：5人 

    英語　論文発表指導・口頭発表 （指導人数）：1人 

社会貢献活動

  • 実験工作指導

    役割：助言･指導

    応用物理学会東海支部  リフレッシュ理科教室  山梨県立科学館  2023年8月

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    対象： 小学生

    種別：その他

  • 実験工作指導

    役割：助言･指導

    応用物理学会東海支部  リフレッシュ理科教室  山梨県立科学館  2022年8月

    　詳細を見る

    対象： 小学生

    種別：その他

  • 実験工作指導

    役割：助言･指導

    応用物理学会東海支部  リフレッシュ理科教室  山梨県立科学館  2019年7月

    　詳細を見る

    対象： 小学生

    種別：その他

  • 実験工作指導

    役割：助言･指導

    応用物理学会東海支部  リフレッシュ理科教室  山梨県立科学館  2018年7月

  • 実験工作指導

    役割：運営参加・支援

    応用物理学会東海支部  リフレッシュ理科教室  山梨県立科学館  2016年8月

    　詳細を見る

    対象： 小学生,　教育関係者

    種別：セミナー・ワークショップ

  • 実験工作指導

    役割：運営参加・支援

    応用物理学会東海支部  リフレッシュ理科教室  山梨県立科学館  2015年8月

    　詳細を見る

    対象： 小学生,　教育関係者

    種別：セミナー・ワークショップ

  • 実験工作指導

    役割：運営参加・支援

    応用物理学会東海支部  リフレッシュ理科教室  山梨県立科学館  2014年8月

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    対象： 小学生,　教育関係者

    種別：セミナー・ワークショップ

  • 実験工作指導

    役割：運営参加・支援

    応用物理学会東海支部  リフレッシュ理科教室  山梨県立科学館  2013年8月

    　詳細を見る

    対象： 小学生,　教育関係者

    種別：セミナー・ワークショップ

  • 実験工作指導

    役割：運営参加・支援

    応用物理学会東海支部  リフレッシュ理科教室  山梨県立科学館  2012年8月

    　詳細を見る

    対象： 小学生,　教育関係者

    種別：セミナー・ワークショップ

  • 実験工作指導

    役割：運営参加・支援

    応用物理学会東海支部  リフレッシュ理科教室  山梨県立科学館  2011年8月

    　詳細を見る

    対象： 小学生,　教育関係者

    種別：セミナー・ワークショップ

  • 実験工作指導

    役割：運営参加・支援

    応用物理学会東海支部  リフレッシュ理科教室  山梨県立科学館  2010年8月

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    対象： 小学生,　教育関係者

    種別：セミナー・ワークショップ

  • 実験工作指導

    役割：運営参加・支援

    応用物理学会東海支部  リフレッシュ理科教室  山梨県立科学館  2009年8月

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    対象： 小学生,　教育関係者

    種別：セミナー・ワークショップ

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国際交流・国際貢献

  • 2019年度  種別：国際交流、地域交流支援、留学生と日本人学生の交流支援

    短期留学生インターンシップの受け入れ

所属学協会

  • 情報通信学会

    2018年6月 - 現在

  • 結晶成長学会

    2012年11月 - 現在

  • 応用物理学会

    2000年8月 - 現在